公开(公告)号：US08895440B2

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：US12852433

申请日：2010-08-06

申请人： DaeSik Choi ,  Young Jin Woo ,  TaeWoo Lee

发明人： DaeSik Choi ,  Young Jin Woo ,  TaeWoo Lee

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00 ,  H01L21/78 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/14 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device has a TSV wafer and semiconductor die mounted over the TSV wafer. A channel is formed through the TSV wafer. An encapsulant is deposited over the semiconductor die and TSV wafer. Conductive TMV are formed through the encapsulant over the conductive TSV and contact pads of the semiconductor die. The conductive TMV can be formed through the channel. A conductive layer is formed over the encapsulant and electrically connected to the conductive TMV. The conductive TMV are formed during the same manufacturing process. An insulating layer is formed over the encapsulant and conductive layer. A plurality of semiconductor die of the same size or different sizes can be stacked over the TSV wafer. The plurality of semiconductor die can be stacked over opposite sides of the TSV wafer. An internal stacking module can be stacked over the semiconductor die and electrically connected through the conductive TMV.

摘要翻译： 半导体器件具有安装在TSV晶片上的TSV晶片和半导体管芯。 通过TSV晶片形成通道。 密封剂沉积在半导体管芯和TSV晶片上。 导电TMV通过半导体芯片的导电TSV和接触焊盘上的密封剂形成。 可以通过通道形成导电TMV。 导电层形成在密封剂上方并与导电TMV电连接。 导电TMV在相同的制造过程中形成。 绝缘层形成在密封剂和导电层之上。 可以在TSV晶片上堆叠相同尺寸或​​不同尺寸的多个半导体管芯。 多个半导体管芯可以堆叠在TSV晶片的相对侧上。 内部堆叠模块可以堆叠在半导体裸片上并通过导电TMV电连接。

公开(公告)号：US08853855B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13422649

申请日：2012-03-16

申请人： KyungHoon Lee ,  DaeSik Choi ,  Sooyoung Lee

发明人： KyungHoon Lee ,  DaeSik Choi ,  Sooyoung Lee

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/565 ,  H01L23/49811 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: providing a substrate; forming a conductive post on the substrate, the conductive post includes a vertical side; attaching an integrated circuit to the substrate; and forming an encapsulant including a molded cavity, the vertical side circumscribed by and exposed within the molded cavity from the encapsulant.

摘要翻译： 一种集成电路封装系统的制造方法，包括：提供基板; 在所述基板上形成导电柱，所述导电柱包括垂直侧; 将集成电路附接到所述基板; 以及形成包括模制腔的密封剂，所述垂直侧由所述密封剂限定并在所述模制腔内暴露。

公开(公告)号：US08703538B2

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：US13244262

申请日：2011-09-23

申请人： DaeSik Choi

发明人： DaeSik Choi

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: providing a package carrier; mounting an integrated circuit to the package carrier; forming an external wire on the package carrier and adjacent to the integrated circuit; forming an encapsulation on the package carrier over the external wire; and forming a hole in the encapsulation with the external wire and a portion of the package carrier exposed from the encapsulation.

摘要翻译： 一种集成电路封装系统的制造方法，包括：提供封装载体; 将集成电路安装到封装载体上; 在封装载体上形成外部导线并与集成电路相邻; 通过外部导线在封装载体上形成封装; 并在外部导线的封装中形成一个孔，并且封装载体的一部分从封装暴露出来。

公开(公告)号：US20130328220A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13494721

申请日：2012-06-12

申请人： KyungHoon Lee ,  JoungIn Yang ,  SangMi Park ,  YiSu Park ,  DaeSik Choi

发明人： KyungHoon Lee ,  JoungIn Yang ,  SangMi Park ,  YiSu Park ,  DaeSik Choi

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49827 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/014

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: providing a substrate; forming an integrated circuit device having a shaped side; mounting the integrated circuit device on the substrate; forming an encapsulation on the substrate and the integrate circuit device with the shaped side partially exposed from the encapsulation.

摘要翻译： 一种集成电路封装系统的制造方法，包括：提供基板; 形成具有成形侧的集成电路器件; 将集成电路器件安装在衬底上; 在衬底和集成电路器件上形成封装，其中成形侧部分地从封装暴露出来。

公开(公告)号：US20130328179A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13490908

申请日：2012-06-07

申请人： MinJung Kim ,  DaeSik Choi ,  MinWook Yu ,  YiSu Park

发明人： MinJung Kim ,  DaeSik Choi ,  MinWook Yu ,  YiSu Park

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: providing a package substrate having a warpage-compensation zone with a substrate-interior layer exposed from a top substrate-cover, and the warpage-compensation zone having contiguous exposed portion of the substrate-interior layer over corner portions of the package substrate; connecting an integrated circuit die to the package substrate with an internal interconnect; and forming an encapsulation over the integrated circuit die, with the encapsulation directly on the substrate-interior layer in the warpage-compensation zone.

摘要翻译： 一种制造集成电路封装系统的方法包括：提供具有翘曲补偿区域的封装基板，其具有从顶部基板盖暴露的基板内部层，并且所述翘曲补偿区域具有基板 - 在封装衬底的角部上的内层; 将集成电路管芯与内部互连连接到封装衬底; 以及在整个集成电路管芯上形成封装，其中封装直接在翘曲补偿区域中的衬底内层上。

公开(公告)号：US08603859B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US13235202

申请日：2011-09-16

申请人： DeokKyung Yang ,  DaeSik Choi

发明人： DeokKyung Yang ,  DaeSik Choi

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: providing a substrate; mounting a top integrated circuit on a first side of the substrate; mounting a bottom integrated circuit on a second side of the substrate; forming a top encapsulation over the top integrated circuit and a bottom encapsulation over the bottom integrated circuit simultaneously; and forming a bottom via through the bottom encapsulation to the substrate.

