公开(公告)号：WO2009084155A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：PCT/JP2008/003660

申请日：2008-12-09

Applicant: パナソニック株式会社 ,  古澤彰男 ,  坂口茂樹 ,  末次憲一郎

Inventor： 古澤彰男 ,  坂口茂樹 ,  末次憲一郎

IPC: B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  H01L21/52

CPC classification number: C22C12/00 ,  B23K35/264 ,  B23K2201/36 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　２～１０．５重量％のＣｕと、０．０２～０．２重量％のＧｅと、８９．３～９７．９８重量％のＢｉとを含む接合材料は、２７５°Cまでの耐熱性と優れた濡れ性を有し、２～１０．５重量％のＣｕと、０．０２～０．２重量％のＧｅと、０．０２～０．１１重量％のＮｉと、８９．１９～９７．９６重量％のＢｉとを含む接合材料は、更に優れた耐熱性を有する。

Abstract translation: 公开了含有2-10.5重量％的Cu，0.02-0.2重量％的Ge和89.3-97.98重量％的Bi的粘合材料，其具有275℃的耐热性和优异的润湿性。还公开了一种粘合 含有2-10.5重量％的Cu，0.02-0.2重量％的Ge，0.02-0.11重量％的Ni和89.19-97.96重量％的Bi，其具有更优异的耐热性。

公开(公告)号：WO2010122764A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：PCT/JP2010/002812

申请日：2010-04-19

Applicant: パナソニック株式会社 ,  酒谷茂昭 ,  古澤彰男 ,  末次憲一郎 ,  中村太一

Inventor： 酒谷茂昭 ,  古澤彰男 ,  末次憲一郎 ,  中村太一

IPC: B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K3/3463 ,  B23K35/262 ,  B23K2201/36 ,  B32B15/01 ,  C22C13/00 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/10992 ,  Y02P70/613

Abstract: 　高い耐熱疲労特性を示し、製品の機能停止に至る接続不良の発生を効果的に低減し得る、鉛フリーのはんだ材料を提供する。　Ａｇを１.０～４.０重量％、Ｉｎを４.０～６.０重量％、Ｂｉを０.１～１.０重量％、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅおよびＳｂからなる群より選択される１種類以上の元素の合計を１重量％以下(但し０重量％を除く)および残部のＳｎを含んで成るはんだ材料とする。このはんだ材料を用いて、基板(１)の銅を含む電極ランド(１ａ)に、電子部品(３)の銅を含む電極部(３ａ)を接合すると、はんだ接合部にて、応力緩和性に優れた部分(５ｂ)を形成でき、電極ランド(１ａ)および電極部(３ａ)からＣｕ-Ｓｎ金属間化合物(５ａ)を速やかに成長させて強固な閉塞構造を形成できる。これにより、過酷な温度環境下であっても、亀裂の発生および伸長を防止でき、高い耐熱疲労特性を実現でき、接続不良の発生を低減できる。

Abstract translation: 具有高耐热疲劳性的无铅焊料，可以有效地减少引起产品功能停止的连接故障的发生。 焊接材料包括1.0-4.0重量％的Ag，4.0-6.0重量％的In，0.1-1.0重量％的Bi，至多1重量％（不包括0重量％）的一种或多种元素的总和， 由Cu，Ni，Co，Fe和Sb组成的组，Sn作为余量。 当使用该焊接材料将电子部件（3）的含铜电极部分（3a）接合到基板（1）的含铜电极焊盘（1a）时，具有优异应力松弛性能的部分（5b） 可以在焊接区域形成Cu-Sn金属间化合物（5a），从电极接合区（1a）和电极部（3a）迅速生长，形成牢固的阻挡结构。 因此，即使在严酷的温度环境下，也能够防止发生裂纹，并且能够发挥高耐热疲劳性。 因此可以减少连接失败的发生。

公开(公告)号：WO2010047010A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：PCT/JP2009/002680

申请日：2009-06-12

Applicant: パナソニック株式会社 ,  松尾隆広 ,  古澤彰男 ,  酒谷茂昭

Inventor： 松尾隆広 ,  古澤彰男 ,  酒谷茂昭

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/48

CPC classification number: C22C1/002 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　半導体装置は、表面に第１のはんだ接合層が形成された金属からなるダイパッド（３）と、該ダイパッド（３）における第１のはんだ接合層１１の上に、ビスマスを主成分とするはんだ材（９）により固着された半導体素子（５）とを有している。第１のはんだ接合層（１１）は、はんだ材（９）よりも軟らかい材料からなり、第１のはんだ接合層（１１）の一部には、はんだ材（９）が押圧されてなる窪み部（１１ａ）が形成され、はんだ材（９）の一部は、窪み部（１１ａ）に充填されている。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其包括由在其表面上形成有第一焊料接合层（11）的金属构成的管芯焊盘（3）和固定到第一焊料接合层（11）上的半导体元件（5） ）通过主要由铋组成的焊料（9）而形成。 第一焊料接合层（11）由比焊料材料（9）更软的材料构成，并且通过被焊料材料压制在第一焊料接合层（11）的一部分中形成凹部（11a） 9）。 凹部（11a）填充有焊料（9）的一部分。

