公开(公告)号：WO2013161891A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/JP2013/062100

申请日：2013-04-24

Applicant: 須賀 唯知 ,  ボンドテック株式会社

Inventor： 須賀　唯知 ,  山内　朗

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L25/0652 ,  B23K31/02 ,  B23K37/00 ,  B23K37/0408 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/10 ,  H01L23/10 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/74 ,  H01L24/742 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/0615 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27823 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8022 ,  H01L2224/8023 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83234 ,  H01L2224/83355 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】接合界面に樹脂などの望ましくない残存物を残さないようにして、チップとウエハとの間又は積層された複数のチップ間の電気的接続を確立し機械的強度を上げる、ウエハ上にチップを効率よく接合する技術を提供すること。 【解決手段】金属領域を有するチップ側接合面を有する複数のチップを、複数の接合部を有する基板に接合する方法が、チップ側接合面の金属領域を、表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ１）と、基板の接合部を表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ２）と、表面活性化処理されかつ親水化処理された複数のチップを、それぞれ、チップの金属領域が基板の接合部に接触するように、表面活性化処理されかつ親水化処理された基板の対応する接合部上に取り付けるステップ（Ｓ３）と、基板と基板上に取り付けられた複数のチップとを含む構造体を加熱するステップ（Ｓ４）とを備える。

Abstract translation: [问题]提供一种用于将晶片高效地接合到晶片而不在接合界面上留下不需要的残留物（例如树脂）的技术，建立芯片和晶片之间或多个分层芯片之间的电连接并增加机械强度。 [解决方案]本发明的用于将包含金属区域的芯片侧接合表面的多个芯片接合到包括多个接合部分的基板的本发明的方法具有以下步骤：（S1）其中芯片的金属区域 接合表面进行表面活化处理和亲水化处理; 步骤（S2），其中对所述基板的接合部进行表面活化处理和亲水化处理; 已经进行表面活化处理和亲水化处理的多个芯片中的每一个被附着到已进行了表面活化处理和亲水化处理的基板上的相应接合部分的步骤（S3） 处理，使得芯片的金属区域与基板的接合部分接触; 以及步骤（S4），其中包括基板和附接到基板的多个芯片的结构被加热。

公开(公告)号：WO2014110013A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：PCT/US2014/010442

申请日：2014-01-07

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： CHENG, Tien-Jen ,  FAROOQ, Mukta, G. ,  FITZSIMMONS, John, A.

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L23/488 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/03829 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552

Abstract: The present invention provides a stabilized fine textured metal microstructure that constitutes a durable activated surface 310 usable for bonding a 3D stacked chip. A fine-grain layer that resists self anneal enables metal to metal bonding at moderate time and temperature and wider process flexibility.

Abstract translation: 本发明提供一种稳定的细纹理金属微结构，其构成可用于结合3D堆叠芯片的耐久的活化表面310。 抵抗自退火的细晶粒层可以在适度的时间和温度下实现金属与金属的接合，并具有更宽的工艺灵活性。

公开(公告)号：WO2015107290A2

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/FR2015050052

申请日：2015-01-09

Applicant: COMMISSARIAT L ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Inventor： DEGUET CHRYSTEL ,  FOURNEL FRANK ,  MORICEAU HUBERT ,  SANCHEZ LOIC

IPC: H01L21/58

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/0519 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75841 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80019 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/802 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80385 ,  H01L2224/80424 ,  H01L2224/80444 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2924/05442 ,  H01L21/78

Abstract: This process comprises: placing (70) chips in preset locations by attracting a transfer layer of the chip using a pad, the attractive force between the transfer layer and the pad being a force chosen from the group composed of a magnetic force, an electrostatic force and an electromagnetic force; and bonding (74) the chips thus placed on respective receiving zones of an active side of a receiver substrate, this bonding comprising: preparing (30, 62, 72) bonding sides of the chips and the receiving zones so that they are able to bond without adhesive, then in step c), bringing (78) each bonding side into direct contact with its respective receiving zone and thus bonding the chips to the receiver substrate without adhesive.

