公开(公告)号：US5777066A

公开(公告)日：1998-07-07

申请号：US666182

申请日：1996-06-19

申请人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne ,  Eva Rissel

发明人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne ,  Eva Rissel

IPC分类号： C08G69/44 ,  C08G69/04 ,  C08G69/26 ,  C08G73/22 ,  C08G73/00 ,  C08G69/08

CPC分类号： C08G69/26 ,  C08G69/04 ,  C08G73/22

摘要： A method for producing poly-o-hydroxy amides by conversion of an activated dicarboxylic acid derivative with a bis-o-aminophenol. A solution of the activated dicarboxylic acid derivative is added to a solution of the bis-o-aminophenol in a lactone, and a tertiary amine is added to the resulting mixture, wherein the lactone has the following structure: ##STR1## where A is--(CR.sup.1 R.sup.2).sub.m --or--(CR.sup.3 R.sup.4).sub.n --NR.sup.5 --, R.sup.1 to R.sup.5 are independent of one another R.sup.1 and R.sup.2 are hydrogen, alkyl with 1 to 7 carbon atoms (linear or branched), --CO(CH.sub.2).sub.p CH.sub.3, or --COO(CH.sub.2).sub.p CH.sub.3, with p=0 or 1, R.sup.3 and R.sup.4 are hydrogen or alkyl with 1 to 3 carbon atoms (linear or branched), R.sup.5 is hydrogen or methyl, m is a whole number from 2 to 11, and n is a whole number from 1 to 3.

摘要翻译： 通过活性二羧酸衍生物与双邻氨基苯酚的转化制备聚邻羟基酰胺的方法。 将活化的二羧酸衍生物的溶液加入到内酯中的双邻氨基苯酚的溶液中，向所得混合物中加入叔胺，其中内酯具有以下结构：其中 A是 - （CR 1 R 2）m - 或 - （CR 3 R 4）n -NR 5 - ，R 1至R 5彼此独立地R 1，R 2是氢，具有1至7个碳原子的直链或支链烷基， pCH 3或-COO（CH 2）p CH 3，其中p = 0或1，R 3和R 4是氢或具有1至3个碳原子的直链或支链的烷基，R 5是氢或甲基，m是从2到 11，n为1〜3的整数。

公开(公告)号：US5726279A

公开(公告)日：1998-03-10

申请号：US705576

申请日：1996-08-29

申请人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne

发明人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne

IPC分类号： C08G69/26 ,  C08G69/28 ,  C08G73/06 ,  C08G73/18 ,  C08G73/22 ,  C08G75/32 ,  G03F7/023 ,  G03F7/037 ,  C08G69/08 ,  C08G73/10

CPC分类号： G03F7/0233 ,  C08G73/06 ,  C08G73/0638 ,  C08G73/0677 ,  C08G73/0683 ,  C08G73/18 ,  C08G73/22 ,  C08G75/32

摘要： In a process for the preparation of poly-o-hydroxyamides and poly-o-mercaptoamides, a bis-o-aminophenol or a bis-o-aminothiophenol is reacted with a dicarboxylic acid derivative of the following structure: ##STR1## with D=O, S, or NH and where R* is the parent body of the dicarboxylic acid and the groups R.sup.1 through R.sup.4 are H, F, CH.sub.3, or CF.sub.3 (with a maximum of two CH.sub.3 or CF.sub.3 groups).

摘要翻译： 在制备聚邻羟基酰胺和聚-O-巯基酰胺的方法中，将双邻氨基苯酚或双邻氨基苯硫酚与下列结构的二羧酸衍生物反应：具有D = O，S或NH，其中R *是二羧酸的母体，并且基团R 1至R 4是H，F，CH 3或CF 3（最多两个CH 3或CF 3基团）。

公开(公告)号：US5703186A

公开(公告)日：1997-12-30

申请号：US717652

申请日：1996-09-23

申请人： Recai Sezi ,  Horst Borndoerfer ,  Hellmut Ahne ,  Siegfried Birkle ,  Eberhard Kuehn ,  Rainer Leuschner ,  Eva Rissel ,  Michael Sebald

发明人： Recai Sezi ,  Horst Borndoerfer ,  Hellmut Ahne ,  Siegfried Birkle ,  Eberhard Kuehn ,  Rainer Leuschner ,  Eva Rissel ,  Michael Sebald

IPC分类号： C08F212/32 ,  C08F12/00 ,  C08F220/10 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  C08F222/04 ,  C08F222/08

CPC分类号： G03F7/265 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  G03F7/039

摘要： Premixed polymers which can serve as base polymers for high-resolution resists are structured from 40 to 99 mole % of a tert. butyl ester of an unsaturated carboxylic acid and 1 to 60 mole % of an anhydride of an unsaturated carboxylic acid.

