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    Multi-direction design for bump pad structures
    51.
    发明授权
    Multi-direction design for bump pad structures 有权
    凸块结构的多方向设计

    公开(公告)号：US08546941B2

    公开(公告)日：2013-10-01

    申请号：US12700004

    申请日：2010-02-04

    申请人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Tzuan-Horng Liu

    发明人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Tzuan-Horng Liu

    IPC分类号： H01L23/48

    CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/365 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

    摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor chip having a first region and a second region; a dielectric layer formed on the first region and the second region of the semiconductor chip; a first elongated under-bump metallization (UBM) connector formed in the dielectric layer and on the first region of the semiconductor chip and having a first longer axis extending in a first direction; and a second elongated UBM connector formed in the dielectric layer on the second region of the semiconductor chip and having a second longer axis extending in a second direction. The first direction is different from the second direction.

    摘要翻译： 集成电路结构包括具有第一区域和第二区域的半导体芯片; 形成在半导体芯片的第一区域和第二区域上的电介质层; 形成在所述电介质层中且在所述半导体芯片的所述第一区域上并且具有沿第一方向延伸的第一长轴的第一细长凹凸金属化（UBM）连接器; 以及形成在所述半导体芯片的所述第二区域上的所述电介质层中并具有在第二方向上延伸的第二长轴的第二细长UBM连接器。 第一个方向与第二个方向不同。

    Through-silicon via with scalloped sidewalls
    56.
    发明授权
    Through-silicon via with scalloped sidewalls 有权
    通硅硅通孔与扇形侧壁

    公开(公告)号：US08049327B2

    公开(公告)日：2011-11-01

    申请号：US12348650

    申请日：2009-01-05

    申请人： Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ming-Fa Chen ,  Chen-Shien Chen

    发明人： Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ming-Fa Chen ,  Chen-Shien Chen

    IPC分类号： H01L23/04

    CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device having one or more through-silicon vias (TSVs) is provided. The TSVs are formed such that sidewalls of the TSVs have a scalloped surface. In an embodiment, the sidewalls of the TSVs are sloped wherein a top and bottom of the TSVs have different dimensions. The TSVs may have a V-shape wherein the TSVs have a wider dimension on a circuit side of the substrate, or an inverted V-shape wherein the TSVs have a wider dimension on a backside of the substrate. The scalloped surfaces of the sidewalls and/or sloped sidewalls allow the TSVs to be more easily filled with a conductive material such as copper.

    摘要翻译： 提供了具有一个或多个穿硅通孔（TSV）的半导体器件。 TSV形成为使得TSV的侧壁具有扇形表面。 在一个实施例中，TSV的侧壁是倾斜的，其中TSV的顶部和底部具有不同的尺寸。 TSV可以具有V形，其中TSV在衬底的电路侧具有更宽的尺寸，或者是倒V形，其中TSV在衬底的背面具有更宽的尺寸。 侧壁和/或倾斜侧壁的扇形表面允许TSV更容易地用诸如铜的导电材料填充。

    Tapered through-silicon via structure
    57.
    发明授权
    Tapered through-silicon via structure 有权
    锥形硅通孔结构

    公开(公告)号：US07816227B2

    公开(公告)日：2010-10-19

    申请号：US12495124

    申请日：2009-06-30

    申请人： Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Kai-Ming Ching ,  Chih-Hua Chen

    发明人： Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Kai-Ming Ching ,  Chih-Hua Chen

    IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An integrated circuit structure includes a substrate; a through-silicon via (TSV) in the substrate, the TSV being tapered; a hard mask region extending from a top surface of the substrate into the substrate, wherein the hard mask encircles a top portion of the TSV; dielectric layers over the substrate; and a metal post extending from a top surface of the dielectric layers to the TSV, wherein the metal post comprises same materials as the TSV.

    摘要翻译： 集成电路结构包括：基板; 在衬底中的穿硅通孔（TSV），TSV是锥形的; 从所述基板的顶表面延伸到所述基板中的硬掩模区域，其中所述硬掩模围绕所述TSV的顶部; 衬底上的介电层; 以及从电介质层的顶表面延伸到TSV的金属柱，其中金属柱包括与TSV相同的材料。