Abstract translation: 该方法包括：通过使用焊盘吸引芯片的转移层来将（70）芯片放置在预设位置，转移层和焊盘之间的吸引力是从由磁力，静电力 和电磁力; 并且将由此放置在接收器基板的有源侧的相应接收区上的芯片接合（74），该接合包括：准备（30,62,72）将芯片和接收区域粘合在一起，使得它们能够结合 没有粘合剂，然后在步骤c）中，使（78）每个粘合侧与其相应的接收区域直接接触，并且因此将芯片粘合到接收器基底而没有粘合剂。

公开(公告)号：WO2013080790A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：PCT/JP2012/079463

申请日：2012-11-14

Applicant: 株式会社フジクラ

Inventor： 糸井　和久 ,  岡本　誠裕

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K3/10 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/11418 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13316 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73201 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80903 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8349 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0207 ,  H05K1/186 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4614 ,  H05K2201/0969 ,  H05K2201/10674 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/069 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/32 ,  H01L2924/00

Abstract: 部品内蔵基板実装体（１００）は、部品内蔵基板（１）と、これが実装された実装基板（２）とからなる。部品内蔵基板（１）は、第２～第４プリント配線基材（２０）～（４０）及びカバーレイフィルム（３）を熱圧着により一括積層した構造を備える。第２プリント配線基材（２０）の第２樹脂基材（２１）に形成された開口部（２９）内には、電子部品（９０）の裏面（９１ａ）と導熱層（２３Ａ）とが密着し、且つ孔部（２３Ｂ）を介して接着層（９）により固定された状態で内蔵されている。第４プリント配線基材（４０）の実装面（２ａ）側にはバンプ（４９）が形成されている。電子部品（９０）の裏面（９１ａ）に接する導熱層（２３Ａ）やサーマルビア（２４）を介して、各層のサーマルビア及びサーマル配線を通り、バンプ（４９）から実装基板（２）に電子部品（９０）の熱が伝わって、実装基板（２）にて放熱される。

Abstract translation: 具有嵌入式组件（100）的板的封装包括具有嵌入式组件（1）的板和安装板（2），安装有嵌入式组件的板。 具有嵌入式部件（1）的电路板具有通过热压接而将第二至第四印刷布线基板（20-40）和盖板（3）层叠在封装中的结构。 在形成在第二印刷布线基板（20）的第二树脂基板（21）上的开口部（29）的内部，电子部件（90）的背面（91a）和导热层（23A） 通过其间具有孔（23B）的粘合层（9）嵌入固定状态。 在第四印刷布线基板（40）的安装表面（2a）侧形成有凸起（49）。 来自电子部件（90）的热：经由热通孔（24）和与电子部件的背面（91a）接触的导热层（23A）穿过各层的热通孔和热布线（ 90）; 从凸块（49）传送到安装板（2）; 并通过安装板（2）消散。

公开(公告)号：WO2013046680A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/JP2012/006170

申请日：2012-09-27

Applicant: 三洋電機株式会社

Inventor： 齋藤　浩一 ,  中里　真弓 ,  岡山　芳央

IPC: H01L21/52 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K1/20 ,  B23K20/00 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/32

CPC classification number: H05K1/111 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/85 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08168 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H05K2203/049 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　本発明のある態様の回路装置５０は、セラミック基板５２と、セラミック基板５２の一方の面に設けられた第１の導電パターン５３と、セラミック基板５２の他方の面に設けられたＣｕを主成分とする第２の導電パターン５４と、第２の導電パターン５４を構成するアイランド５６の上に設けられた半導体素子５５と、を備える。半導体素子５５には、Ｃｕを主成分とする最表面を有する電極が設けられ、アイランド５６と電極の界面は、固相接合により直接固着されている。

