公开(公告)号：WO2016058741A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/EP2015/069613

申请日：2015-08-27

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： PEUSER, Thomas

IPC: H05K3/34 ,  H05K1/02 ,  H01G2/08 ,  H01G4/228 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01G4/228 ,  H01G4/12 ,  H01G4/232 ,  H01G4/2325 ,  H01G4/258 ,  H01G4/30 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/06 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3426 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10174 ,  H05K2201/10757 ,  H05K2201/10909 ,  H05K2201/10946 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement. Das elektronische Bauelement 2 weist ein elektrisches Bauteil 3 mit zwei elektrischen Anschlüssen 4, 5 auf, welche jeweils an zueinander gegenüberliegenden Flächen des Bauteils ausgebildet sind. Das Bauelement weist für jeden Anschluss 4, 5 wenigstens ein elektrisch leitfähiges Anschlusselement 9, 10 mit einem Befestigungsfuß 14, 15 zum Verbinden mit einem Schaltungsträger 22 auf. Erfindungsgemäß weist das Anschlusselement 8, 9 wenigstens auf einem Abschnitt wenigstens zwei Metallschichten 10, 11, 12, 13 auf, wobei die Metallschichten jeweils aus zueinander verschiedenen Metallen gebildet und miteinander stoffschlüssig verbunden sind. Bevorzugt weist eine Metallschicht 12, 13 der Metallschichten eine größere thermische Leitfähigkeit auf als die andere Metallschicht 10, 11.

Abstract translation: 本发明涉及一种电子装置。 电子部件2具有电动部件3与分别形成于所述部件的彼此相对的面上的两个电端子4,5，。 该装置包括，对每个终端4，图5，至少一个导电连接元件9，10的固定脚14，15，用于连接到电路基板22。 根据本发明的至少两个金属层10，11，12，13的至少一个部分，其中所述金属层分别由相互不同的金属形成，且彼此键合的连接元件8,9。 优选地，金属层12，金属层13具有比其他金属层更大的热导率10 11

公开(公告)号：WO2007138922A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：PCT/JP2007/060423

申请日：2007-05-22

Applicant: 日本電気株式会社 ,  NECエレクトロニクス株式会社 ,  曽川 禎道 ,  山崎 隆雄 ,  高橋 信明

Inventor： 曽川 禎道 ,  山崎 隆雄 ,  高橋 信明

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/49866 ,  H01L21/563 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/115 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3651 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　従来のＣｕやＮｉ、ＮｉＰなどのＵＢＭでは電子部品を長期間、高温状態で保持することにより、ＵＢＭのバリア性が破壊されたり、接合界面に脆弱な合金層が形成されるために接合強度が低下するという問題があった。本発明ではこのような高温保管後にハンダ接合部の長期接続信頼性が低下する問題を改善する。 　基板上又は半導体素子上に設けられた電極パッドと、電極パッドを覆うように設けられたバリアメタル層とを有し、バリアメタル層は、電極パッドに接する側と反対側に１５～６０ａｔ％のＣｕ及び４０～８５ａｔ％のＮｉを含むＣｕＮｉ系合層を有することを特徴とする電子部品。

Abstract translation: 在诸如Cu，Ni和NiP的常规UBM中存在由于长期在高温状态下保持电子元件而使UBM的阻挡特性被破坏的问题，并且由于 以在接合界面上形成脆性合金层。 提高了高温保存后焊接部的长期连接可靠性恶化的问题。 电子部件设置有布置在基板或半导体元件上的电极焊盘和布置成覆盖电极焊盘的阻挡金属层。 阻挡金属层具有在与电极焊盘接触的一侧相反一侧的CuNi合金层，其包含15-60at％的Cu和40-85at％的Ni。

公开(公告)号：WO2015107290A2

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/FR2015050052

申请日：2015-01-09

Applicant: COMMISSARIAT L ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Inventor： DEGUET CHRYSTEL ,  FOURNEL FRANK ,  MORICEAU HUBERT ,  SANCHEZ LOIC

IPC: H01L21/58

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/0519 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75841 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80019 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/802 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80385 ,  H01L2224/80424 ,  H01L2224/80444 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2924/05442 ,  H01L21/78

Abstract: This process comprises: placing (70) chips in preset locations by attracting a transfer layer of the chip using a pad, the attractive force between the transfer layer and the pad being a force chosen from the group composed of a magnetic force, an electrostatic force and an electromagnetic force; and bonding (74) the chips thus placed on respective receiving zones of an active side of a receiver substrate, this bonding comprising: preparing (30, 62, 72) bonding sides of the chips and the receiving zones so that they are able to bond without adhesive, then in step c), bringing (78) each bonding side into direct contact with its respective receiving zone and thus bonding the chips to the receiver substrate without adhesive.

Abstract translation: 该方法包括：通过使用焊盘吸引芯片的转移层来将（70）芯片放置在预设位置，转移层和焊盘之间的吸引力是从由磁力，静电力 和电磁力; 并且将由此放置在接收器基板的有源侧的相应接收区上的芯片接合（74），该接合包括：准备（30,62,72）将芯片和接收区域粘合在一起，使得它们能够结合 没有粘合剂，然后在步骤c）中，使（78）每个粘合侧与其相应的接收区域直接接触，并且因此将芯片粘合到接收器基底而没有粘合剂。