公开(公告)号：WO2014088966A2

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/US2013/072675

申请日：2013-12-02

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： UZOH, Cyprian, Emeka

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

摘要： A microelectronic assembly includes a first substrate having a surface and a first conductive element and a second substrate having a surface and a second conductive element. The assembly further includes an electrically conductive alloy mass joined to the first and second conductive elements. First and second materials of the alloy mass each have a melting point lower than a melting point of the alloy. A concentration of the first material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the first conductive element to a relatively lower amount toward the second conductive element, and a concentration of the second material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the second conductive element to a relatively lower amount toward the first conductive element.

摘要翻译： 微电子组件包括具有表面和第一导电元件的第一基板和具有表面和第二导电元件的第二基板。 组件还包括连接到第一和第二导电元件的导电合金块。 合金质量的第一和第二材料的熔点低于合金的熔点。 第一材料的浓度在朝向第一导电元件设置的位置处的相对较高的量的浓度变化到朝向第二导电元件的相对较低的量，并且第二材料的浓度在浓度上从相对较高的量在 朝向第二导电元件朝向第一导电元件朝向相对较小的量设置的位置。

公开(公告)号：WO2012170129A2

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：PCT/US2012/036401

申请日：2012-05-03

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC. ,  WOOD, Alan, G. ,  IRELAND, Philip, J.

发明人： WOOD, Alan, G. ,  IRELAND, Philip, J.

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941

摘要： Some embodiments include methods of forming interconnects through semiconductor substrates. An opening may be formed to extend partway through a semiconductor substrate, and part of an interconnect may be formed within the opening. Another opening may be formed to extend from a second side of the substrate to the first part of the interconnect, and another part of the interconnect may be formed within such opening. Some embodiments include semiconductor constructions having a first part of a through-substrate interconnect extending partially through a semiconductor substrate from a first side of the substrate; and having a second part of the through-substrate interconnect extending from a second side of the substrate and having multiple separate electrically conductive fingers that all extend to the first part of the interconnect.

摘要翻译： 一些实施例包括通过半导体衬底形成互连的方法。 可以形成开口以在半导体衬底的中途延伸，并且可以在开口内形成一部分互连。 另一个开口可以形成为从基板的第二侧延伸到互连的第一部分，并且互连的另一部分可以形成在该开口内。 一些实施例包括半导体结构，其具有从衬底的第一侧部分延伸穿过半导体衬底的穿透衬底互连件的第一部分; 并且具有从所述衬底的第二侧延伸的所述贯通衬底互连件的第二部分，并且具有全部延伸到所述互连件的第一部分的多个分离的导电指状物。

公开(公告)号：WO2012066803A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：PCT/JP2011/059511

申请日：2011-04-18

申请人： 三菱電機株式会社 ,  大津 健嗣 ,  楠 卓 ,  山田 朗 ,  黒岩 丈晴 ,  多留谷 政良

发明人： 大津　健嗣 ,  楠　卓 ,  山田　朗 ,  黒岩　丈晴 ,  多留谷　政良

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/0485 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/0517 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05179 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00

摘要： 　半導体素子が高温、特に１７５℃以上で動作した場合にも、半導体素子と金属ナノ粒子焼結層とが、十分長時間安定に密着することができる電極を有する半導体素子を得ることを目的としている。　半導体素子構造部の少なくとも一方の面側に形成され、Ｎｉを含むＮｉ含有金属層（４）と、Ｎｉ含有金属層（４）における半導体素子構造部と反対側よりも外側に形成されたＮｉバリア金属層（５）と、Ｎｉバリア金属層（５）における半導体素子構造部と反対側よりも外側に形成され、金属ナノ粒子焼結層（９）に接続する表面金属層（６）と、を備えた電極を有し、Ｎｉバリア金属層（５）は、Ｎｉが表面金属層（６）への拡散を低減する金属を含んだものである。

摘要翻译： 本发明的目的是实现一种具有电极的半导体元件，即使在半导体元件在高温下工作的情况下，半导体元件和金属纳米颗粒烧结层之间能够在足够长的时间内能够保持紧密的粘附， 特别是在175℃以上。 半导体元件包括设置有：含Ni金属层（4）的电极，其形成在半导体元件结构部分的至少一个表面上并且包含Ni; 形成在所述含Ni金属层（4）的表面的外侧的Ni阻挡金属层（5），所述表面位于所述半导体元件结构部侧面的背面。 以及在所述Ni阻挡金属层（5）的表面的外侧形成的表面金属层（6），所述表面位于所述半导体元件结构部侧表面的背面，并与金属纳米粒子烧结层 （9）。 Ni阻挡金属层（5）含有减少Ni向表面金属层（6）的扩散的金属。

公开(公告)号：WO2010114687A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：PCT/US2010/027056

申请日：2010-03-11

申请人： MEGICA CORPORATION ,  LIN, Mou-Shiung ,  LEE, Jin-Yuan ,  LO, Hsin-Jung ,  YANG, Ping-Jung ,  LIU, Te-Sheng

