公开(公告)号：US06672843B1

公开(公告)日：2004-01-06

申请号：US10118263

申请日：2002-04-08

申请人： Lonnie E. Holder ,  Michael Todd ,  Robert E. Trimble

发明人： Lonnie E. Holder ,  Michael Todd ,  Robert E. Trimble

IPC分类号： F04B2314

CPC分类号： F16H61/448 ,  F04B1/22 ,  F04B1/324 ,  F04B23/06 ,  F04B23/106

摘要： A dual pump apparatus for use on a vehicle or industrial application having a housing in which a pair of hydraulic pumps are mounted, having by at least one charge pump mounted on an end cap, and the trunnion arms for controlling the hydraulic pumps extending out of opposite sides of the housing. A cooling fan may be mounted on the primary or secondary input shaft on the opposite side of the pulley used to engage the prime mover. An auxiliary pump may also be mounted on the primary input shaft and may be located either at the input end thereof adjacent to the pulley, or on the opposite side of the housing.

摘要翻译： 一种用于车辆或工业应用的双泵装置，其具有安装有一对液压泵的壳体，其具有安装在端盖上的至少一个充电泵，以及用于控制液压泵延伸出的液压泵的耳轴 外壳的两侧。 冷却风扇可以安装在用于接合原动机的滑轮的相对侧上的主输入轴或次输入轴上。 辅助泵也可以安装在主输入轴上，并且可以位于与滑轮相邻的输入端处或者位于壳体的相对侧上。

公开(公告)号：US20090241190A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12079013

申请日：2008-03-24

申请人： Michael Todd ,  Scott Robert Koster ,  Patrick Choy Ming Wong

发明人： Michael Todd ,  Scott Robert Koster ,  Patrick Choy Ming Wong

IPC分类号： G06F21/00

CPC分类号： H04L63/1416 ,  G06F21/53 ,  G06F21/552 ,  G06F21/564 ,  G06F21/566 ,  G06F21/577 ,  G06F2221/2101 ,  H04L63/1441 ,  H04L63/1491

摘要： A method of securing a network from vulnerability exploits, including the steps of a traffic analysis engine receiving a plurality of packets destined for an internal operating system; the traffic analysis engine selectively forwarding the packets to at least one virtual machine emulating the internal operating system; the virtual machine processing each forwarded packet; a rapid analysis engine identifying a malicious packet from the processed packets; and the rapid analysis engine creating a new signature to identify the malicious packet.

摘要翻译： 一种保护网络免受漏洞利用的方法，包括接收目的地为内部操作系统的多个分组的流量分析引擎的步骤; 流量分析引擎选择性地将分组转发到模拟内部操作系统的至少一个虚拟机; 虚拟机处理每个转发的数据包; 快速分析引擎，从处理的分组识别恶意分组; 和快速分析引擎创建新的签名来识别恶意数据包。

公开(公告)号：US20090201650A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12367144

申请日：2009-02-06

申请人： Raymond Hauser ,  Christopher K. Wyatt ,  Michael Todd ,  Donald Rousser ,  Ivan E. Fox ,  Josh Butler

发明人： Raymond Hauser ,  Christopher K. Wyatt ,  Michael Todd ,  Donald Rousser ,  Ivan E. Fox ,  Josh Butler

IPC分类号： H05K1/14 ,  H02P5/00

CPC分类号： A01D34/008 ,  A01D34/78 ,  B60L15/007 ,  B60L15/20 ,  B60L15/2036 ,  B60L15/38 ,  B60L2200/40 ,  H02P5/68 ,  H02P5/74 ,  H04L12/403 ,  H05K1/14 ,  Y02T10/645 ,  Y02T10/646 ,  Y02T10/72 ,  Y02T10/7275

摘要： Controller assemblies and packaging for electronic control systems of electric motors utilized in utility vehicles or other power equipment. Features of the controller assemblies and packaging described herein allow for, among other things, modularity, scalability, and improved heat transfer.