Abstract translation: 本发明的一个实施例的电路器件（50）包括陶瓷衬底（52），设置在陶瓷衬底（52）的一个表面上的第一导电图案（53），具有Cu的第二导电图案 设置在陶瓷基板（52）的另一个表面上的主要部件以及设置在构成第二导电图案（54）的岛状物（56）上的半导体元件（55）。 在半导体元件（55）上设置具有以Cu为主成分的最外层的电极，通过固相键直接粘接岛（56）与电极的界面。

公开(公告)号：WO2013021251A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/IB2012/001482

申请日：2012-07-31

Applicant: SOITEC ,  NGUYEN, Bich-Yen ,  SADAK, Mariam

Inventor： NGUYEN, Bich-Yen ,  SADAK, Mariam

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L25/50 ,  G02B6/43 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/802 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06534 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods of forming bonded semiconductor structures include providing a substrate structure including a relatively thin layer (102) of material on a thicker substrate body (104), and forming a plurality of through wafer interconnects (112) through the thin layer of material. A first semiconductor structure (132A-132F)may be bonded over the thin layer of material, and at least one conductive feature (134) of the first semiconductor structure may be electrically coupled with at least one of the through wafer interconnects. A transferred layer of material (212) may be provided over the first semiconductor structure on a side thereof opposite the first substrate structure, and at least one of an electrical interconnect (302), an optical interconnect (402), and a fluidic interconnect (504) may be formed in the transferred layer of material. A second semiconductor structure (322,422) may be provided over the transferred layer of material on a side thereof opposite the first semiconductor structure. Bonded semiconductor structures are fabricated using such methods.

Abstract translation: 形成键合的半导体结构的方法包括在较厚的衬底主体（104）上提供包括相对较薄的材料层（102）的衬底结构，以及通过薄的材料层形成多个通过晶片的互连（112）。 第一半导体结构（132A-132F）可以结合在材料的薄层上，并且第一半导体结构的至少一个导电特征（134）可以与透晶片互连中的至少一个电耦合。 转移的材料层（212）可以在第一半导体结构的与第一衬底结构相对的一侧上提供，并且电互连（302），光学互连（402）和流体互连（ 504）可以形成在转移的材料层中。 第二半导体结构（322,422）可以设置在与第一半导体结构相对的一侧上的转移的材料层上。 使用这种方法制造粘合的半导体结构。

公开(公告)号：WO2011132630A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/JP2011/059498

申请日：2011-04-18

Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  野田 英之 ,  宇佐美 光雄 ,  寺崎 聡史

Inventor： 野田　英之 ,  宇佐美　光雄 ,  寺崎　聡史

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  H01L21/52 ,  H01L23/12

CPC classification number: G06K19/07745 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/80085 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80205 ,  H01L2224/80411 ,  H01L2224/80439 ,  H01L2224/80444 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80455 ,  H01L2224/80466 ,  H01L2224/83085 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 　経済性を重視するためには、ＩＣチップの小型化が必要である。しかし、ＩＣチップの小型化に伴い、要求される位置決めに精度が高くなり、位置決め装置のコストが高くなる。半導体基板より大きいサイズに生成された液滴を半導体搭載基板上に付着し、当該液滴上に半導体基板を付着させることにより半導体装置を製造する。液滴に付着された半導体基板は、液滴の蒸発と共に親水領域に誘導され、自己整合的に位置決めされる。

Abstract translation: 为了强调经济性，IC芯片需要减小。 然而，随着IC芯片的尺寸减小，所需的定位精度增加，从而增加了定位装置成本。 在所公开的制造方法中，如下制造半导体器件：将大于半导体衬底的液滴粘附到半导体安装衬底，然后将半导体衬底粘附到所述液滴。 当液滴蒸发时，粘附到其上的半导体衬底被拉伸到亲水区域并且以自对准的方式定位。