公开(公告)号：US08202800B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US13112347

申请日：2011-05-20

申请人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

发明人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a through silicon via (TSV) structure includes forming an interconnect pad over a substrate. An under layer is formed over the interconnect pad. A vertical conductive post is formed at least partially through the substrate. At least one dummy structure is formed at least partially through the under layer. A top pad is formed over the dummy structure and the vertical conductive post. The top pad covers a wider area than a cross section of the vertical conductive post. The interconnect pad is electrically connected to the top pad. The dummy structure connects the top pad and the under layer thereby fastening the top pad and the interconnect pad.

摘要翻译： 形成贯穿硅通孔（TSV）结构的方法包括在衬底上形成互连焊盘。 在互连焊盘上形成下层。 至少部分地穿过衬底形成垂直导电柱。 至少部分地通过底层形成至少一个虚拟结构。 顶部衬垫形成在虚拟结构和垂直导电柱上。 顶部焊盘覆盖比垂直导电柱的横截面更宽的区域。 互连焊盘电连接到顶部焊盘。 虚拟结构连接顶部焊盘和下层，从而紧固顶部焊盘和互连焊盘。

公开(公告)号：US08178970B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US12623925

申请日：2009-11-23

申请人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ching-Wen Hsiao

发明人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ching-Wen Hsiao

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207

摘要： A flip-chip packaging assembly and integrated circuit device are disclosed. An exemplary flip-chip packaging assembly includes a first substrate; a second substrate; and joint structures disposed between the first substrate and the second substrate. Each joint structure comprises an interconnect post between the first substrate and the second substrate and a joint solder between the interconnect post and the second substrate, wherein the interconnect post exhibits a width and a first height. A pitch defines a distance between each joint structure. The first height is less than half the pitch.

摘要翻译： 公开了一种倒装芯片封装组件和集成电路器件。 示例性的倒装芯片封装组件包括第一基板; 第二基板; 以及设置在第一基板和第二基板之间的接合结构。 每个接头结构包括在第一基板和第二基板之间的互连柱和在互连柱和第二基板之间的接合焊料，其中互连柱呈现宽度和第一高度。 间距定义每个关节结构之间的距离。 第一高度小于音高的一半。

公开(公告)号：US07969013B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12791978

申请日：2010-06-02

申请人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

发明人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A through silicon via structure includes a top pad and a vertical conductive post that is connected to the top pad. The top pad covers a wider area than the cross section of the vertical conductive post. An interconnect pad is formed at least partially below the top pad. An under layer is also formed at least partially below the top pad. At least one dummy structure connects the top pad and the under layer to fasten the top pad and the interconnect pad.

摘要翻译： 透硅通孔结构包括顶焊盘和连接到顶焊盘的垂直导电柱。 顶部焊盘覆盖比垂直导电柱的横截面更宽的区域。 互连焊盘至少部分地形成在顶部焊盘的下方。 底层也至少部分地形成在顶垫的下方。 至少一个虚拟结构连接顶部焊盘和下层以紧固顶部焊盘和互连焊盘。

公开(公告)号：US08653648B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US12245505

申请日：2008-10-03

申请人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

发明人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

IPC分类号： H01L23/04

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/19041

摘要： A system and method for forming a TSV contact is presented. A preferred embodiment includes a TSV in contact with a portion of the uppermost metal layer of a semiconductor die. The interface between the TSV conductor and the contact pad is preferably characterized by a non-planar zigzag pattern that forms a grid pattern of contacts. Alternatively, the contacts may form a plurality of metal lines that make contact with the contact pad.

摘要翻译： 提出了一种用于形成TSV触点的系统和方法。 优选实施例包括与半导体管芯的最上层金属层的一部分接触的TSV。 TSV导体和接触垫之间的界面优选地特征在于形成接触的网格图案的非平面之字形图案。 或者，触点可以形成与接触垫接触的多个金属线。

公开(公告)号：US20110068465A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12623925

申请日：2009-11-23

申请人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ching-Wen Hsiao

发明人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ching-Wen Hsiao

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207

摘要： A flip-chip packaging assembly and integrated circuit device are disclosed. An exemplary flip-chip packaging assembly includes a first substrate; a second substrate; and joint structures disposed between the first substrate and the second substrate. Each joint structure comprises an interconnect post between the first substrate and the second substrate and a joint solder between the interconnect post and the second substrate, wherein the interconnect post exhibits a width and a first height. A pitch defines a distance between each joint structure. The first height is less than half the pitch.

