公开(公告)号：US08779308B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13367752

申请日：2012-02-07

申请人： Akihiko Takemae ,  Norio Endo ,  Shuji Nakamura ,  Tamotsu Koike ,  Takeshi Nishino

发明人： Akihiko Takemae ,  Norio Endo ,  Shuji Nakamura ,  Tamotsu Koike ,  Takeshi Nishino

IPC分类号： H01H9/26 ,  H01H3/12 ,  H01H13/36 ,  H01H13/14

CPC分类号： H01H3/125 ,  H01H13/14 ,  H01H13/36 ,  H01H13/702 ,  H01H2203/038 ,  H01H2227/036

摘要： A key switch device including a key top; a pair of link members connected to the key top and interlocked with each other to guide a vertical motion of the key top; a switch mechanism including a membrane sheet switch capable of opening and closing a contact section of an electrical circuit in accordance with the vertical motion of the key top; a flexible thin film sheet attached to the membrane sheet switch; and a housing attached to the thin film sheet, the housing adapted to connect the link members to the thin film sheet.

摘要翻译： 一种钥匙开关装置，包括键顶; 一对连接构件，连接到键顶并互锁，以引导键顶的垂直运动; 开关机构，其包括根据键顶的垂直运动能够打开和闭合电路的接触部分的膜片开关; 安装在薄片开关上的柔性薄膜片; 以及附接到所述薄膜片的壳体，所述壳体适于将所述连接构件连接到所述薄膜片。

公开(公告)号：US08729671B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13327521

申请日：2011-12-15

申请人： Asako Hirai ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Asako Hirai ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： C30B33/00 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003

摘要： A method for fabricating a high quality freestanding nonpolar and semipolar nitride substrate with increased surface area, comprising stacking multiple films by growing the films one on top of each other with different and non-orthogonal growth directions.

摘要翻译： 一种用于制造具有增加的表面积的高质量独立非极性和半极性氮化物衬底的方法，包括通过用不同的和非正交的生长方向将膜形成在一个层叠上来堆叠多个膜。

公开(公告)号：US08709371B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US11921396

申请日：2005-07-08

申请人： Kenji Fujito ,  Tadao Hashimoto ,  Shuji Nakamura

发明人： Kenji Fujito ,  Tadao Hashimoto ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： C01B21/06 ,  C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14

CPC分类号： C30B7/105 ,  C30B7/10 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1096

摘要： A method of growing high-quality, group-III nitride, bulk single crystals. The group III-nitride bulk crystal is grown in an autoclave in supercritical ammonia using a source material or nutrient that is a group III-nitride polycrystals or group-III metal having a grain size of at least 10 microns or more and a seed crystal that is a group-III nitride single crystal. The group III-nitride polycrystals may be recycled from previous ammonothermal process after annealing in reducing gas at more then 600° C. The autoclave may include an internal chamber that is filled with ammonia, wherein the ammonia is released from the internal chamber into the autoclave when the ammonia attains a supercritical state after the heating of the autoclave, such that convection of the supercritical ammonia transfers source materials and deposits the transferred source materials onto seed crystals, but undissolved particles of the source materials are prevented from being transferred and deposited on the seed crystals.

摘要翻译： 生长高品质，III族氮化物，大块单晶的方法。 III族氮化物本体晶体在超临界氨的高压釜中使用源材料或营养物生长，所述源材料或营养物是具有至少10微米或更小的晶粒尺寸的III族氮化物多晶体或III族金属，以及晶种， 是III族氮化物单晶。 III族氮化物多晶体可以在600℃以上的还原气体中退火之后从先前的氨热处理中回收。高压釜可以包括填充有氨的内部室，其中氨从内部室释放到高压釜 当氨在高压釜加热后达到超临界状态时，超临界氨的对流转移源材料并将转移的原材料沉积到晶种上，而防止源材料的未溶解颗粒被转移并沉积在 晶种。

