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    GATE STRUCTURES
    2.
    发明申请
    GATE STRUCTURES 有权
    门结构

    公开(公告)号：US20120187470A1

    公开(公告)日：2012-07-26

    申请号：US13340968

    申请日：2011-12-30

    申请人： Jung-Hwan KIM ,  Sung-Ho Heo ,  Jae-Ho Choi ,  Hun-Hyeong Lim ,  Ki-Hyun Hwang ,  Woo-Sung Lee

    发明人： Jung-Hwan KIM ,  Sung-Ho Heo ,  Jae-Ho Choi ,  Hun-Hyeong Lim ,  Ki-Hyun Hwang ,  Woo-Sung Lee

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L27/11531

    摘要： A method of forming a gate structure includes forming a tunnel insulation layer pattern on a substrate, forming a floating gate on the tunnel insulation layer pattern, forming a dielectric layer pattern on the floating gate, the dielectric layer pattern including a first oxide layer pattern, a nitride layer pattern on the first oxide layer pattern, and a second oxide layer pattern on the nitride layer pattern, the second oxide layer pattern being formed by performing an anisotropic plasma oxidation process on the nitride layer, such that a first portion of the second oxide layer pattern on a top surface of the floating gate has a larger thickness than a second portion of the second oxide layer pattern on a sidewall of the floating gate, and forming a control gate on the second oxide layer.

    摘要翻译： 形成栅极结构的方法包括在衬底上形成隧道绝缘层图案，在隧道绝缘层图案上形成浮栅，在浮栅上形成电介质层图案，电介质层图案包括第一氧化层图案， 所述第一氧化物层图案上的氮化物层图案和所述氮化物层图案上的第二氧化物层图案，所述第二氧化物层图案通过在所述氮化物层上进行各向异性等离子体氧化处理而形成，使得所述第二氧化物层图案的第二部分 在浮置栅极的顶表面上的氧化物层图案具有比浮置栅极的侧壁上的第二氧化物层图案的第二部分更大的厚度，并且在第二氧化物层上形成控制栅极。

    HETEROJUNCTION STRUCTURES OF DIFFERENT SUBSTRATES JOINED AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
    6.
    发明申请
    HETEROJUNCTION STRUCTURES OF DIFFERENT SUBSTRATES JOINED AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 有权
    加工不同基板的异相结构及其制作方法

    公开(公告)号：US20120168792A1

    公开(公告)日：2012-07-05

    申请号：US13244544

    申请日：2011-09-25

    申请人： Un-Byoung KANG ,  Kwang-chul CHOI ,  Jung-Hwan KIM ,  Tae Hong MIN

    发明人： Un-Byoung KANG ,  Kwang-chul CHOI ,  Jung-Hwan KIM ,  Tae Hong MIN

    IPC分类号： H01L33/26 ,  H01L33/38

    CPC分类号： H01L33/486 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16 ,  H01L2933/0066

    摘要： In one embodiment, a heterojunction structure includes a first substrate; a second substrate comprising an electrode pad, the second substrate joined to the first substrate by an adhesive layer interposed between the first and second substrates, the first substrate and the adhesive layer having a via hole penetrating therethrough to expose a region of the electrode pad; a connection electrode disposed in the via hole and contacting the electrode pad; and an insulation layer electrically insulating the connection electrode from the first substrate. One of the first and second substrates has a thermal expansion coefficient different than a thermal expansion coefficient of the other of the first and second substrates, and at least one of the adhesive layer or the insulation layer comprises an organic material.

    摘要翻译： 在一个实施例中，异质结结构包括第一衬底; 第二基板，其包括电极焊盘，所述第二基板通过插入在所述第一和第二基板之间的粘合剂层连接到所述第一基板，所述第一基板和所述粘合剂层具有贯穿其中的通孔，以暴露所述电极焊盘的区域; 连接电极，设置在所述通孔中并与所述电极焊盘接触; 以及将连接电极与第一基板电绝缘的绝缘层。 第一和第二基板中的一个具有不同于第一和第二基板中的另一个的热膨胀系数的热膨胀系数，并且粘合剂层或绝缘层中的至少一个包括有机材料。

    SEMICONDUCTOR CHIPS AND METHODS OF FORMING THE SAME
    7.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR CHIPS AND METHODS OF FORMING THE SAME 审中-公开
    半导体器件及其形成方法

    公开(公告)号：US20120049349A1

    公开(公告)日：2012-03-01

    申请号：US13178156

    申请日：2011-07-07

    申请人： Ho-Jin LEE ,  Donghyeon JANG ,  Hogeon SONG ,  SeYoung JEONG ,  Minseung YOON ,  Jung-Hwan KIM

    发明人： Ho-Jin LEE ,  Donghyeon JANG ,  Hogeon SONG ,  SeYoung JEONG ,  Minseung YOON ,  Jung-Hwan KIM

    IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/76898

    摘要： Provided is a semiconductor chip including a back side insulation structure. The semiconductor chip may include a semiconductor layer including an active surface and an inactive surface facing each other; the insulating layer includes a first surface adjacent to the inactive surface and a second surface facing the first surface. The insulating layer is disposed on the inactive surface of the semiconductor layer. A penetrating electrode fills a hole penetrating the semiconductor layer and the insulating layer. The through electrode comprises a protrusive portion protruding from the second surface of the insulating layer.

    摘要翻译： 提供了包括背面绝缘结构的半导体芯片。 半导体芯片可以包括半导体层，其包括相互面对的有源表面和非活性表面; 绝缘层包括与非活性表面相邻的第一表面和面向第一表面的第二表面。 绝缘层设置在半导体层的非活性表面上。 穿透电极填充穿透半导体层和绝缘层的孔。 贯通电极包括从绝缘层的第二表面突出的突出部分。

    SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
    8.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20150279857A1

    公开(公告)日：2015-10-01

    申请号：US14539140

    申请日：2014-11-12

    申请人： Jung-Hwan KIM ,  Hanvit YANG ,  Jintae NOH ,  Dongchul YOO

    发明人： Jung-Hwan KIM ,  Hanvit YANG ,  Jintae NOH ,  Dongchul YOO

    IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L23/00

    CPC分类号： H01L27/11582

    摘要： Inventive concepts provide semiconductor memory devices and methods of fabricating the same. A stack structure and vertical channel structures are provided on a substrate. The stack structure includes insulating layers and gate electrodes alternately and repeatedly stacked on the substrate. A first vertical channel pattern is disposed in a lower portion of each vertical channel structure. A gate oxide layer is formed on a sidewall of the first vertical channel pattern. A recess region is formed in the substrate between the vertical channel structures. A buffer oxide layer is formed in the recess region. An oxidation inhibiting layer is provided in the substrate to surround the recess region. The oxidation inhibiting layer is in contact with the buffer oxide layer and inhibits growth of the buffer oxide layer.

    摘要翻译： 本发明的概念提供半导体存储器件及其制造方法。 堆叠结构和垂直通道结构设置在基板上。 堆叠结构包括在基板上交替重复堆叠的绝缘层和栅电极。 第一垂直通道图案设置在每个垂直通道结构的下部。 栅极氧化层形成在第一垂直沟道图案的侧壁上。 在垂直通道结构之间的衬底中形成凹陷区域。 在凹陷区域中形成缓冲氧化物层。 在基板中设置氧化抑制层以包围凹部。 氧化抑制层与缓冲氧化物层接触并抑制缓冲氧化物层的生长。