摘要翻译： 用于多用途车辆或其他电力设备的电动马达的电子控制系统的控制器组件和包装。 这里描述的控制器组件和包装的特征允许尤其是模块化，可扩展性和改进的热传递。

公开(公告)号：US07566207B1

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US11765151

申请日：2007-06-19

申请人： Lonnie E. Holder ,  Robert E. Trimble ,  Michael Todd

发明人： Lonnie E. Holder ,  Robert E. Trimble ,  Michael Todd

IPC分类号： F04B1/12 ,  F04B3/00 ,  F16D31/02

CPC分类号： F16H61/448 ,  F04B1/22 ,  F04B1/324 ,  F04B23/06 ,  F04B23/106

摘要： A dual pump apparatus for use on a vehicle or industrial application and having a pair of hydraulic pumps that are disposed in separate chambers within a housing. A pair of input shafts are disposed within the housing to drive the respective hydraulic pumps and one of the input shafts engages a prime mover. A charge pump may be mounted on an end cap, and trunnion arms for controlling the hydraulic pumps may extend out of opposite sides of the housing. An auxiliary pump may also be mounted on one of the input shafts and may be located either at the input end thereof or on the opposite side of the housing.

摘要翻译： 一种用于车辆或工业应用并具有一对液压泵的双泵装置，其设置在壳体内的分离室中。 一对输入轴设置在壳体内以驱动相应的液压泵，并且一个输入轴接合原动机。 电荷泵可以安装在端盖上，用于控制液压泵的耳轴可以从外壳的相对侧延伸出来。 辅助泵也可以安装在一个输入轴上，并且可以位于其输入端或壳体的相对侧。

公开(公告)号：US07001146B1

公开(公告)日：2006-02-21

申请号：US10749709

申请日：2003-12-31

申请人： Michael Todd

发明人： Michael Todd

IPC分类号： F01D25/10

CPC分类号： F04B53/08

摘要： An assembly and means for cooling a hydraulic pump comprising an electric fan mounted on a housing of the hydraulic pump. An upper shroud helps direct cooler air to the fan and helps prevent inadvertent contact with the fan blades. An optional controller can be attached that senses the temperature of the hydraulic pump and adjusts the speed of the fan accordingly.

摘要翻译： 一种用于冷却液压泵的组件和装置，包括安装在液压泵壳体上的电风扇。 上护罩有助于将更冷的空气引导到风扇，并有助于防止与风扇叶片的无意接触。 可以附加一个可选的控制器来感测液压泵的温度，并相应地调节风扇的转速。

公开(公告)号：US20050233529A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US11148721

申请日：2005-06-09

申请人： Christophe Pomarede ,  Michael Givens ,  Eric Shero ,  Michael Todd

发明人： Christophe Pomarede ,  Michael Givens ,  Eric Shero ,  Michael Todd

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/02 ,  C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L21/28194 ,  B82Y10/00 ,  C23C16/0272 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Methods are provided herein for forming electrode layers over high dielectric constant (“high k”) materials. In the illustrated embodiments, a high k gate dielectric, such as zirconium oxide, is protected from reduction during a subsequent deposition of silicon-containing gate electrode. In particular, a seed deposition phase includes conditions designed for minimizing hydrogen reduction of the gate dielectric, including low hydrogen content, low temperatures and/or low partial pressures of the silicon source gas. Conditions are preferably changed for higher deposition rates and deposition continues in a bulk phase. Desirably, though, hydrogen diffusion is still minimized by controlling the above-noted parameters. In one embodiment, high k dielectric reduction is minimized through omission of a hydrogen carrier gas. In another embodiment, higher order silanes, aid in reducing hydrogen content for a given deposition rate.

摘要翻译： 本文提供了用于在高介电常数（“高k”）材料上形成电极层的方法。 在所示的实施例中，在接下来的含硅栅电极沉积期间，保护高k栅极电介质，例如氧化锆，以防止还原。 特别地，种子沉积阶段包括设计用于最小化栅极电介质的氢还原的条件，包括硅源气体的低氢含量，低温和/或低分压。 优选地，为了更高的沉积速率改变条件，并且在体相中继续沉积。 然而，尽管通过控制上述参数仍然使氢扩散最小化。 在一个实施例中，通过省略氢载体气体来最小化高k电介质的减小。 在另一个实施方案中，高级硅烷有助于降低给定沉积速率的氢含量。

公开(公告)号：US20050208740A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US11124340

申请日：2005-05-06

申请人： Michael Todd

发明人： Michael Todd

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/337 ,  H01L21/425 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/51 ,  H01L29/737 ,  H01L29/78 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： C23C16/0272 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/32055 ,  H01L28/84 ,  H01L29/127 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66242 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/933

摘要： Chemical vapor deposition processes utilize higher order silanes and germanium precursors as chemical precursors. The processes have high deposition rates yet produce more uniform films, both compositionally and in thickness, than films prepared using conventional chemical precursors. In preferred embodiments, trisilane is employed to deposit SiGe-containing films that are useful in the semiconductor industry in various applications such as transistor gate electrodes.

