公开(公告)号：US20080254233A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US11733531

申请日：2007-04-10

申请人： KWANGDUK DOUGLAS LEE ,  Matthew Spuller ,  Martin Jay Seamons ,  Wendy H. Yeh ,  Bok Hoen Kim ,  Mohamad Ayoub ,  Amir Al-Bayati ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： KWANGDUK DOUGLAS LEE ,  Matthew Spuller ,  Martin Jay Seamons ,  Wendy H. Yeh ,  Bok Hoen Kim ,  Mohamad Ayoub ,  Amir Al-Bayati ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： C23C14/28

CPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/52

摘要： Methods of depositing amorphous carbon films on substrates are provided herein. The methods reduce or prevent plasma-induced charge damage to the substrates from the deposition of the amorphous carbon films. In one aspect, an initiation layer of amorphous carbon is deposited at a low RF power level and/or at a low hydrocarbon compound/inert gas flow rate ratio before a bulk layer of amorphous carbon is deposited. After the deposition of the initiation layer, the RF power, hydrocarbon flow rate, and inert gas flow rate may be ramped to final values for the deposition of the bulk layer, wherein the RF power ramp rate is typically greater than the ramp rates of the hydrocarbon compound and of the inert gas. In another aspect, a method of minimizing plasma-induced charge damage includes depositing a seasoning layer on one or more interior surfaces of a chamber before the deposition of the amorphous carbon film on a substrate therein or coating the interior surfaces with an oxide or dielectric layer during manufacturing.

摘要翻译： 本文提供了在基片上沉积非晶碳膜的方法。 该方法从无定形碳膜的沉积中减少或防止等离子体对基板的电荷损伤。 在一个方面，在堆积无定形碳沉积层之前，以低RF功率水平和/或低烃化合物/惰性气体流速比沉积无定形碳的起始层。 在起始层的沉积之后，RF功率，烃流速和惰性气体流速可以斜坡化到用于沉积体层的最终值，其中RF功率斜坡率通常大于 烃化合物和惰性气体。 在另一方面，一种使等离子体感应的电荷损伤最小化的方法包括在将非晶碳膜沉积在基底上之前，在腔室的一个或多个内表面上沉积调味层，或者用氧化物或介电层涂覆内表面 在制造过程中。

公开(公告)号：US07371427B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US10442579

申请日：2003-05-20

申请人： Nagarajan Rajagopalan ,  Meiyee Shek ,  Kegang Huang ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'saad ,  Thomas Nowak

发明人： Nagarajan Rajagopalan ,  Meiyee Shek ,  Kegang Huang ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'saad ,  Thomas Nowak

IPC分类号： B08B9/00 ,  B05D7/22

CPC分类号： H01L21/7684 ,  C23C16/4404 ,  C23G5/00 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76838

摘要： Unwanted hillocks arising in copper layers due to formation of overlying barrier layers may be significantly reduced by optimizing various process parameters, alone or in combination. A first set of process parameters may be controlled to pre-condition the processing chamber in which the barrier layer is deposited. A second set of process parameters may be controlled to minimize energy to which a copper layer is exposed during removal of CuO prior to barrier deposition. A third set of process parameters may be controlled to minimize the thermal budget after removal of the copper oxide.

摘要翻译： 由于形成覆盖势垒层而在铜层中产生的不希望的小丘可以通过单独或组合优化各种工艺参数而显着降低。 可以控制第一组工艺参数以对其中沉积阻挡层的处理室进行预处理。 可以控制第二组工艺参数，以在阻挡层沉积之前最小化去除CuO期间铜层暴露的能量。 可以控制第三组工艺参数以最小化除去氧化铜后的热预算。

公开(公告)号：US20080008842A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11483951

申请日：2006-07-07

申请人： Jyr Hong Soo ,  Matthew Spuller ,  Michael S. Cox ,  Martin Jay Seamons ,  Amir Al-Bayati ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'Saad

发明人： Jyr Hong Soo ,  Matthew Spuller ,  Michael S. Cox ,  Martin Jay Seamons ,  Amir Al-Bayati ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32935

摘要： Methods for reducing plasma instability for plasma depositing a dielectric layer are provided. In one embodiment, the method includes providing a substrate in a plasma processing chamber, flowing a gas mixture into the chamber, applying an RF power to an electrode to form a plasma in the chamber, and collecting DC bias information. In another embodiment, the method for plasma processing includes obtaining of DC bias information over a plurality of plasma generation events, and determining an RF power application parameter from the DC bias information.

