公开(公告)号：WO2012034052A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：PCT/US2011/051058

申请日：2011-09-09

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  ATI TECHNOLOGIES ULC ,  SU, Michael, Z. ,  REFAI-AHMED, Gamal ,  BLACK, Bryan

Inventor： SU, Michael, Z. ,  REFAI-AHMED, Gamal ,  BLACK, Bryan

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/24 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/166 ,  H01L2924/167 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of manufacturing is provided that includes providing a semiconductor chip (105) with an insulating layer (185). The insulating layer includes a trench (190). A second semiconductor chip (110) is stacked on the first semiconductor chip to leave a gap. A polymeric filler (187) is placed in the gap wherein a portion of the polymeric filler is drawn into the trench.

Abstract translation: 提供一种制造方法，其包括提供具有绝缘层（185）的半导体芯片（105）。 绝缘层包括沟槽（190）。 第二半导体芯片（110）堆叠在第一半导体芯片上以留下间隙。 将聚合物填料（187）放置在间隙中，其中一部分聚合物填料被拉入沟槽。

公开(公告)号：WO2012034034A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：PCT/US2011/051027

申请日：2011-09-09

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  ATI TECHNOLOGIES ULC ,  BLACK, Bryan ,  SU, Michael, Z. ,  REFAI-AHMED, Gamal ,  SIEGEL, Joe ,  PREJEAN, Seth

Inventor： BLACK, Bryan ,  SU, Michael, Z. ,  REFAI-AHMED, Gamal ,  SIEGEL, Joe ,  PREJEAN, Seth

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: A semiconductor chip with conductive vias and a method of manufacturing the same are disclosed. The method includes forming a first plurality of conductive vias (115, 120, 125) in a layer (80) of a first semiconductor chip (15). The first plurality of conductive vias includes first ends (127) and second ends (129). A first conductor pad (65) is formed in ohmic contact with the first ends (127) of the first plurality of conductive vias.

Abstract translation: 公开了一种具有导电孔的半导体芯片及其制造方法。 该方法包括在第一半导体芯片（15）的层（80）中形成第一多个导电通孔（115,120,125）。 第一多个导电通孔包括第一端（127）和第二端（129）。 第一导体焊盘（65）与第一多个导电通孔的第一端（127）欧姆接触形成。

公开(公告)号：WO2011084362A3

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：PCT/US2010059981

申请日：2010-12-11

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES INC ,  SU MICHAEL Z

Inventor： SU MICHAEL Z

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/42

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/54 ,  H01L23/055 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Various methods and apparatus for establishing thermal pathways for a semiconductor device using solder-type thermal material (90) are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes providing a first semiconductor chip (20) that has a substrate and a first active circuitry portion (40) extending a first distance into the substrate. A barrier (135),which inhibits the diffusion of solder, is formed in the first semiconductor chip (20) that surrounds but is laterally separated from the first active circuitry portion (40) and extends into the substrate a second distance greater than the first distance.

Abstract translation: 公开了用于使用焊料型热材料（90）为半导体器件建立热路径的各种方法和装置。 在一个方面，提供一种制造方法，其包括提供具有基板的第一半导体芯片（20）和向基板延伸第一距离的第一有源电路部分（40）。 在第一半导体芯片（20）中形成阻止焊料扩散的阻挡层（135），该第一半导体芯片（20）围绕第一半导体芯片（20），但是与第一有源电路部分（40）横向分离，并延伸到基板的第二距离， 距离。

公开(公告)号：WO2012134710A8

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：PCT/US2012027631

申请日：2012-03-03

Applicant: ATI TECHNOLOGIES ULC ,  ADVANCED MICRO DEVICES INC ,  TOPACIO RODEN R ,  SU MICHAEL Z ,  MCLELLAN NEIL

Inventor： TOPACIO RODEN R ,  SU MICHAEL Z ,  MCLELLAN NEIL

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02233 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

Abstract: Various semiconductor chip input/output structures and methods of making the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes providing a semiconductor chip (15) that has a first conductor pad (85) and a passivation structure (45). A second conductor pad (120) is fabricated around but not in physical contact with the first conductor pad (85) to leave a gap (125). The second conductor pad (120) is adapted to protect a portion of the passivation structure (45).

Abstract translation: 公开了各种半导体芯片输入/输出结构及其制造方法。 一方面，提供了一种制造方法，其包括提供具有第一导体焊盘（85）和钝化结构（45）的半导体芯片（15）。 围绕第二导体焊盘（85）制造第二导体焊盘（120）而不与第一导体焊盘（85）物理接触以留下间隙（125）。 第二导体焊盘（120）适于保护钝化结构（45）的一部分。

公开(公告)号：WO2012134710A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/US2012/027631

申请日：2012-03-03

Applicant: ATI TECHOLOGIES ULC ,  ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  TOPACIO, Roden, R. ,  SU, Michael, Z. ,  MCLELLAN, Neil

Inventor： TOPACIO, Roden, R. ,  SU, Michael, Z. ,  MCLELLAN, Neil

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02233 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

Abstract: Various semiconductor chip input/output structures and methods of making the same are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes providing a semiconductor chip (15) that has a first conductor pad (85) and a passivation structure (45). A second conductor pad (120) is fabricated around but not in physical contact with the first conductor pad (85) to leave a gap (125). The second conductor pad (120) is adapted to protect a portion of the passivation structure (45).