摘要翻译： 化学气相沉积工艺利用高阶硅烷和锗前体作为化学前体。 这些方法具有高的沉积速率，但是与使用常规化学前体制备的膜相比，在组成和厚度方面产生更均匀的膜。 在优选的实施方案中，使用丙硅烷沉积在诸如晶体管栅电极的各种应用中可用于半导体工业中的含SiGe的膜。

公开(公告)号：US20050064684A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：US10963043

申请日：2004-10-12

申请人： Michael Todd ,  Mark Hawkins

发明人： Michael Todd ,  Mark Hawkins

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/337 ,  H01L21/425 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/51 ,  H01L29/737 ,  H01L29/78 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： C23C16/0272 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/32055 ,  H01L28/84 ,  H01L29/127 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66242 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/933

摘要： Chemical vapor deposition processes utilize chemical precursors that allow for the deposition of thin films to be conducted at or near the mass transport limited regime. The processes have high deposition rates yet produce more uniform films, both compositionally and in thickness, than films prepared using conventional chemical precursors. In preferred embodiments, a higher order silane is employed to deposit thin films containing silicon that are useful in the semiconductor industry in various applications such as transistor gate electrodes.

摘要翻译： 化学气相沉积方法利用化学前体，其允许薄膜的沉积在质量传递限制状态或附近进行。 这些方法具有高的沉积速率，但是与使用常规化学前体制备的膜相比，在组成和厚度方面产生更均匀的膜。 在优选的实施方案中，使用较高级的硅烷来沉积在诸如晶体管栅电极的各种应用中可用于半导体工业中的含硅的薄膜。

公开(公告)号：US20050048745A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10918547

申请日：2004-08-12

申请人： Michael Todd

发明人： Michael Todd

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/337 ,  H01L21/425 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/51 ,  H01L29/737 ,  H01L29/78 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L21/3205

CPC分类号： C23C16/0272 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/32055 ,  H01L28/84 ,  H01L29/127 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66242 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/933

摘要： Chemical vapor deposition methods are used to deposit silicon-containing films over mixed substrates. Such methods are useful in semiconductor manufacturing to provide a variety of advantages, including uniform deposition over heterogeneous surfaces, high deposition rates, and higher manufacturing productivity. An example is in forming the base region of a heterojunction bipolar transistor, including simultaneous deposition over both single crystal semiconductor surfaces and amorphous insulating regions.

摘要翻译： 使用化学气相沉积方法将含硅膜沉积在混合的基底上。 这种方法在半导体制造中可用于提供各种优点，包括在异质表面上的均匀沉积，高沉积速率和更高的制造生产率。 例如，形成异质结双极晶体管的基极区域，包括在单晶半导体表面和非晶绝缘区域上的同时沉积。

公开(公告)号：US06818570B2

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：US10351669

申请日：2003-01-24

申请人： Naoto Tsuji ,  Yukihiro Mori ,  Satoshi Takahashi ,  Kiyohiro Matsushita ,  Atsuki Fukazawa ,  Michael Todd

发明人： Naoto Tsuji ,  Yukihiro Mori ,  Satoshi Takahashi ,  Kiyohiro Matsushita ,  Atsuki Fukazawa ,  Michael Todd

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  Y10S438/91

摘要： A silicon-containing insulation film having high mechanical strength is formed on a semiconductor substrate by (a) introducing a reaction gas comprising (i) a source gas comprising a silicon-containing hydrocarbon compound containing cross-linkable groups, (ii) a cross-linking gas, and (iii) an inert gas, into a reaction chamber where a substrate is placed; (b) applying radio-frequency power to create a plasma reaction space inside the reaction chamber; and (c) controlling a flow of the reaction gas and an intensity of the radio-frequency power.

摘要翻译： 通过（a）引入反应气体，在半导体衬底上形成具有高机械强度的含硅绝缘膜，该反应气体包含（i）包含含有可交联基团的含硅烃化合物的源气体，（ii） 将气体和（iii）惰性气体连接到放置基板的反应室中; （b）施加射频功率以在反应室内产生等离子体反应空间; 和（c）控制反应气体的流动和射频功率的强度。