公开(公告)号：WO2011010450A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：PCT/JP2010/004655

申请日：2010-07-20

Applicant: パナソニック株式会社 ,  北浦 秀敏 ,  古澤彰男 ,  酒谷茂昭 ,  中村太一 ,  松尾隆広

Inventor： 北浦　秀敏 ,  古澤彰男 ,  酒谷茂昭 ,  中村太一 ,  松尾隆広

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27472 ,  H01L2224/2901 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10376 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本発明の半導体部品は、半導体素子（１０１）と、半導体素子（１０１）の一方の面に形成された、Ｂｉを主成分とする接合材料を含む接合層（１０２）とを備え、接合層（１０２）の半導体素子（１０１）と接する面とは反対側の面に、凸部（１０３）が形成されている半導体部品（１００）である。この半導体部品（１００）を用い、接合層（１０２）に対向して配置された電極（２０１）とを接合することにより、ボイドの発生を抑制することが出来る。

Abstract translation: 公开了一种半导体元件（100），其中形成在半导体元件（101）的一个表面上并具有Bi作为主要元件的半导体元件（101）和接合层（102） 在与半导体元件（101）接触的表面的背面的接合层（102）表面上形成有突出部（103）。 使用半导体部件（100），接合层（102）和与接合层相对配置的电极（201），可以通过接合而抑制空穴的产生。

公开(公告)号：WO2010122795A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：PCT/JP2010/002899

申请日：2010-04-22

Applicant: パナソニック株式会社 ,  中村太一 ,  古澤彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  松尾隆広

Inventor： 中村太一 ,  古澤彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  松尾隆広

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29213 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/256 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　本発明は、半導体素子と支持板との十分な接合強度を確保しつつ、半導体素子からの発熱の支持体への放熱性を向上させる半導体装置を提供することを課題とする。本発明に係る半導体装置は、支持板と、前記支持板上に形成された電極表面処理層と、半導体素子と、Ｂｉを主成分とする第１金属の内部に前記第１金属よりも融点が高い第２金属の粒子を含有しており、前記電極表面処理層と前記半導体素子とを接合するはんだ材料と、を備え、前記はんだ材料の前記半導体素子の中央部に対応する領域では前記第１金属よりも前記第２金属の組成比率が高く、前記中央部に対応する領域の外側の領域では前記第２金属よりも前記第１金属の組成比率が高く、前記中央部に対応する領域内での前記第２金属の組成比率が８３．８原子％以上である。

Abstract translation: 提供了一种半导体器件，其中半导体元件和支撑板之间的充分的接合强度确保了从半导体元件向支撑体产生的热量的散失。 半导体器件设有：支撑板; 形成在支撑板上的电极表面处理层; 半导体元件; 以及焊料材料，其中具有比具有Bi作为主要成分的第一金属的熔点高的第二金属颗粒包含在第一金属中，并且将电极表面处理层和半导体元件结合在一起。 在对应于半导体元件的中心部分的焊料材料区域中，第二金属的组成比高于第一金属的组成比，并且在对应于中心部分的区域外的区域中，组成比 的第一金属的比例高于第二金属，第二金属在与中心部相对应的区域中的组成比为83.8原子％以上。

公开(公告)号：WO2010150495A1

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：PCT/JP2010/004048

申请日：2010-06-17

Applicant: パナソニック株式会社 ,  古澤彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  中村太一 ,  松尾隆広

Inventor： 古澤彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  中村太一

IPC: H01L21/52 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  B23K35/363 ,  C22C12/00

CPC classification number: C22C12/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/20 ,  B23K35/264 ,  B23K35/362 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　本発明は、例えば、半導体素子（１０２）と、半導体素子（１０２）に対向して配置される電極（１０３）と、半導体素子（１０２）と電極（１０３）とを接続するＢｉを主成分とした接合材料と、を備えた接合構造体を有する半導体部品（１００）であって、接合材料（１０４）が炭素化合物を含有していることにより、半導体素子と電極との線膨張係数の差により接合部が破壊されることを従来にくらべて低減できる。Ｂｉを主成分とする接合材料により、従来に比べて接合部の信頼性を向上できる、半導体素子と電極とを接合した接合構造体などを提供することが可能となる。