摘要翻译： 一种集成电路封装系统的制造方法，包括：提供基板; 将顶部集成电路安装在所述基板的第一侧上; 将底部集成电路安装在所述基板的第二侧上; 在顶部集成电路上形成顶部封装，同时在底部集成电路上形成底部封装; 以及通过底部封装形成底部通孔到基底。

公开(公告)号：US20130299995A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13466945

申请日：2012-05-08

申请人： KyungHoon Lee ,  JoungIn Yang ,  Sang Mi Park ,  DaeSik Choi ,  YiSu Park

发明人： KyungHoon Lee ,  JoungIn Yang ,  Sang Mi Park ,  DaeSik Choi ,  YiSu Park

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device has a substrate and insulating layer formed over a surface of the substrate. A first conductive layer is formed over the surface of the substrate. A second conductive layer is formed over an opposing surface of the substrate. A conductive via is formed through the substrate. An opening is formed in the insulating layer while leaving the first conductive layer intact. The opening narrows with a non-linear side or linear side. The opening can have a rectangular shape. A semiconductor die is mounted over the surface of the substrate. An underfill material is deposited between the semiconductor die and substrate. The opening in the insulating layer reduces a flow rate of the underfill material proximate to the opening. The flow rate of the underfill material proximate to the opening is substantially equal to a flow rate of the underfill material away from the opening.

摘要翻译： 半导体器件具有在衬底的表面上形成的衬底和绝缘层。 在衬底的表面上形成第一导电层。 在衬底的相对表面上形成第二导电层。 通过衬底形成导电通孔。 在绝缘层中形成开口，同时保持第一导电层的完整性。 开口以非线性侧面或线性侧面变窄。 开口可以具有矩形形状。 半导体管芯安装在衬底的表面上。 在半导体管芯和衬底之间沉积底部填充材料。 绝缘层中的开口减小靠近开口的底部填充材料的流速。 靠近开口的底部填充材料的流速基本上等于底部填充材料远离开口的流速。

公开(公告)号：US20130241053A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13422649

申请日：2012-03-16

申请人： KyungHoon Lee ,  DaeSik Choi ,  Sooyoung Lee

发明人： KyungHoon Lee ,  DaeSik Choi ,  Sooyoung Lee

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/565 ,  H01L23/49811 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: providing a substrate; forming a conductive post on the substrate, the conductive post includes a vertical side; attaching an integrated circuit to the substrate; and forming an encapsulant including a molded cavity, the vertical side circumscribed by and exposed within the molded cavity from the encapsulant.

摘要翻译： 一种集成电路封装系统的制造方法，包括：提供基板; 在所述基板上形成导电柱，所述导电柱包括垂直侧; 将集成电路附接到所述基板; 以及形成包括模制腔的密封剂，所述垂直侧由所述密封剂限定并在所述模制腔内暴露。

公开(公告)号：US08519544B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13570979

申请日：2012-08-09

申请人： OhHan Kim ,  SungWon Cho ,  DaeSik Choi ,  KyuWon Lee ,  DongSoo Moo

发明人： OhHan Kim ,  SungWon Cho ,  DaeSik Choi ,  KyuWon Lee ,  DongSoo Moo

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03

摘要： A semiconductor device can include a carrier substrate, and a first semiconductor die disposed on a surface of the carrier substrate. An encapsulant can be disposed over the first semiconductor die and the carrier substrate. The semiconductor device can include first vias disposed through the encapsulant as well as second vias disposed through the encapsulant to expose first contact pads. The first contact pads are on upper surfaces of the first semiconductor die. The semiconductor device can include conductive pillars that fill the first vias, and first conductive metal vias (CMVs) that fill the second vias. The conductive pillar can include a first conductive material, and the first CMVs can be in contact with the first contact pads. The semiconductor device can include a conductive layer disposed over the encapsulant. The conductive layer can electrically connect one of the first CMVs with one of the conductive pillars.

摘要翻译： 半导体器件可以包括载体衬底和设置在载体衬底的表面上的第一半导体管芯。 密封剂可以设置在第一半导体管芯和载体衬底之上。 半导体器件可以包括通过密封剂设置的第一通孔以及通过密封剂设置的第二通孔，以暴露第一接触焊盘。 第一接触垫位于第一半导体管芯的上表面上。 半导体器件可以包括填充第一通孔的导电柱和填充第二通孔的第一导电金属通孔（CMV）。 导电柱可以包括第一导电材料，并且第一CMV可以与第一接触垫接触。 半导体器件可以包括设置在密封剂上的导电层。 导电层可以将第一CMV之一与导电柱之一电连接。

公开(公告)号：US20130154107A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13326116

申请日：2011-12-14

申请人： MinJung Kim ,  DaeSik Choi ,  WonIl Kwon

发明人： MinJung Kim ,  DaeSik Choi ,  WonIl Kwon

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02175 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05601 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/0579 ,  H01L2224/058 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: providing a wafer substrate having an active side containing a contact; forming a through silicon via extending through the wafer substrate electrically connected to the contact having a via width; forming a first coupling feature extending from a top side of the through silicon via; and forming a second coupling feature on the side of the through silicon via opposite the first coupling feature.

摘要翻译： 一种集成电路封装系统的制造方法，包括：提供具有包含触点的有源侧的晶片衬底; 通过延伸通过所述晶片衬底电连接到具有通孔宽度的所述触点来形成穿硅; 形成从所述通孔硅通孔的顶侧延伸的第一耦合特征; 以及通过与所述第一耦合特征相反的方式在所述贯通硅的侧面上形成第二耦合特征。