公开(公告)号：US20060049411A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10848937

申请日：2004-05-18

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven DenBaars ,  John Edmond ,  Chuck Swoboda ,  Umesh Mishra

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven DenBaars ,  John Edmond ,  Chuck Swoboda ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/465 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/105 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

摘要： A method according to the present invention for fabricating high light extraction photonic devices comprising growing an epitaxial semiconductor structure on a substrate and depositing a first mirror layer on the epitaxial semiconductor structure such that the epitaxial semiconductor structure is sandwiched between the first mirror layer and the substrate. Flip-chip mounting the epitaxial semiconductor structure, with its first mirror and substrate on a submount such that the epitaxial semiconductor device structure is sandwiched between the submount and substrate. The substrate is then removed from the epitaxial structure by introducing an etch environment to the substrate. A second mirror layer is deposited on the epitaxial semiconductor structure such that the epitaxial semiconductor structure is sandwiched between the first and second mirror layers. A device according to the present invention comprising a resonant cavity light emitting diode (RCLED) mounted to a submount.

摘要翻译： 根据本发明的用于制造高光提取光子器件的方法，包括在衬底上生长外延半导体结构并在外延半导体结构上沉积第一镜面层，使得外延半导体结构夹在第一镜面层和衬底之间 。 倒装芯片将外延半导体结构安装，其第一反射镜和衬底位于基座上，使得外延半导体器件结构夹在底座和衬底之间。 然后通过向衬底引入蚀刻环境，从衬底去除衬底。 第二镜层沉积在外延半导体结构上，使得外延半导体结构夹在第一和第二镜层之间。 根据本发明的装置包括安装到底座的谐振腔发光二极管（RCLED）。

公开(公告)号：US07332365B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US10848937

申请日：2004-05-18

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven DenBaars ,  John Edmond ,  Chuck Swoboda ,  Umesh Mishra

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven DenBaars ,  John Edmond ,  Chuck Swoboda ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/465 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/105 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

摘要： A method according to the present invention for fabricating high light extraction photonic devices comprising growing an epitaxial semiconductor structure on a substrate and depositing a first mirror layer on the epitaxial semiconductor structure such that the epitaxial semiconductor structure is sandwiched between the first mirror layer and the substrate. Flip-chip mounting the epitaxial semiconductor structure, with its first mirror and substrate on a submount such that the epitaxial semiconductor device structure is sandwiched between the submount and substrate. The substrate is then removed from the epitaxial structure by introducing an etch environment to the substrate. A second mirror layer is deposited on the epitaxial semiconductor structure such that the epitaxial semiconductor structure is sandwiched between the first and second mirror layers. A device according to the present invention comprising a resonant cavity light emitting diode (RCLED) mounted to a submount.

摘要翻译： 根据本发明的用于制造高光提取光子器件的方法，包括在衬底上生长外延半导体结构并在外延半导体结构上沉积第一镜面层，使得外延半导体结构夹在第一镜面层和衬底之间 。 倒装芯片安装外延半导体结构，其第一反射镜和衬底位于基座上，使得外延半导体器件结构夹在基座和衬底之间。 然后通过向衬底引入蚀刻环境，从衬底去除衬底。 第二镜层沉积在外延半导体结构上，使得外延半导体结构夹在第一和第二镜层之间。 根据本发明的装置包括安装到底座的谐振腔发光二极管（RCLED）。

公开(公告)号：US20070093073A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11444946

申请日：2006-06-01

申请人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： A method for growth and fabrication of semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices, comprising identifying desired material properties for a particular device application, selecting a semipolar growth orientation based on the desired material properties, selecting a suitable substrate for growth of the selected semipolar growth orientation, growing a planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer on the substrate, and growing the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures or devices on the planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer. The method results in a large area of the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices being parallel to the substrate surface.

摘要翻译： 一种用于生长和制造半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件的方法，包括鉴定特定器件应用的所需材料性质，基于所需材料性质选择半极性生长取向，选择 用于生长选择的半极性生长取向的合适底物，在衬底上生长平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层，以及生长半极（Ga，Al，In，B）N薄膜 ，平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层上的异质结构或器件。 该方法导致大面积的半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件平行于衬底表面。

公开(公告)号：US20050214992A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11123805

申请日：2005-05-06

申请人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/15 ,  H01L31/0312 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/938

摘要： A method for the fabrication of nonpolar indium gallium nitride (InGaN) films as well as nonpolar InGaN-containing device structures using metalorganic chemical vapor deposition (MOVCD). The method is used to fabricate nonpolar InGaN/GaN violet and near-ultraviolet light emitting diodes and laser diodes.