Abstract translation: 公开了各种半导体芯片输入/输出结构及其制造方法。 在一个方面，提供了一种制造方法，其包括提供具有第一导体焊盘（85）和钝化结构（45）的半导体芯片（15）。 第二导体焊盘（120）制造在第一导体焊盘（85）周围但不与其物理接触，以留下间隙（125）。 第二导体焊盘（120）适于保护钝化结构（45）的一部分。

公开(公告)号：WO2012040274A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/US2011/052469

申请日：2011-09-21

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  ATI TECHNOLOGIES ULC ,  SU, Michael, Z. ,  REFAI-AHMED, Gamal ,  BLACK, Bryan

Inventor： SU, Michael, Z. ,  REFAI-AHMED, Gamal ,  BLACK, Bryan

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/60 ,  H01L25/065 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/60 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of manufacturing includes connecting a first end (131) of a first through-silicon- via (100f) to a first die seal (125) proximate a first side of a first semiconductor chip (15). A second end (133) of the first thu-silicon-via is connected to a second die seal (115) proximate a second side of the first semiconductor chip opposite the first side.

Abstract translation: 一种制造方法包括将第一穿硅通孔（100f）的第一端（131）连接到靠近第一半导体芯片（15）的第一侧的第一模具密封件（125）。 第一硅硅通孔的第二端（133）连接到靠近第一半导体芯片的与第一侧相对的第二侧的第二模具密封件（115）。

公开(公告)号：WO2012034064A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：PCT/US2011/051075

申请日：2011-09-09

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  ATI TECHNOLOGIES ULC ,  SU, Michael, Z. ,  FU, Lei ,  REFAI-AHMED, Gamal ,  BLACK, Bryan

Inventor： SU, Michael, Z. ,  FU, Lei ,  REFAI-AHMED, Gamal ,  BLACK, Bryan

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81

Abstract: A method of manufacturing is provided that includes placing a removable cover (195, 195 ', 195 ") on a surface (215) of a substrate (120). The substrate includes a first semiconductor chip (1 10) positioned on the surface. The first semiconductor chip includes a first sidewall (170). The removable cover includes a second sidewall (200) positioned opposite the first sidewall. A first underfill (155) is placed between the first semiconductor chip and the surface wherein the second sidewall provides a barrier to flow of the first underfill. Various apparatus are also disclosed.

Abstract translation: 提供了一种制造方法，其包括将可移除的盖子（195,195'，195“）放置在基板（120）的表面（215）上。该基板包括位于表面上的第一半导体芯片（110）。 第一半导体芯片包括第一侧壁（170），可移除的盖包括与第一侧壁相对设置的第二侧壁（200），第一底部填充物（155）被放置在第一半导体芯片和表面之间，其中第二侧壁提供 第一底部填充物的流动障碍。还公开了各种装置。

公开(公告)号：WO2011084362A2

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：PCT/US2010/059981

申请日：2010-12-11

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  SU, Michael, Z.

Inventor： SU, Michael, Z.

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/54 ,  H01L23/055 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Various methods and apparatus for establishing thermal pathways for a semiconductor device are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes providing a first semiconductor chip (20) that has a substrate and a first active circuitry portion (40) extending a first distance into the substrate. A barrier (135) is formed in the first semiconductor chip (20) that surrounds but is laterally separated from the first active circuitry portion (40) and extends into the substrate a second distance greater than the first distance.

Abstract translation: 公开了用于建立半导体器件的热通路的各种方法和装置。 在一个方面，提供一种制造方法，其包括提供具有基板的第一半导体芯片（20）和向基板延伸第一距离的第一有源电路部分（40）。 在第一半导体芯片（20）中形成屏障（135），该第一半导体芯片（20）围绕第一半导体芯片（20），但是与第一有源电路部分（40）横向分离，并延伸到基板中比第一距离大的第二距离。

公开(公告)号：WO2008016513A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：PCT/US2007/016614

申请日：2007-07-24

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  SU, Michael, Z.

Inventor： SU, Michael, Z.

IPC: C23C28/00 ,  H01L23/42

CPC classification number: C23C28/00 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  H01L23/055 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19041

Abstract: Various semiconductor devices and method of manufacturing the same are provided. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes forming an insulating layer (68) on a backside of a semiconductor chip (56) and forming a metallic thermal interface material (66)on the insulating layer (68). In another aspect, an integrated circuit is provided that includes a semiconductor chip (56) that has a front side and a backside. An insulating layer (68) is on the backside and a metallic thermal interface material (66) is on the insulating layer (68).

Abstract translation: 提供各种半导体器件及其制造方法。 一方面，提供一种制造方法，其包括在半导体芯片（56）的背面上形成绝缘层（68），并在绝缘层（68）上形成金属热界面材料（66）。 在另一方面，提供一种集成电路，其包括具有前侧和后侧的半导体芯片（56）。 绝缘层（68）位于背面，金属热界面材料（66）位于绝缘层（68）上。

公开(公告)号：WO2012040271A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/US2011/052466

申请日：2011-09-21

Applicant: ATI TECHNOLOGIES ULC ,  ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  REFAI-AHMED, Gamal ,  BLACK, Bryan ,  SU, Michael, Z.

Inventor： REFAI-AHMED, Gamal ,  BLACK, Bryan ,  SU, Michael, Z.

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/0652 ,  H01L2023/4062 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/141 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/09072 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10416 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/1056

Abstract: A method of manufacturing is provided that includes placing a thermal management device (75) in thermal contact with a first semiconductor chip (35) of a semiconductor chip device (10). The semiconductor chip device includes a first substrate (60) coupled to the first semiconductor chip. The first substrate has a first aperture (70). At least one of the first semiconductor chip and the thermal management device is at least partially positioned in the first aperture.

Abstract translation: 提供一种制造方法，其包括将热管理装置（75）放置成与半导体芯片装置（10）的第一半导体芯片（35）热接触。 半导体芯片器件包括耦合到第一半导体芯片的第一衬底（60）。 第一基板具有第一孔（70）。 第一半导体芯片和热管理装置中的至少一个至少部分地位于第一孔中。