摘要翻译： 可用作高分辨抗蚀剂的基础聚合物的预混合聚合物的结构为40-99摩尔％的叔丁基。 不饱和羧酸的丁酯和1〜60摩尔％的不饱和羧酸酐。

公开(公告)号：US5616667A

公开(公告)日：1997-04-01

申请号：US434955

申请日：1995-05-04

申请人： Recai Sezi ,  Horst Borndoerfer ,  Hellmut Ahne ,  Siegfried Birkle ,  Eberhard Kuehn ,  Rainer Leuschner ,  Eva Rissel ,  Michael Sebald

发明人： Recai Sezi ,  Horst Borndoerfer ,  Hellmut Ahne ,  Siegfried Birkle ,  Eberhard Kuehn ,  Rainer Leuschner ,  Eva Rissel ,  Michael Sebald

IPC分类号： C08F212/32 ,  C08F12/00 ,  C08F220/10 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/265 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  G03F7/039

摘要： New mixed polymers which can serve as base polymers for high-resolution resists are structured from 40 to 99 mole % of a tert. butyl ester of an unsaturated carboxylic acid and 1 to 60 mole % of an anhydride of an unsaturated carboxylic acid.

摘要翻译： 可用作高分辨抗蚀剂的基础聚合物的新型混合聚合物的结构为40-99摩尔％的叔丁基。 不饱和羧酸的丁酯和1〜60摩尔％的不饱和羧酸酐。

公开(公告)号：US5262283A

公开(公告)日：1993-11-16

申请号：US692364

申请日：1991-04-26

申请人： Recai Sezi ,  Horst Borndorfer ,  Eva Rissel ,  Rainer Leuschner ,  Michael Sebald ,  Hellmut Ahne ,  Siegfried Birkle

发明人： Recai Sezi ,  Horst Borndorfer ,  Eva Rissel ,  Rainer Leuschner ,  Michael Sebald ,  Hellmut Ahne ,  Siegfried Birkle

IPC分类号： G03F7/029 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/312 ,  G03C5/56

CPC分类号： G03F7/265 ,  G03F7/039

摘要： High resolution resist structures with steep edges are obtained using standard equipment, with high sensitivity, particularly in the deep UV range. A photoresist layer consisting of a polymer having anhydride groups and blocked imide- or phenolic hydroxyl groups and of a photoactive component which forms a strong acid during irradiation is first deposited on a substrate, followed by irradiation with a patterned image. The irradiated photoresist layer is then treated with a water-based or a water-alcohol-based solution of a polyfunctional amino- or hydroxy-siloxane, and is etched in an oxygen-containing plasma.

摘要翻译： 使用标准设备获得具有陡峭边缘的高分辨率抗蚀剂结构，具有高灵敏度，特别是在深紫外范围内。 由具有酸酐基和封闭的酰亚胺基或酚羟基的聚合物和在照射期间形成强酸的光活性组分组成的光致抗蚀剂层首先沉积在基底上，随后用图案化图像照射。 然后用多官能氨基或羟基 - 硅氧烷的水基或水 - 醇类溶液处理照射的光致抗蚀剂层，并在含氧等离子体中进行蚀刻。

公开(公告)号：US5171656A

公开(公告)日：1992-12-15

申请号：US556014

申请日：1990-07-20

申请人： Michael Sebald ,  Juergen Beck ,  Rainer Leuschner ,  Recai Sezi ,  Hans J. Bestmann

发明人： Michael Sebald ,  Juergen Beck ,  Rainer Leuschner ,  Recai Sezi ,  Hans J. Bestmann

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/016 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0163

摘要： Photosensitive compositions comprising a polymer and a photoactive constituent, which are able to be developed with aqueous, alkaline agents exhibit good bleaching properties in the DUV range, whereby the photoactive constituent has good solubility-inhibiting properties and does not evaporate during the drying process, when the photoactive constituent comprises diazo tetronic acid or a diazo tetronic acid derivative of the following structure: ##STR1## where the residues R are the same or different and signify H, alkyl, cycloalkyl, aryl or a silicon-containing residue.