公开(公告)号：US08692105B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US13089138

申请日：2011-04-18

申请人： Hiroaki Ohta ,  Alexander Sztein ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hiroaki Ohta ,  Alexander Sztein ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L35/12 ,  H01L35/30

CPC分类号： H01L35/22

摘要： A method to suppress thermal conductivities of nitride films by using stacking faults and/or nano-scale In-composition fluctuation(s). Therefore, the present invention reduces thermal conductivity of nitride while keeping electrical conductivity high. In addition, In composition fluctuations can enhance the Seebeck coefficient through thermionic emission. The present invention further discloses a nitride based (e.g. GaN) thermoelectric lateral device with a short length.

摘要翻译： 通过使用堆垛层错和/或纳米级组成波动来抑制氮化物膜的热导率的方法。 因此，本发明降低氮化物的导热性，同时保持导电性高。 此外，组成波动可以通过热电子发射增强塞贝克系数。 本发明还公开了一种具有短长度的氮化物基（例如GaN）热电横向装置。

公开(公告)号：US08686466B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US12953029

申请日：2010-11-23

申请人： Robert M. Farrell, Jr. ,  Troy J. Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin A. Haskell ,  P. Morgan Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh K. Mishra ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Robert M. Farrell, Jr. ,  Troy J. Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin A. Haskell ,  P. Morgan Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh K. Mishra ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： A method for growth and fabrication of semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices, comprising identifying desired material properties for a particular device application, selecting a semipolar growth orientation based on the desired material properties, selecting a suitable substrate for growth of the selected semipolar growth orientation, growing a planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer on the substrate, and growing the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures or devices on the planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer. The method results in a large area of the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices being parallel to the substrate surface.

摘要翻译： 一种用于生长和制造半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件的方法，包括鉴定特定器件应用的所需材料性质，基于所需材料性质选择半极性生长取向，选择 用于生长选择的半极性生长取向的合适底物，在衬底上生长平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层，以及生长半极（Ga，Al，In，B）N薄膜 ，平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层上的异质结构或器件。 该方法导致大面积的半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件平行于衬底表面。

公开(公告)号：US08624281B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US12974621

申请日：2010-12-21

申请人： Frederic S. Diana ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Frederic S. Diana ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/60 ,  F21K9/64 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L33/483 ,  H01L33/50 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method for increasing the luminous efficacy of a white light emitting diode (WLED), comprising introducing optically functional interfaces between an LED die and a phosphor, and between the phosphor and an outer medium, wherein at least one of the interfaces between the phosphor and the LED die provides a reflectance for light emitted by the phosphor away from the outer medium and a transmittance for light emitted by the LED die. Thus, a WLED may comprise a first material which surrounds an LED die, a phosphor layer, and at least one additional layer or material which is transparent for direct LED emission and reflective for the phosphor emission, placed between the phosphor layer and the first material which surrounds the LED die.

摘要翻译： 一种用于增加白光发光二极管（WLED）的发光效率的方法，包括在LED管芯和荧光体之间以及在所述荧光体和外部介质之间引入光学功能界面，其中所述荧光体和 LED管芯提供对由荧光体远离外部介质发出的光的反射率以及由LED管芯发射的光的透射率。 因此，WLED可以包括围绕LED管芯，荧光体层以及放置在荧光体层和第一材料之间的用于直接LED发射和反射用于荧光体发射的透明的至少一个附加层或材料的第一材料 其围绕LED管芯。

公开(公告)号：US08536618B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US12938872

申请日：2010-11-03

申请人： Jacob J. Richardson ,  Daniel B. Thompson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Maryann E. Lange

发明人： Jacob J. Richardson ,  Daniel B. Thompson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A method of fabricating a Light Emitting Diode with improved light extraction efficiency, comprising depositing a plurality of Zinc Oxide (ZnO) nanorods on one or more surfaces of a III-Nitride based LED, by growing the ZnO nanorods from an aqueous solution, wherein the surfaces are different from c-plane surfaces of III-Nitride and transmit light generated by the LED.

