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    LOW CTE INTERPOSER
    1.
    发明申请
    LOW CTE INTERPOSER 审中-公开

    公开(公告)号：WO2013066504A1

    公开(公告)日：2013-05-10

    申请号：PCT/US2012/055431

    申请日：2012-09-14

    Applicant: INVENSAS CORPORATION ,  HABA, Belgacem ,  DESAI, Kishor

    Inventor： HABA, Belgacem ,  DESAI, Kishor

    IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

    CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19107 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

    Abstract: An interconnection component (10) includes a first support portion (12) and has a plurality of first conductive vias (22) extending therethrough substantially perpendicular to surfaces thereof such that each via has a first end (26) adjacent a first surface (14) and a second end (24) adjacent a second surface (16). A second support portion (30) has a plurality of second conductive vias (40) extending therethrough substantially perpendicular to surfaces thereof such that each via has a first end (44) adjacent the first surface (34) and a second end (42) adjacent the second surface (32). A redistribution layer (50) is disposed between the second surfaces of the first and second support portions, electrically connecting at least some of the first vias with at least some of the second vias. The first and second support portions can have a CTE of less than 12 ppm/°C.

    Abstract translation: 互连部件（10）包括第一支撑部分（12），并且具有多个第一导电通孔（22），其基本垂直于其表面延伸穿过，使得每个通孔具有邻近第一表面（14）的第一端（26） 和邻近第二表面（16）的第二端（24）。 第二支撑部分（30）具有多个第二导电通孔（40），其基本上垂直于其表面延伸穿过，使得每个通孔具有邻近第一表面（34）的第一端（44）和邻近第二端 第二表面（32）。 再分配层（50）设置在第一和第二支撑部分的第二表面之间，将至少一些第一通孔与至少一些第二通孔电连接。 第一和第二支撑部分可以具有小于12ppm /℃的CTE。

    HIGH DENSITY THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CAPACITORS
    7.
    发明申请
    HIGH DENSITY THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CAPACITORS 审中-公开
    高密度三维集成电容器

    公开(公告)号：WO2012079013A1

    公开(公告)日：2012-06-14

    申请号：PCT/US2011/064219

    申请日：2011-12-09

    Applicant: TESSERA, INC. ,  OGANESIAN, Vage ,  HABA, Belgacem ,  MOHAMMED, Ilyas ,  SAVALIA, Piyush

    Inventor： OGANESIAN, Vage ,  HABA, Belgacem ,  MOHAMMED, Ilyas ,  SAVALIA, Piyush

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/64

    CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L23/481 ,  H01L28/60 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

    Abstract: A component (10) includes a substrate (20) and a capacitor (40). The substrate (20) can have first and second surfaces (21, 22) and an opening (30) extending from the first surface. The capacitor (40) can include first, second, third, and fourth conductive plates (61, 62, 71, 72), each plate extending along an inner surface (31) of the opening (30). The capacitor (40) can include first and second electrodes (163, 164) exposed at first and second spaced apart locations, and third and fourth electrodes (173, 174) exposed at third and fourth spaced apart locations. The third plate (71) can overlie the first plate (61) and can be separated therefrom by a first dielectric layer (81). The second plate (62) can overlie the third plate (71) and can be separated therefrom by a second dielectric layer (82). The fourth plate (72) can overlie the second plate (62) and can be separated therefrom by a third dielectric layer (83).

    Abstract translation: 组件（10）包括衬底（20）和电容器（40）。 衬底（20）可以具有从第一表面延伸的第一和第二表面（21,22）和开口（30）。 电容器（40）可以包括第一，第二，第三和第四导电板（61,62,71,72），每个板沿着开口（30）的内​​表面（31）延伸。 电容器（40）可以包括在第一和第二间隔开的位置处暴露的第一和第二电极（163,164），以及在第三和第四间隔开的位置暴露的第三和第四电极（173,174）。 第三板（71）可以覆盖第一板（61），并且可以通过第一介电层（81）与第一板（61）分离。 第二板（62）可以覆盖第三板（71），并且可以通过第二介电层（82）与第三板（71）分离。 第四板（72）可以覆盖第二板（62），并且可以通过第三介电层（83）与第二板（72）分离。

    NON-LITHOGRAPHIC FORMATION OF THREE-DIMENSIONAL CONDUCTIVE ELEMENTS
    10.
    发明申请
    NON-LITHOGRAPHIC FORMATION OF THREE-DIMENSIONAL CONDUCTIVE ELEMENTS 审中-公开
    非线性形成三维导电元件

    公开(公告)号：WO2012011930A1

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：PCT/US2010/052633

    申请日：2010-10-14

    Applicant: TESSERA, INC. ,  OGANESIAN, Vage ,  HABA, Belgacem ,  MOHAMMED, Ilyas ,  MITCHELL, Craig ,  SAVALIA, Piyush

    Inventor： OGANESIAN, Vage ,  HABA, Belgacem ,  MOHAMMED, Ilyas ,  MITCHELL, Craig ,  SAVALIA, Piyush

    IPC: H01L21/58 ,  H01L23/48

    CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/06 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

    Abstract: A method of forming a conductive element (24) on a substrate (10) and the resulting assembly (80) are provided. The method includes forming a groove (22) in a sacrificial layer (20) overlying a dielectric region (18) disposed on a substrate (10). The groove (22) preferably extends along a sloped surface (16) of the substrate (10). The sacrificial layer (20) is preferably removed by a non-photolithographic method, such as ablating with a laser (70), mechanical milling, or sandblasting. A conductive element (24) is formed in the groove (22). The grooves (22) and conductive elements (124) may be formed along any surface of the substrate (110), including within trenches (128) and vias (121) formed therein, and may connect to conductive pads (150) on the front (114) and/or rear surface (112) of the substrate (110). The conductive elements (24) are preferably formed by plating and may or may not conform to the surface of the substrate (10).

    Abstract translation: 提供了在基板（10）上形成导电元件（24）的方法和所得到的组件（80）。 该方法包括在覆盖设置在基板（10）上的电介质区域（18）上的牺牲层（20）中形成凹槽（22）。 槽（22）优选地沿衬底（10）的倾斜表面（16）延伸。 牺牲层（20）优选通过非光刻方法去除，例如用激光（70）烧蚀，机械研磨或喷砂。 导电元件（24）形成在凹槽（22）中。 沟槽（22）和导电元件（124）可以沿着衬底（110）的任何表面形成，包括在其中形成的沟槽（128）和通孔（121）内，并且可以连接到前面的导电焊盘（150） （114）和/或背表面（112）。 导电元件（24）优选地通过电镀形成，并且可以或不符合基板（10）的表面。

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