摘要翻译： 包含能够用水性碱性试剂显影的聚合物和光活性成分的光敏性组合物在DUV范围内表现出良好的漂白性能，由此光活性成分具有良好的溶解性抑制性能，并且在干燥过程中不会蒸发， 光活性组分包括重氮四氢酸或具有以下结构的重氮四氢酸衍生物：其中残基R相同或不同并且表示H，烷基，环烷基，芳基或含硅残基。

公开(公告)号：US4812200A

公开(公告)日：1989-03-14

申请号：US166436

申请日：1988-03-10

申请人： Siegfried Birkle ,  Recai Sezi ,  Hans-Dieter Feucht ,  Rainer Leuschner

发明人： Siegfried Birkle ,  Recai Sezi ,  Hans-Dieter Feucht ,  Rainer Leuschner

IPC分类号： G03C1/72 ,  G03F7/022 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  H01L21/312 ,  B44C1/22 ,  B29C37/00 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： G03F7/0758

摘要： In generating resist structures according to bilayer technology a series of requirements is made of silicon-containing positive resists. The new method is intended to ensure, inter alia, the profile retention respectively the ability of the resist structures to maintain precise dimensions. According to the invention vinyl phenol-vinyl silane copolymers are used as resist materials.

摘要翻译： 在根据双层技术生成抗蚀剂结构的过程中，对含硅正性抗蚀剂有一系列要求。 新方法旨在确保分别保留抗蚀剂结构保持精确尺寸的能力。 根据本发明，使用乙烯基苯酚 - 乙烯基硅烷共聚物作为抗蚀材料。

公开(公告)号：US08258633B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12750969

申请日：2010-03-31

申请人： Recai Sezi ,  Thorsten Meyer

发明人： Recai Sezi ,  Thorsten Meyer

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/03442 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A polymer layer is generated on a wafer. The wafer is then separated into semiconductor chips. At least two semiconductor chips are placed on a carrier with the polymer layer facing the carrier. The at least two semiconductor chips are covered with an encapsulating material to form an encapsulant. The carrier is removed from the encapsulant, and the encapsulant and the polymer layer are thinned.

摘要翻译： 在晶片上产生聚合物层。 然后将晶片分离成半导体芯片。 将至少两个半导体芯片放置在载体上，聚合物层面向载体。 至少两个半导体芯片被封装材料覆盖以形成密封剂。 载体从密封剂中除去，密封剂和聚合物层变薄。

公开(公告)号：US20120208319A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13453787

申请日：2012-04-23

申请人： Thorsten Meyer ,  Rainer Leuschner ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Hess ,  Recai Sezi

发明人： Thorsten Meyer ,  Rainer Leuschner ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Hess ,  Recai Sezi

IPC分类号： H01L21/77 ,  B23K31/02 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

摘要： A method of manufacturing a semiconductor package includes embedding a semiconductor chip in an encapsulant. First contact pads are formed on a first main face of the semiconductor package and second contact pads are formed on a second main face of the semiconductor package opposite the first main face. A diameter d in micrometers of an exposed contact pad area of the second contact pads satisfies d≧(8/25)x+142 μm, where x is a pitch of the second contact pads in micrometers.

摘要翻译： 制造半导体封装的方法包括将半导体芯片嵌入密封剂中。 第一接触焊盘形成在半导体封装的第一主面上，并且第二接触焊盘形成在与第一主面相对的半导体封装的第二主面上。 第二接触焊盘的暴露的接触焊盘区域的直径d（以微米为单位）满足d≥（8/25）×+142μm，其中x是以微米为单位的第二接触焊盘的间距。

公开(公告)号：US08183696B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12750946

申请日：2010-03-31

申请人： Thorsten Meyer ,  Rainer Leuschner ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Hess ,  Recai Sezi

发明人： Thorsten Meyer ,  Rainer Leuschner ,  Gerald Ofner ,  Reinhard Hess ,  Recai Sezi

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

摘要： A semiconductor package includes a semiconductor chip, an encapsulant embedding the semiconductor chip, first contact pads on a first main face of the semiconductor package and second contact pads on a second main face of the semiconductor package opposite to the first main face. The diameter d in micrometers of an exposed contact pad area of the second contact pads satisfies d≧(8/25)x+142 μm, wherein x is the pitch of the second contact pads in micrometers.

摘要翻译： 半导体封装包括半导体芯片，将半导体芯片嵌入的密封剂，在半导体封装的第一主面上的第一接触焊盘和与第一主面相对的半导体封装的第二主面上的第二接触焊盘。 第二接触焊盘的暴露的接触焊盘区域的直径d（以微米为单位）满足d≥（8/25）×+142μm，其中x是以微米为单位的第二接触焊盘的间距。