Abstract translation: 披露了具有例如设置有半导体元件（102），与半导体元件（102）相对设置的电极（103）的接合结构的半导体部件（100）和将半导体元件（102） ）和电极（103），主要由铋组成。 连接材料（104）含有碳化合物，因此与现有的接合材料相比可以减少由于半导体元件和电极之间的线性膨胀系数的差异导致的结面积失效。 主要由铋组成的连接材料允许例如提供连接半导体元件和电极的结结构，并且可以改善与现有结结构相比的结面积可靠性。

公开(公告)号：WO2010125800A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：PCT/JP2010/002999

申请日：2010-04-27

Applicant: パナソニック株式会社 ,  古澤彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  中村太一 ,  松尾隆広

Inventor： 古澤彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  中村太一 ,  松尾隆広

IPC: H01L21/52 ,  C22C12/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/264 ,  B23K35/325 ,  B32B15/01 ,  C22C12/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　半導体素子（１０２）の表面（１０２ｂ）に、結晶格子がＢｉを主成分とする接合材料（１０６）とは異なる金属の層（１０５）を配置すると共に、結晶格子が接合材料（１０６）とは異なる金属の前記層（１０５）と半導体素子（１０２）の表面（１０２ｂ）との間に、接合材料（１０６）との化合物生成熱の値が正の元素の層（１０４）を配置することにより、半導体素子１０２に、結晶格子が接合材料（１０６）とは異なる金属の前記層（１０５）の成分が拡散されることを防止する。

Abstract translation: 在半导体元件（102）的表面（102b）上设置具有不同于具有Bi作为主要成分的接合材料（106）的晶格不同的金属层（105），并且构成层 具有与结合材料（106）的化合物形成的正热值正值的元件设置在具有不同于接合材料（106）和表面（102b）的晶格的金属层（105）之间， 的半导体元件（102）。 因此，防止具有不同于接合材料（106）的晶格的金属层（105）的部件在半导体元件（102）中扩散。

公开(公告)号：WO2011036829A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：PCT/JP2010/003819

申请日：2010-06-08

Applicant: パナソニック株式会社 ,  松尾隆広 ,  古澤彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  中村太一

Inventor： 松尾隆広 ,  古澤彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  中村太一

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/14 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00

CPC classification number: H01L23/49562 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  B32B15/01 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　基体３上に接合材料層１７Ｂを介して半導体素子５が設けられている。接合材料層１７Ｂは、主成分となる第１の元素と、第１の元素よりも融点が高い第２の元素と、第１の元素よりも融点が低い第３の元素とを含む。

Abstract translation: 半导体元件（5）通过接合材料层（17B）设置在基板（3）上。 接合材料层（17B）含有作为主要成分的第一元素，具有比第一元素更高的熔点的第二元素和具有比第一元素低的熔点的第三元素 。

公开(公告)号：WO2009157130A1

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：PCT/JP2009/002265

申请日：2009-05-22

Applicant: パナソニック株式会社 ,  古澤彰男 ,  酒谷茂昭 ,  中村太一 ,  松尾隆広

Inventor： 古澤彰男 ,  酒谷茂昭 ,  中村太一 ,  松尾隆広

IPC: H01L21/52 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  H05K3/34 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/264 ,  B23K2201/40 ,  C22C12/00 ,  C22C19/03 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　接合構造は、電子部品を構成する電子素子１２と、その電子部品を構成する電極１４と、を接合する。接合構造は、０．２～６重量％の銅、０．０２～０．２重量％のゲルマニウム、および９３．８～９９．７８重量％のビスマスを含むはんだ層と、はんだ層と電極との間に設けられるニッケル層と、ニッケル層とはんだ層との間に設けられるバリア層とを含む。ここで、バリア層は、はんだ層により電子素子と電極とを接合した後の平均厚みが、０．５～４．５μｍとなるように形成される。

Abstract translation: 提供了一种接合结构，由此形成电子元件的电子元件（12）和电极（14）接合。 接合结构包括含有0.2〜6重量％的铜，0.02〜0.2重量％的锗和93.8〜99.78重量％的铋的焊料层，设置在焊料层和电极之间的镍层，以及设置在镍层之间的阻挡层 和焊料层。 阻挡层形成为通过0.5〜4.5μm的焊料层将电子元件与电极接合后的平均厚度。