摘要翻译： 公开了一种倒装芯片封装组件和集成电路器件。 示例性的倒装芯片封装组件包括第一基板; 第二基板; 以及设置在第一基板和第二基板之间的接合结构。 每个接头结构包括在第一基板和第二基板之间的互连柱和在互连柱和第二基板之间的接合焊料，其中互连柱呈现宽度和第一高度。 间距定义每个关节结构之间的距离。 第一高度小于音高的一半。

公开(公告)号：US20100084747A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12245505

申请日：2008-10-03

申请人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

发明人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/19041

摘要： A system and method for forming a TSV contact is presented. A preferred embodiment includes a TSV in contact with a portion of the uppermost metal layer of a semiconductor die. The interface between the TSV conductor and the contact pad is preferably characterized by a non-planar zigzag pattern that forms a grid pattern of contacts. Alternatively, the contacts may form a plurality of metal lines that make contact with the contact pad.

摘要翻译： 提出了一种用于形成TSV触点的系统和方法。 优选实施例包括与半导体管芯的最上层金属层的一部分接触的TSV。 TSV导体和接触垫之间的界面优选地特征在于形成接触网格图案的非平面之字形图案。 或者，触点可以形成与接触垫接触的多个金属线。

公开(公告)号：US08901736B2

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US12789696

申请日：2010-05-28

申请人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Ming-Fa Chen ,  Rung-De Wang

发明人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Ming-Fa Chen ,  Rung-De Wang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12396 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552

摘要： A device includes a work piece including a metal bump; and a dielectric layer having a portion directly over the metal bump. The metal bump and a surface of the portion of the dielectric layer form an interface. A metal finish is formed over and contacting the metal bump. The metal finish extends from over the dielectric layer to below the interface.

摘要翻译： 一种装置包括：包括金属凸块的工件; 以及具有直接在金属凸块上的部分的介电层。 金属凸块和电介质层部分的表面形成界面。 在金属凸块上方形成金属涂层并与金属凸块接触。 金属表面从介电层上延伸到界面的下方。

公开(公告)号：US20110291262A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US12789696

申请日：2010-05-28

申请人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Ming-Fa Chen ,  Rung-De Wang

发明人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Ming-Fa Chen ,  Rung-De Wang

IPC分类号： H01L23/498 ,  B32B3/10 ,  B32B15/04 ,  B32B3/30

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12396 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552

摘要： A device includes a work piece including a metal bump; and a dielectric layer having a portion directly over the metal bump. The metal bump and a surface of the portion of the dielectric layer form an interface. A metal finish is formed over and contacting the metal bump. The metal finish extends from over the dielectric layer to below the interface.

摘要翻译： 一种装置包括：包括金属凸块的工件; 以及具有直接在金属凸块上的部分的介电层。 金属凸块和电介质层部分的表面形成界面。 在金属凸块上方形成金属涂层并与金属凸块接触。 金属表面从介电层上延伸到界面的下方。

公开(公告)号：US08765497B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13225113

申请日：2011-09-02

申请人： Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen

发明人： Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A method includes placing a plurality of bottom units onto a jig, wherein the plurality of bottom units is not sawed apart and forms an integrated component. Each of the plurality of bottom units includes a package substrate and a die bonded to the package substrate. A plurality of upper component stacks is placed onto the plurality of bottom units, wherein solder balls are located between the plurality of upper component and the plurality of bottom units. A reflow is performed to join the plurality of upper component stacks with respective ones of the plurality of bottom units through the solder balls.

摘要翻译： 一种方法包括将多个底部单元放置在夹具上，其中多个底部单元没有锯切并形成一个集成部件。 多个底部单元中的每一个包括封装基板和结合到封装基板的管芯。 多个上部组件堆放在多个底部单元上，其中焊球位于多个上部组件和多个底部单元之间。 执行回流以通过焊球将多个上部部件堆叠与多个底部单元中的相应的底部单元接合。

公开(公告)号：US20110241202A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US12750468

申请日：2010-03-30

申请人： Tzuan-Horng Liu ,  Shang-Yun Hou ,  Shin-Puu Jeng ,  Wei-Cheng Wu ,  Hsiu-Ping Wei ,  Chih-Hua Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen ,  Ming Hung Tseng

发明人： Tzuan-Horng Liu ,  Shang-Yun Hou ,  Shin-Puu Jeng ,  Wei-Cheng Wu ,  Hsiu-Ping Wei ,  Chih-Hua Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen ,  Ming Hung Tseng

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor chip, a metal pad at a major surface of the semiconductor chip, and an under-bump metallurgy (UBM) over and contacting the metal pad. A metal bump is formed over and electrically connected to the UBM. A dummy pattern is formed at a same level, and formed of a same metallic material, as the metal pad.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体芯片，在半导体芯片的主表面处的金属焊盘和在凸块下金属（UBM）上方并接触金属焊盘。 金属凸块形成在UBM上并与UBM电连接。 在同一水平上形成虚拟图案，并由与金属垫相同的金属材料形成。