公开(公告)号：CN105384140A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510548477.8

申请日：2015-08-31

申请人： 天工方案公司

发明人： J.约塔 ,  D.古尼斯

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/0509 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/06 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83

摘要： 一种涉及电子装置中改进堆叠结构的结构、方法及装置。在一些实施例中，堆叠结构包含在基板上实现的焊盘，该焊盘包含具有侧面的聚合物层，该侧面与该焊盘的另一层形成界面，该焊盘还包含在该界面上的上部金属层，该上部金属层具有上表面。在一些实施例中，该堆叠结构还包含在该上部金属层上实现的钝化层，该钝化层包含图案，其配置为在该上部金属层上提供压缩力从而减少在该界面分层的可能性，该图案限定多个开口以露出该上部金属层的该上表面。

公开(公告)号：CN103972199A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043610.X

申请日：2014-01-29

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： O·J·洛佩兹 ,  J·A·诺奇尔 ,  J·A·赫布斯摩尔

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L23/28 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49883 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/00015

摘要： 本发明涉及一种集成电路（“IC”）组件，其包括在其顶面上具有金属化层的IC模片。多个引线62、64、66、68在其第一端部70被键合到金属化层60。被附着到金属化层60的导电层80覆盖引线62、64、66、68的第一端部70。

公开(公告)号：CN103915412A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310131778.1

申请日：2013-04-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄其达 ,  庄曜群 ,  陈志华 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/528 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

摘要： 本发明公开了一种器件包括衬底，位于衬底上方的金属焊盘，以及与所述金属焊盘电断开的金属迹线。金属焊盘和金属迹线相互齐平。钝化层包括与所述金属焊盘的边缘部分重叠的部分。金属柱覆盖在金属焊盘上方并且与所述金属焊盘电断开。金属迹线具有与所述金属柱重叠的部分。本发明还公开了一种用于集成电路的金属布线结构。

公开(公告)号：CN107180812A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201611140300.5

申请日：2016-12-12

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 季彦良 ,  熊明仁

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L23/49816 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49838

摘要： 本发明实施例提供了一种晶圆级芯片尺寸封装及其形成方法。其中该封装包括：半导体结构；接合垫，形成于该半导体结构上并且包括：多个导电片段；导电元件，形成于该半导体结构上，并且与该接合垫相邻；钝化层，形成于该半导体结构、该接合垫及该导电元件上，其中该钝化层露出该接合垫的导电片段的一部分；导电的重分布层，形成于该钝化层以及该接合垫的导电片段从该钝化层露出的部分上；平坦化层，形成于该钝化层和该导电的重分布层上，并且露出该导电的重分布层的一部分；凸块下金属层，形成于该平坦化层以及该导电的重分布层从该平坦化层露出的部分上；以及导电凸块，形成于该凸块下金属层上。本发明实施例，可以进一步降低封装的尺寸。

公开(公告)号：CN103311238A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310067617.0

申请日：2013-03-04

申请人： 拉碧斯半导体株式会社

发明人： 渕上千加志

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/027 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/10122 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/05442

摘要： 本发明目的在于提供能够切实防止静电破坏的半导体集成装置。具备：半导体衬底，在其主面形成有包含包围作为局部区域的第1扩散区域的第2扩散区域的静电保护电路；与该主面相对的金属焊盘；以及与金属焊盘的上表面相对地形成的导电性凸台，在导电性凸台中的与金属焊盘的相对面上，在与上述第1扩散区域相对的范围内，设置与金属焊盘接触的突起部。

公开(公告)号：CN108140559A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680048737.8

申请日：2016-08-25

申请人： 英帆萨斯邦德科技有限公司

发明人： 保罗·M·恩奎斯特

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/52 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L21/50 ,  H01L24/03 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/8019 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2225/06513

摘要： 本发明提供一种形成直接混合型接合的方法和源自直接混合型接合的装置，其包括：第一基板，其具有第一组金属接合衬垫(其较佳而言连接到装置或电路，而由传导阻障所覆盖)，并且具有第一非金属区域(其相邻于第一基板上的金属接合衬垫)；第二基板，其具有第二组金属接合衬垫(其由第二传导阻障所覆盖、对齐于第一组金属接合衬垫、较佳而言连接到装置或电路)，并且具有第二非金属区域(其相邻于第二基板上的金属接合衬垫)；以及接触接合接口，其在第一和第二组金属接合衬垫之间、由传导阻障所覆盖、而通过第一非金属区域对第二非金属区域的接触接合所形成。

公开(公告)号：CN103915412B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310131778.1

申请日：2013-04-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄其达 ,  庄曜群 ,  陈志华 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/528 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

摘要： 本发明公开了一种器件包括衬底，位于衬底上方的金属焊盘，以及与所述金属焊盘电断开的金属迹线。金属焊盘和金属迹线相互齐平。钝化层包括与所述金属焊盘的边缘部分重叠的部分。金属柱覆盖在金属焊盘上方并且与所述金属焊盘电断开。金属迹线具有与所述金属柱重叠的部分。本发明还公开了一种用于集成电路的金属布线结构。

公开(公告)号：CN103579325A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310349620.1

申请日：2013-08-12

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 安东·毛德 ,  赖因哈德·普洛斯 ,  汉斯-约阿希姆·舒尔茨

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/743 ,  H01L23/36 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L29/063

摘要： 本发明公开了半导体衬底中包含沟槽的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底。第一沟槽从第一侧延伸入或穿过该半导体衬底。半导体层在该第一侧邻接该半导体衬底。该半导体层在该第一侧覆盖该第一沟槽。该半导体器件进一步包括在该半导体衬底的与该第一侧相反的第二侧处的接触体。

公开(公告)号：CN103311238B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201310067617.0

申请日：2013-03-04

申请人： 拉碧斯半导体株式会社

发明人： 渕上千加志

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/027 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/10122 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/05442

摘要： 本发明目的在于提供能够切实防止静电破坏的半导体集成装置。具备：半导体衬底，在其主面形成有包含包围作为局部区域的第1扩散区域的第2扩散区域的静电保护电路；与该主面相对的金属焊盘；以及与金属焊盘的上表面相对地形成的导电性凸台，在导电性凸台中的与金属焊盘的相对面上，在与上述第1扩散区域相对的范围内，设置与金属焊盘接触的突起部。

公开(公告)号：CN106542492A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201510614165.2

申请日：2015-09-23

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限 ,  公司

发明人： 陈福成 ,  施林波 ,  刘尧

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： H01L24/05 ,  B81B2207/093 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/035 ,  H01L24/02 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05013 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/052 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3841

摘要： 一种焊盘结构、焊环结构和MEMS器件的封装方法。其中，所述焊盘结构的组成材料包括第一金属和第二金属；所述焊盘结构的至少一个等分剖面中，至少出现一次所述第一金属和一次所述第二金属；所述等分剖面为所述焊盘结构沿垂直平分面剖切后得到，所述垂直平分面垂直于所述焊盘结构的俯视平面，并且所述垂直平分面能够将所述焊盘结构平分成大小相等的两部分。利用所述焊盘结构进行键合时，第一金属和第二金属之间能够直接形成合金，进而能够防止第一金属和第二金属在键合过程中向焊盘结构周边大量溢出，即所述焊盘结构能够防止出现挤出延展现象，进而防止焊盘结构与周边的导电结构发生短路，从而使采用所述焊盘结构的封装结构可靠性提高。