摘要翻译： 一种制备具有改进的光提取效率的发光二极管的方法，包括通过从水溶液中生长ZnO纳米棒，在III-氮化物基LED的一个或多个表面上沉积多个氧化锌（ZnO）纳米棒，其中 表面与III型氮化物的c面不同，透过LED产生的光。

公开(公告)号：US08481991B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US12861652

申请日：2010-08-23

申请人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

发明人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3425 ,  H01S2301/173

摘要： An epitaxial structure for a III-Nitride based optical device, comprising an active layer with anisotropic strain on an underlying layer, where a lattice constant and strain in the underlying layer are partially or fully relaxed in at least one direction due to a presence of misfit dislocations, so that the anisotropic strain in the active layer is modulated by the underlying layer.

摘要翻译： 用于基于III-Nitride的光学器件的外延结构，其包括在下层上具有各向异性应变的活性层，其中由于存在失配而使底层中的晶格常数和应变在至少一个方向上部分或完全松弛 位错，使得有源层中的各向异性应变被下层调制。

公开(公告)号：US20130168833A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13776446

申请日：2013-02-25

申请人： Hitoshi Sato ,  John F. Kaeding ,  Michael Iza ,  Benjamin A. Haskell ,  Troy J. Baker ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hitoshi Sato ,  John F. Kaeding ,  Michael Iza ,  Benjamin A. Haskell ,  Troy J. Baker ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/045 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A method for enhancing growth of device-quality planar semipolar nitride semiconductor thin films via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) by using an (Al,In,Ga)N nucleation layer containing at least some indium. Specifically, the method comprises loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 通过使用含有至少一些铟的（Al，In，Ga）N成核层，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）增强器件质量的平面半极性半导体薄膜的生长的方法。 具体地，该方法包括将衬底装载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热衬底，在加热衬底上沉积In x Ga 1-x N成核层，在半导体衬底上沉积半极性氮化物半导体薄膜 In x Ga 1-x N成核层，并在氮气过压下冷却该衬底。

公开(公告)号：US08458432B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US11622271

申请日：2007-01-11

申请人： Akiyoshi Hashimoto ,  Shuji Nakamura ,  Kazuhisa Fujimoto

发明人： Akiyoshi Hashimoto ,  Shuji Nakamura ,  Kazuhisa Fujimoto

IPC分类号： G06F13/12

CPC分类号： G06F1/3221 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0634 ,  G06F3/067 ,  G06F9/5077 ,  G06F9/5094 ,  H04L67/1097 ,  Y02D10/154 ,  Y02D10/22 ,  Y02D10/36

摘要： Provided is a computer system, in which a storage system includes a first control module for logically dividing first resources of the storage system and operating them as independent virtual storage systems. A computer includes a second control module for logically dividing second resources of the computer and operating them as independent virtual machines. The computer system holds first information indicating a correlation among the virtual machine, the virtual storage system, and the first resources. The first control module specifies the first resource allocated to the virtual storage system whose power is cut based on the first information, and powers off the specified first resource. Thus, system power consumption can be reduced by managing power of the storage system shared by a plurality of virtual machines in a virtualization environment.

摘要翻译： 提供了一种计算机系统，其中存储系统包括用于逻辑地划分存储系统的第一资源并将其作为独立的虚拟存储系统来操作的第一控制模块。 计算机包括用于逻辑地划分计算机的第二资源并将其作为独立虚拟机操作的第二控制模块。 计算机系统保存指示虚拟机，虚拟存储系统和第一资源之间的相关性的第一信息。 第一控制模块基于第一信息指定分配给其功率被切断的虚拟存储系统的第一资源，并且关闭指定的第一资源。 因此，可以通过管理由虚拟化环境中的多个虚拟机共享的存储系统的功率来降低系统功耗。