发明人： LIN, Mou-Shiung ,  LEE, Jin-Yuan ,  LO, Hsin-Jung ,  YANG, Ping-Jung ,  LIU, Te-Sheng

IPC分类号： G01L7/00 ,  G06F19/00

CPC分类号： G06F1/16 ,  G11C5/147 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/50 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6666 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03612 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4918 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92127 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/85 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/07025 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/0231

摘要： Integrated circuit chips and chip packages are disclosed that include an over-passivation scheme at a top of the integrated circuit chip and a bottom scheme at a bottom of the integrated circuit chip using a top post-passivation technology and a bottom structure technology. The integrated circuit chips can be connected to an external circuit or structure, such as ball-grid-array (BGA) substrate, printed circuit board, semiconductor chip, metal substrate, glass substrate or ceramic substrate, through the over-passivation scheme or the bottom scheme. Related fabrication techniques are described.

摘要翻译： 公开了集成电路芯片和芯片封装，其包括在集成电路芯片的顶部处的过钝化方案，以及使用顶部后钝化技术和底部结构技术的集成电路芯片的底部的底部方案。 集成电路芯片可以通过过钝化方案或者通过钝化方案连接到外部电路或结构，例如球栅阵列（BGA）衬底，印刷电路板，半导体芯片，金属衬底，玻璃衬底或陶瓷衬底 底部方案。 描述了相关的制造技术。

公开(公告)号：WO2010024932A3

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：PCT/US2009004916

申请日：2009-08-29

申请人： GLOBALFOUNDRIES INC ,  MEYER ANDREAS ,  LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK

发明人： MEYER ANDREAS ,  LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK

IPC分类号： H01L23/24 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L21/56 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/02 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

摘要： The wire bond structure of sophisticated metallization systems, for instance based on copper, may be provided without a terminal aluminum layer and without any passivation layers for exposed copper surfaces (212S) by providing a fill material (250) after the wire bonding process in order to encapsulate at least the sensitive metal surfaces (212S) and a portion of the bond wire (230). Hence, significant cost reduction, reduced cycle times and a reduction of the required process steps may be accomplished independently from the wire bond materials used. Thus, integrated circuits requiring a sophisticated metallization system may be connected by wire bonding to the corresponding package (260) or carrier substrate with a required degree of reliability based on a corresponding fill material (250) for encapsulating at least the sensitive metal surfaces (212S).

摘要翻译： 通过在引线接合工艺之后提供填充材料（250），可以提供例如基于铜的精密金属化系统的引线接合结构，而无需端子铝层并且没有用于暴露的铜表面（212S）的任何钝化层 以封装至少敏感金属表面（212S）和一部分键合线（230）。 因此，显着的成本降低，减少的循环时间和所需的工艺步骤的减少可独立于所使用的丝焊材料来实现。 因此，基于用于封装至少敏感金属表面（212S）的相应填充材料（250），需要精密金属化系统的集成电路可以通过引线接合与具有所需可靠程度的可靠程度的相应封装（260） ）。

公开(公告)号：WO2010035401A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：PCT/JP2009/004057

申请日：2009-08-24

申请人： パナソニック株式会社 ,  興梠隼人 ,  樋野村徹 ,  西村淳

发明人： 興梠隼人 ,  樋野村徹 ,  西村淳

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81122 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/013

摘要： 　電子デバイス及びその製造において、直接的に最適なアライメント位置を検出する。 　電子デバイス（１００）は、第１基板（Ｗｆ１）と、第１基板（Ｗｆ１）を搭載し且つ少なくとも一つの所定領域において第１基板（Ｗｆ１）と電気的に接続された第２基板（Ｗｆ２）とを備える。所定領域は、第１基板（Ｗｆ１）を貫通する少なくとも２つの貫通ビア（１１０）と、第２基板（Ｗｆ２）に設けられた配線（２１３）とを有し、少なくとも２つの貫通ビア（１１０）は、配線（２１３）を介して電気的に接続された少なくとも一つの接続対を有している。

摘要翻译： 提供一种电子设备和用于制造电子设备的方法，其中直接检测最佳对准位置。 电子设备（100）具有第一基板（Wf1）和第二基板（Wf2），其具有安装在其上的第一基板（Wf1），并且在至少一个预定区域中电连接到第一基板（Wf1） 。 预定区域具有穿过第一基板（Wf1）的至少两个通孔（110）和布置在第二基板（Wf2）上的布线）。 至少两个通孔（110）具有与其间的布线（213）电连接的至少一个连接对。

公开(公告)号：WO2005094515A3

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：PCT/US2005009823

申请日：2005-03-23

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INC ,  LI LEI ,  HORTALEZA EDGARDO R

发明人： LI LEI ,  HORTALEZA EDGARDO R

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/66 ,  H01L23/485 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00

摘要： A metal structure for a contact pad of an integrated circuit (IC), which has copper interconnecting metallization (311). A portion (301) of this metallization is exposed to provide a contact pad to the IC. A conductive barrier layer (330) is positioned on the exposed portion of the copper metallization. A plug (350) of bondable metal, preferably aluminum between about 0.4 and 1.4 µm thick, is positioned on the barrier layer. A protective overcoat layer (320) surrounds the plug and has a thickness (320b) so that the exposed surface (322) of the plug lies at or below the exposed surface (320a) of the overcoat layer. Optionally, a portion (321) of the overcoat layer between about 0.1 and 0.3µm wide may overlap the perimeter of the plug.