摘要翻译： 提供了用于降低等离子体沉积介电层的等离子体不稳定性的方法。 在一个实施例中，该方法包括在等离子体处理室中提供衬底，将气体混合物流入室中，向电极施加RF功率以在腔室中形成等离子体，并收集DC偏置信息。 在另一个实施例中，等离子体处理的方法包括在多个等离子体产生事件中获得DC偏置信息，以及从DC偏置信息确定RF功率应用参数。

公开(公告)号：US20070286954A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11451916

申请日：2006-06-13

申请人： Sum-Yee Tang ,  Hsin Chiao Luan ,  Kwangduk Douglas Lee ,  Bok Hoen Kim

发明人： Sum-Yee Tang ,  Hsin Chiao Luan ,  Kwangduk Douglas Lee ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/509

摘要： Methods for low temperature deposition an amorphous carbon film with improved step coverage are provided. In one embodiment, the method includes providing a substrate in a process chamber, flowing a gas mixture including at least a hydrocarbon compound and an inert gas into the process chamber, wherein the hydrocarbon compound has greater than 5 carbon atoms, maintaining the substrate temperature at a range below 450 degrees Celsius, and depositing an amorphous carbon film on the substrate.

摘要翻译： 提供了具有改善的台阶覆盖率的低温沉积方法。 在一个实施方案中，该方法包括在处理室中提供衬底，将包含至少一种烃化合物和惰性气体的气体混合物流入该处理室，其中烃化合物具有大于5个碳原子，将衬底温度保持在 在450摄氏度以下的范围内，并且在衬底上沉积无定形碳膜。

公开(公告)号：US06927178B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10732904

申请日：2003-12-10

申请人： Bok Hoen Kim ,  Sudha Rathi ,  Sang H. Ahn ,  Christopher D. Bencher ,  Yuxiang May Wang ,  Hichem M'Saad ,  Mario D. Silvetti ,  Miguel Fung ,  Keebum Jung ,  Lei Zhu

发明人： Bok Hoen Kim ,  Sudha Rathi ,  Sang H. Ahn ,  Christopher D. Bencher ,  Yuxiang May Wang ,  Hichem M'Saad ,  Mario D. Silvetti ,  Miguel Fung ,  Keebum Jung ,  Lei Zhu

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76828 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/952

摘要： Methods are provided for depositing a dielectric material. The dielectric material may be used for an anti-reflective coating or as a hardmask. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including introducing a processing gas comprising a silane-based compound and an oxygen and carbon containing compound to the processing chamber and reacting the processing gas to deposit a nitrogen-free dielectric material on the substrate. The dielectric material comprises silicon and oxygen. In another aspect, the dielectric material forms one or both layers in a dual layer anti-reflective coating.

摘要翻译： 提供了沉积电介质材料的方法。 电介质材料可用于抗反射涂层或硬掩模。 一方面，提供了一种处理基板的方法，包括将包含硅烷类化合物和含氧和碳的化合物的处理气体引入处理室，并使处理气体在基板上沉积无氮介电材料 。 介电材料包括硅和氧。 在另一方面，电介质材料在双层抗反射涂层中形成一层或两层。

公开(公告)号：US20100087062A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12246374

申请日：2008-10-06

申请人： Annamalai Lakshmanan ,  Dante Manalo ,  Nagarajan Rajagopalan ,  Francimar C. Schmitt ,  Bok Hoen Kim

发明人： Annamalai Lakshmanan ,  Dante Manalo ,  Nagarajan Rajagopalan ,  Francimar C. Schmitt ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31633 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/029 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76801

摘要： A method and apparatus for depositing organosilicate dielectric layers having good adhesion properties and low dielectric constant. Embodiments are described in which layers are deposited at low temperature and at high temperature. The low temperature layers are generally post-treated, whereas the high temperature layers need no post treating. Adhesion of the layers is promoted by use of an initiation layer.

摘要翻译： 一种用于沉积具有良好粘合性能和低介电常数的有机硅酸盐电介质层的方法和装置。 描述了在低温和高温下沉积层的实施例。 低温层通常经过后处理，而高温层不需要后处理。 通过使用起始层促进层的附着。

公开(公告)号：US20090197086A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12025615

申请日：2008-02-04

申请人： Sudha Rathi ,  Eui Kyoon Kim ,  Bok Hoen Kim ,  Martin Jay Seamons ,  Francimar Campana Schmitt

发明人： Sudha Rathi ,  Eui Kyoon Kim ,  Bok Hoen Kim ,  Martin Jay Seamons ,  Francimar Campana Schmitt

IPC分类号： G03F7/00 ,  B05D1/36 ,  H05H1/24 ,  B32B9/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  Y10T428/30

摘要： A method and structure for the fabrication of semiconductor devices having feature sizes in the range of 90 nm and smaller is provided. In one embodiment of the invention, a method is provided for processing a substrate including depositing an anti-reflective coating layer on a surface of the substrate, depositing an adhesion promotion layer on the anti-reflective coating layer, and depositing a resist material on the adhesion promotion layer. In another embodiment of the invention, a semiconductor substrate structure is provided including a dielectric substrate, an amorphous carbon layer deposited on the dielectric layer, an anti-reflective coating layer deposited on the amorphous carbon layer, an adhesion promotion layer deposited on the anti-reflective coating layer, and a resist material deposited on the adhesion promotion layer.