摘要翻译： 制造非极性铟镓氮（InGaN）膜以及使用金属有机化学气相沉积（MOVCD）的非极性含InGaN的器件结构的方法。 该方法用于制造非极性InGaN / GaN紫外线和近紫外发光二极管和激光二极管。

公开(公告)号：US20060278865A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11472033

申请日：2006-06-21

申请人： Michael Craven ,  Stacia Keller ,  Steven DenBaars ,  Tal Margalith ,  James Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Michael Craven ,  Stacia Keller ,  Steven DenBaars ,  Tal Margalith ,  James Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1{overscore (1)}02) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 非极性（11个（超（20）个）a面GaN层使用MOCVD在r平面（1（超芯（102））蓝宝石衬底上生长，这些非极性（11个（超（20）个a面GaN层 包括用于生产非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US20050040385A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10413690

申请日：2003-04-15

申请人： Michael Craven ,  Stacia Keller ,  Steven Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Michael Craven ,  Stacia Keller ,  Steven Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： C23C16/04 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  H01L31/072

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1{overscore (1)}02) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 非极性（11个（超（20）个）a面GaN层使用MOCVD在r平面（1（超芯（102））蓝宝石衬底上生长，这些非极性（11个（超（20）个a面GaN层 包括用于生产非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US20070111488A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11621479

申请日：2007-01-09

申请人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： A method for the fabrication of nonpolar indium gallium nitride (InGaN) films as well as nonpolar InGaN-containing device structures using metalorganic chemical vapor deposition (MOVCD). The method is used to fabricate nonpolar InGaN/GaN violet and near-ultraviolet light emitting diodes and laser diodes.

摘要翻译： 制造非极性铟镓氮（InGaN）膜以及使用金属有机化学气相沉积（MOVCD）的非极性含InGaN的器件结构的方法。 该方法用于制造非极性InGaN / GaN紫外线和近紫外发光二极管和激光二极管。

公开(公告)号：US07769066B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11600604

申请日：2006-11-15

申请人： Arpan Chakraborty ,  Monica Hansen ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  George Brandes

发明人： Arpan Chakraborty ,  Monica Hansen ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  George Brandes

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/3406

摘要： A laser diode and method for fabricating same, wherein the laser diode generally comprises an InGaN compliance layer on a GaN n-type contact layer and an AlGaN/GaN n-type strained super lattice (SLS) on the compliance layer. An n-type GaN separate confinement heterostructure (SCH) is on said n-type SLS and an InGaN multiple quantum well (MQW) active region is on the n-type SCH. A GaN p-type SCH on the MQW active region, an AlGaN/GaN p-type SLS is on the p-type SCH, and a p-type GaN contact layer is on the p-type SLS. The compliance layer has an In percentage that reduces strain between the n-type contact layer and the n-type SLS compared to a laser diode without the compliance layer. Accordingly, the n-type SLS can be grown with an increased Al percentage to increase the index of refraction. This along with other features allows for reduced threshold current and voltage operation.

摘要翻译： 一种激光二极管及其制造方法，其中激光二极管通常包括在GaN n型接触层上的InGaN柔性层和在柔性层上的AlGaN / GaN n型应变超晶格（SLS）。 n型GaN分离限制异质结构（SCH）在所述n型SLS上，并且InGaN多量子阱（MQW）有源区在n型SCH上。 在MQW有源区上的GaN p型SCH，AlGaN / GaN p型SLS在p型SCH上，p型GaN接触层在p型SLS上。 顺应层具有与不具有柔顺层的激光二极管相比，n型接触层和n型SLS之间的应变的In百分比。 因此，n型SLS可以以增加的Al百分数生长以增加折射率。 这与其他功能一起允许降低阈值电流和电压操作。

公开(公告)号：US20070252164A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11676999

申请日：2007-02-20

申请人： Hong Zhong ,  John Kaeding ,  Rajat Sharma ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  John Kaeding ,  Rajat Sharma ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L31/0236 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/778 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0075 ,  Y02E10/50

摘要： A method of fabricating an optoelectronic device, comprising growing an active layer of the device on an oblique surface of a suitable material, wherein the oblique surface comprises a facetted surface. The present invention also discloses a method of fabricating the facetted surfaces. One fabrication process comprises growing an epitaxial layer on a suitable material, etching the epitaxial layer through a mask to form the facets having a specific crystal orientation, and depositing one or more active layers on the facets. Another method comprises growing a layer of material using a lateral overgrowth technique to produce a facetted surface, and depositing one or more active layers on the facetted surfaces. The facetted surfaces are typically semipolar planes.

摘要翻译： 一种制造光电器件的方法，包括在合适材料的倾斜表面上生长所述器件的有源层，其中所述倾斜表面包括刻面。 本发明还公开了一种制造分面表面的方法。 一个制造工艺包括在合适的材料上生长外延层，通过掩模蚀刻外延层以形成具有特定晶体取向的刻面，以及在该刻面上沉积一个或多个活性层。 另一种方法包括使用横向过度生长技术生长材料层以产生刻面，以及在刻面上沉积一个或多个活性层。 分面表面通常是半极性平面。

公开(公告)号：US20070126023A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11670332

申请日：2007-02-01

申请人： Benjamin Haskell ,  Michael Craven ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin Haskell ,  Michael Craven ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。