摘要翻译： 一种用于集成电路（IC）的接触焊盘的金属结构，其具有铜互连金属化（311）。 暴露该金属化部分（301）以向IC提供接触焊盘。 导电阻挡层（330）位于铜金属化的暴露部分上。 位于阻挡层上的可接合金属的塞（350），优选约0.4至1.4μm厚的铝。 保护性外涂层（320）围绕塞子并具有厚度（320b），使得塞子的暴露表面（322）位于外涂层的暴露表面（320a）处或下方。 任选地，外涂层的大约0.1-0.3μm宽的部分（321）可以与插塞的周边重叠。

公开(公告)号：WO2004001814A3

公开(公告)日：2004-04-15

申请号：PCT/US0318669

申请日：2003-06-13

申请人： INTEL CORP

发明人： FISCHER PAUL ,  BOARDMAN JAMES ,  MILLER ANNE

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/12 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： The present invention includes a method of providing a first substrate; forming an insulator over the first substrate; forming an opening in the insulator; forming a conductor over the insulator and in the opening; removing the conductor over the insulator with a first chemical-mechanical polish process to leave the conductor in the opening; and reducing thickness of the insulator with a second chemical-mechanical process to permit the conductor in the opening to protrude. The present invention further includes a structure having such a conductor that protrudes.

摘要翻译： 本发明包括提供第一基板的方法; 在所述第一基板上形成绝缘体; 在绝缘体中形成开口; 在绝缘体和开口中形成导体; 用第一化学机械抛光工艺去除绝缘体上的导体以将导体留在开口中; 以及通过第二化学机械工艺减小绝缘体的厚度，以允许开口中的导体突出。 本发明还包括具有突出的这种导体的结构。

公开(公告)号：WO01086720A1

公开(公告)日：2001-11-15

申请号：PCT/EP2001/005155

申请日：2001-05-07

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/45099

摘要： The invention relates to a contact connector which forms an electrical contact between the wiring and the connecting wires on the semiconductor component. According to the invention, the contact connector has the advantage that, even when the second electrical conducting element is damaged during the bonding or the application of measuring needles, this does not lead to damage to the first electrical conducting element, due to the fact that the vertical projection of the bonding surface on the first insulation, in which the first electrical conducting element is embedded, is arranged next to the first electrical conducting element and thus the first electrical conducting element is not cut as the pressure of the measuring needles or the pressure occurring during the bonding process is taken by the first insulation.

摘要翻译： 根据本发明的接触端子，使配线和半导体器件上的键合线之间的电接触。 根据本发明的接触端子的优点在于，即使是在与键合或测量引脚连接到第二导电元件的损伤的位置连接，这不会导致所述第一导电元件的损坏。 通过在第一绝缘接合区域，其中，所述第一导电构件被嵌入，的垂直投影布置成邻近所述第一导电构件，从而所述第一导电部件不切割，测量针的压力或事实 加入到第一绝缘层的键合过程压力时发生。

公开(公告)号：WO2015128399A2

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/EP2015053984

申请日：2015-02-26

申请人： COMMISSARIAT L ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

发明人： GONDCHARTON PAUL ,  BENAISSA LAMINE ,  IMBERT BRUNO ,  MORICEAU HUBERT

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/98 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/185 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/80055 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8092 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00012

摘要： Process for producing a structure by direct adhesive bonding of two elements comprising the production of the elements to be assembled and the assembly of said elements, in which the production of the elements to be assembled comprises the steps: - deposition on a substrate of a TiN layer by physical vapour deposition, - deposition of a copper layer on the TiN layer, and in which the assembly of said elements comprises the steps: - polishing the surfaces of the copper layers intended to come into contact so that they have a roughness of less than 1 nm RMS and hydrophilic properties, - bringing said surfaces into contact, - storing said structure at atmospheric pressure and at ambient temperature.

摘要翻译： 用于通过直接粘合两种元件来生产结构的方法，包括要组装的元件的生产和所述元件的组装，其中要组装的元件的生产包括以下步骤： - 沉积在TiN的基底上 层，通过物理气相沉积， - 在TiN层上沉积铜层，并且其中所述元件的组件包括以下步骤： - 抛光用于接触的铜层的表面，使得它们具有较小的粗糙度 超过1nm的RMS和亲水性， - 使所述表面接触， - 在大气压和环境温度下储存所述结构。