摘要翻译： 提供了具有尺寸在90nm以下的特征尺寸的半导体器件的制造方法和结构。 在本发明的一个实施例中，提供了一种处理衬底的方法，包括在衬底的表面上沉积抗反射涂层，在抗反射涂层上沉积粘合促进层，以及在抗反射涂层上沉积抗蚀剂材料 粘附促进层。 在本发明的另一个实施例中，提供了一种半导体衬底结构，其包括电介质衬底，沉积在电介质层上的无定形碳层，沉积在无定形碳层上的抗反射涂层， 反射涂层和沉积在粘附促进层上的抗蚀剂材料。

公开(公告)号：US20090050902A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12257806

申请日：2008-10-24

申请人： Judy H. Huang ,  Christopher Dennis Bencher ,  Sudha Rathi ,  Christopher S. Ngai ,  Bok Hoen Kim

发明人： Judy H. Huang ,  Christopher Dennis Bencher ,  Sudha Rathi ,  Christopher S. Ngai ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01L21/76834 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/0245 ,  C23G5/00 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides semiconductor device formed by an in situ plasma reducing process to reduce oxides or other contaminants, using a compound of nitrogen and hydrogen, typically ammonia, at relatively low temperatures prior to depositing a subsequent layer thereon. The adhesion characteristics of the layers are improved and oxygen presence is reduced compared to the typical physical sputter cleaning process of an oxide layer. This process may be particularly useful for the complex requirements of a dual damascene structure, especially with copper applications.

摘要翻译： 本发明提供了通过原位等离子体还原方法形成的半导体器件，其在沉积其后的层之前，在相对低的温度下使用氮和氢（通常为氨）的化合物来还原氧化物或其它污染物。 与氧化物层的典型的物理溅射清洗工艺相比，这些层的粘合特性得到改善，氧的存在降低。 该方法对于双镶嵌结构的复杂要求尤其有用，特别是对于铜应用。

公开(公告)号：US20080182404A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US12017930

申请日：2008-01-22

申请人： ALEXANDROS T. DEMOS ,  Li-Qun Xia ,  Bok Hoen Kim ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： ALEXANDROS T. DEMOS ,  Li-Qun Xia ,  Bok Hoen Kim ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/931

摘要： Methods are provided for forming a structure that includes an air gap. In one embodiment, a method is provided for forming a damascene structure comprises depositing a porous low dielectric constant layer by a method including reacting an organosilicon compound and a porogen-providing precursor, depositing a porogen-containing material, and removing at least a portion of the porogen-containing material, depositing an organic layer on the porous low dielectric constant layer by reacting the porogen-providing precursor, forming a feature definition in the organic layer and the porous low dielectric constant layer, filing the feature definition with a conductive material therein, depositing a mask layer on the organic layer and the conductive material disposed in the feature definition, forming apertures in the mask layer to expose the organic layer, removing a portion or all of the organic layer through the apertures, and forming an air gap adjacent the conductive material.

摘要翻译： 提供了用于形成包括气隙的结构的方法。 在一个实施例中，提供了一种用于形成镶嵌结构的方法，包括通过包括使有机硅化合物和致孔剂提供前体反应的方法沉积多孔低介电常数层，沉积含致孔剂的材料，以及除去至少一部分 含致孔剂的材料，通过使造孔剂提供前体反应，在有机层中形成特征定义和多孔低介电常数层，在多孔低介电常数层上沉积有机层，用导电材料填充特征定义 在有机层上沉积掩模层和设置在特征定义中的导电材料，在掩模层中形成孔以暴露有机层，通过孔去除部分或全部有机层，并形成相邻的气隙 导电材料。

公开(公告)号：US20070281083A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11756358

申请日：2007-05-31

申请人： ANNAMALAI LAKSHMANAN ,  Ganesh Balasubramanian ,  Francimar Schmitt ,  Bok Hoen Kim

发明人： ANNAMALAI LAKSHMANAN ,  Ganesh Balasubramanian ,  Francimar Schmitt ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/401 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862

摘要： The present invention generally provides an apparatus and method for eliminating the “first wafer effect” for plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). One embodiment of the present invention provides a method for preparing a chamber after the chamber being idle for a period of time. The method comprises a cleaning step followed by a season step and a heating step adapted to the length of the idle time.

摘要翻译： 本发明通常提供一种用于消除等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的“第一晶圆效应”的装置和方法。 本发明的一个实施例提供一种在腔室闲置一段时间之后制备腔室的方法。 该方法包括清洁步骤，随后是季节步骤和适应空闲时间长度的加热步骤。