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公开(公告)号：WO2010125800A1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：PCT/JP2010/002999
申请日：2010-04-27
IPC分类号： H01L21/52 , C22C12/00 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/49513 , B23K1/0016 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/264 , B23K35/325 , B32B15/01 , C22C12/00 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2908 , H01L2224/29084 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/00015 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 半導体素子（１０２）の表面（１０２ｂ）に、結晶格子がＢｉを主成分とする接合材料（１０６）とは異なる金属の層（１０５）を配置すると共に、結晶格子が接合材料（１０６）とは異なる金属の前記層（１０５）と半導体素子（１０２）の表面（１０２ｂ）との間に、接合材料（１０６）との化合物生成熱の値が正の元素の層（１０４）を配置することにより、半導体素子１０２に、結晶格子が接合材料（１０６）とは異なる金属の前記層（１０５）の成分が拡散されることを防止する。
摘要翻译： 在半导体元件（102）的表面（102b）上设置具有不同于具有Bi作为主要成分的接合材料（106）的晶格不同的金属层（105），并且构成层 具有与结合材料（106）的化合物形成的正热值正值的元件设置在具有不同于接合材料（106）和表面（102b）的晶格的金属层（105）之间， 的半导体元件（102）。 因此，防止具有不同于接合材料（106）的晶格的金属层（105）的部件在半导体元件（102）中扩散。
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2.发明申请ELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ELEKTRONISCHEN VORRICHTUNG 审中-公开电子器件及其制造方法的电子设备
公开(公告)号：WO2016062464A1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：PCT/EP2015/071356
申请日：2015-09-17
发明人： PLÖSSL, Andreas
CPC分类号： H01L24/29 , H01L23/15 , H01L23/49866 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L33/40 , H01L33/62 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/05678 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1141 , H01L2224/11436 , H01L2224/13294 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/2732 , H01L2224/27334 , H01L2224/2741 , H01L2224/27436 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29173 , H01L2224/29178 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81207 , H01L2224/81208 , H01L2224/81469 , H01L2224/81473 , H01L2224/81478 , H01L2224/8184 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/83207 , H01L2224/83208 , H01L2224/83359 , H01L2224/83439 , H01L2224/83447 , H01L2224/83469 , H01L2224/83473 , H01L2224/83478 , H01L2224/8384 , H01L2924/00015 , H01L2924/1033 , H01L2924/10349 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/13014 , H01L2924/13064 , H01L2924/15724 , H01L2924/00014 , H01L2224/05644 , H01L2224/05639 , H01L2924/00012
摘要： Es wird eine elektronische Vorrichtung angegeben mit einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2), die mit einer Sinterschicht (3) mit einem ersten Metall miteinander verbunden sind, wobei zumindest eines der Bauteile (1, 2) zumindest eine Kontaktschicht (4, 4') aufweist, die in unmittelbarem Kontakt mit der Sinterschicht (3) angeordnet ist, die ein zweites, vom ersten Metall unterschiedliches Metall aufweist und die frei von Gold ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung angegeben.
摘要翻译： 设置有第一部件（1）和被连接到（3）具有与每个其他的第一金属的烧结层中的第二组分（2）中，组分的，其中至少一个（1，2）至少（接触层的电子器件 4，4“），其被布置成与具有第二，从所述第一金属和金属是游离的金不同的烧结层（3）直接接触。 此外，提供了一种制造电子器件的方法。
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3.发明申请VERFAHREN ZUM VERBINDEN VON FÜGEPARTNERN MITTELS ISOTHERMER ERSTARRUNGSREAKTION ZUR BILDUNG EINER IN-BI-AG-VERBINDUNGSSCHICHT UND ENTSPRECHENDE ANORDNUNG VON FÜGEPARTNERN 审中-公开一种通过等温固化反应 - 加入加盟合作伙伴形成In-BI AG链路层和妥善安排加盟合作伙伴的
公开(公告)号：WO2014154637A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/EP2014/055848
申请日：2014-03-24
发明人： PLOESSL, Andreas
IPC分类号： H01L23/62 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/2855 , H01L21/2885 , H01L21/76874 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/27444 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/29109 , H01L2224/29113 , H01L2224/29139 , H01L2224/29166 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32505 , H01L2224/83054 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83359 , H01L2224/83539 , H01L2224/83825 , H01L2224/83902 , H01L2224/83948 , H01L2924/12041 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01322 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zum Verbinden von Fügepartnern (1, 2), beispielsweise von einen optoelektronischen Halbleiterchip (z.B. einen Leuchtdiodenchip) und einer Leiterplatte oder einem metallischen Leiterrahmen mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines ersten Fügepartners (1) und eines zweiten Fügepartners (2), Aufbringen einer ersten Schichtenfolge (10) auf den ersten Fügepartner (1), die zumindest eine Schicht (11, 15) umfasst, die Silber enthält oder aus Silber besteht, Aufbringen einer zweiten Schichtenfolge (20) auf den zweiten Fügepartner (2), die zumindest eine Schicht (29) umfasst, die Indium und Wismut enthält, oder eine Schicht (23), die Indium enthält und eine Schicht (22, 24), die Wismut enthält, Zusammenpressen der ersten Schichtenfolge (10) und der zweiten Schichtenfolge (20) an ihren dem ersten Fügepartner (1) und dem zweiten Fügepartner (2) jeweils abgewandten Stirnflächen unter Anwendung eines Fügedrucks (p) bei einer Fügetemperatur, die höchstens 120 °C beträgt, für eine vorgegebene Fügezeit, wobei die erste Schichtenfolge (10) und die zweite Schichtenfolge (20) zu einer Verbindungsschicht (30) verschmelzen, die direkt an den ersten Fügepartner und den zweiten Fügepartner grenzt und derer Aufschmelztemperatur wenigstens 260 °C beträgt.
摘要翻译： 将被接合的用于接合件的方法（1，2），（发光二极管芯片，例如）和印刷电路板或金属引线框架，其特征在于指定的光电子半导体芯片的例子的步骤：提供一第一接合部分（1）和第二接合部（2 ），将第一系列的第一对接件（1），所述至少一个层（11层（10）的方法，包括15）含有银或由银，沉积在所述第二对接件的第二层序列（20）（2） 的至少一个层（29）含有铟和铋，或层（23）含有铟和一个层（22,24）中，铋含有，第一系列的层（10）的压在一起并在第二层序列 （20）在其第一次加入伴侣（1）和所述第二接合部件（2）分别面向从端部开槽面使用的接合压力（p）在接合温度，这ħ öchstens120℃，持续预定接合时间，其中合并所述第一系列的层（10）和所述层的第二堆叠（20）以形成化合物层（30），其邻接第一接合部件和第二接合部件和那些回流温度至少260° 是C.
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4.发明申请TRANSIENT LIQUID PHASE MATERIAL BONDING AND SEALING STRUCTURES AND METHODS OF FORMING SAME 审中-公开瞬态液相材料结合和密封结构及其形成方法
公开(公告)号：WO2017100256A1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：PCT/US2016/065281
申请日：2016-12-07
IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/324 , H01L23/28 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/324 , B23K20/02 , C23C10/28 , H01B1/22 , H01L21/50 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/10 , H01L23/66 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/27418 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/2746 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/29017 , H01L2224/29019 , H01L2224/29022 , H01L2224/29078 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29117 , H01L2224/29124 , H01L2224/29138 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29187 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29316 , H01L2224/29317 , H01L2224/29338 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29409 , H01L2224/29411 , H01L2224/29424 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/29466 , H01L2224/29469 , H01L2224/29487 , H01L2224/29499 , H01L2224/30179 , H01L2224/3201 , H01L2224/32145 , H01L2224/32227 , H01L2224/32503 , H01L2224/32505 , H01L2224/32507 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83825 , H01L2924/1421 , H01L2924/3651 , H05K3/328 , H05K3/3457 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01029 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012
摘要： A bonding element includes a first transient liquid phase (TLP) bonding element including a first material and a second material, the first material having a higher melting point than the second material, a ratio of a quantity of the first material and the second material in the first TLP bonding element having a first value and a second TLP bonding element including the first material and the second material, a ratio of a quantity of the first material and the second material in the second TLP bonding element having a second value different from the first value.
摘要翻译： 结合元件包括包含第一材料和第二材料的第一瞬态液相（TLP）结合元件，第一材料具有比第二材料更高的熔点，一定量的 第一TLP结合元件中的第一材料和第二材料具有第一值，并且第二TLP结合元件包括第一材料和第二材料，第二TLP结合中第一材料和第二材料的量的比例 元素具有不同于第一值的第二值。
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公开(公告)号：WO1988005706A1
公开(公告)日：1988-08-11
申请号：PCT/US1988000074
申请日：1988-01-15
申请人： MOTOROLA, INC.
IPC分类号： B23K31/02
CPC分类号： H01L24/83 , B23K1/19 , B23K35/002 , B23K2035/008 , H01L23/3735 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L2224/04026 , H01L2224/2908 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/2918 , H01L2224/29184 , H01L2224/29186 , H01L2224/32245 , H01L2224/8319 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15724 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor die (12) is mounted on a metal substrate (14) via intermediate layers which permit the die to be readily soldered to the combination while yet reducing thermal stresses. A dielectric layer (16) is formed over the substrate (14), followed by another layer (18) of a selected metal, either molybdenum or tungsten. Atop the metal layer (18) is another layer (20) comprising a mixture of solder and the selected metal. A layer (22) of only solder is formed over the mixture, and the semiconductor die is bonded thereto by means of the layer (22) of solder.
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