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公开(公告)号：CN107424983A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710096783.1
申请日：2014-11-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种电子设备及其制造方法。该电子设备包括：具有第一端子的第一电子部件，具有与第一端子相对的第二端子的第二电子部件，以及将第一端子与第二端子接合的接合部。接合部包含极状化合物，该极状化合物在第一端子与第二端子彼此相对的方向上延伸。接合部包含极状化合物，使得接合部的强度提高。当第一端子与第二端子接合时，使第一电子部件和第二电子部件中的一个电子部件的温度高于另一个电子部件的温度。在这种状态中冷却并且固化接合材料。通过这样做，形成极状化合物。
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公开(公告)号：CN105592636A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510741043.X
申请日：2015-11-04
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/81 , B23K35/26 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/13023 , H01L2224/13109 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16507 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75702 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81098 , H01L2224/81192 , H01L2224/81211 , H01L2224/81444 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/8191 , H01L2224/81948 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/3511 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2201/10674 , H05K2203/047 , H01L2924/00014 , H01L2224/05166 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H05K3/3457 , C22C13/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/04
Abstract: 本发明公开了一种电装置及其制造方法。电装置包括：第一电部件、第二电部件、以及连接第一电部件与第二电部件的In-Sn-Ag合金，所述In-Sn-Ag合金包含AgIn2和Ag2In，Ag2In含量低于AgIn2含量。
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公开(公告)号：CN101965617A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200880127833.7
申请日：2008-03-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K1/115 , H01B1/026 , H01B1/22 , H01L2224/16225 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H05K3/462 , H05K2201/0218 , H05K2201/0272 , H05K2201/10378 , H05K2203/0425 , H01L2224/0401
Abstract: 导电材料(10)具有：第一金属部(11)，其以第一金属为主成分；第二金属部(12)，其以第二金属为主成分，并形成在上述第一金属部的表面上，该第二金属具有比上述第一金属的熔点低的熔点，并且该第二金属能够与上述第一金属形成金属间化合物；第三金属部(13)，其以第三金属为主成分，该第三金属能够与上述第二金属发生共晶反应。
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公开(公告)号：CN101041903A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610105787.3
申请日：2006-07-25
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 作山诚树
CPC classification number: C25D3/30 , B32B15/01 , H01L2924/0002 , Y10T428/12708 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 锡电镀膜，由锡或锡合金构成，形成在衬底的前表面和后表面上以构成引线框。锡合金可以是例如锡铜合金(以质量百分比计，铜含量为2％)、锡铋合金(以质量百分比计，铋含量为2％)和类似的合金。衬底是由例如铜合金或类似物构成。在锡电镀膜中，无规则地排列着多个晶粒。另外，在锡电镀膜中存在多个间隙部分。即使后来执行弯曲处理或类似的处理，由于在锡电镀膜中存在间隙部分，外应力减少。因此，伴随外应力的晶须生长得到抑制。
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公开(公告)号：CN1416311A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02147178.9
申请日：2002-10-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K3/321 , H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/29011 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H05K3/3436 , H05K3/3473 , H05K3/3484 , H05K2201/0209 , H05K2201/10977 , H05K2203/043 , H05K2203/054 , H05K2203/0568 , H01L2924/00 , H01L2924/01083 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 一种形成电极间粘合结构的方法，包括步骤：树脂涂层形成在有第一电极部分的第一粘接物上，使树脂涂层覆盖第一电极部分。然后，在树脂涂层中形成开口以暴露第一电极部分。然后，在开口中填充含金属和树脂组分的金属膏。然后，第一粘接物放置在有第二电极部分的第二粘接物上，使开口中填充的金属膏面向第二电极部分，而树脂涂层接触第二粘接物。最后，利用加热处理，在使树脂涂层硬化的同时，它使第一粘接物与第二粘接物之间通过金属互相电路连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105592636B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510741043.X
申请日：2015-11-04
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/81 , B23K35/26 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/13023 , H01L2224/13109 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16507 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75702 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81098 , H01L2224/81192 , H01L2224/81211 , H01L2224/81444 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/8191 , H01L2224/81948 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/3511 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2201/10674 , H05K2203/047 , H01L2924/00014 , H01L2224/05166 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种电装置及其制造方法。电装置包括：第一电部件、第二电部件、以及连接第一电部件与第二电部件的In‑Sn‑Ag合金，所述In‑Sn‑Ag合金包含AgIn2和Ag2In，Ag2In含量低于AgIn2含量。
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公开(公告)号：CN106887418A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710096431.6
申请日：2014-11-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L25/065 , H01L21/98 , H05K3/34 , H01L23/14 , H01L23/31 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种电子设备及其制造方法。该电子设备包括：具有第一端子的第一电子部件，具有与第一端子相对的第二端子的第二电子部件，以及将第一端子与第二端子接合的接合部。接合部包含极状化合物，该极状化合物在第一端子与第二端子彼此相对的方向上延伸。接合部包含极状化合物，使得接合部的强度提高。当第一端子与第二端子接合时，使第一电子部件和第二电子部件中的一个电子部件的温度高于另一个电子部件的温度。在这种状态中冷却并且固化接合材料。通过这样做，形成极状化合物。
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公开(公告)号：CN103227157B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201210477612.0
申请日：2012-11-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L21/56
CPC classification number: H05K7/2039 , H01L21/4817 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/42 , H01L24/29 , H01L2224/16225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/16251
Abstract: 本发明涉及电子器件及其制造方法。所述电子器件包括：半导体器件；设置在所述半导体器件上方的导热树脂，所述导热树脂包括热导体和树脂；设置在所述导热树脂上方的线形碳件，所述线形碳件待与所述热导体热接触；以及设置在所述线形碳件上方的散热器，所述散热器包括容纳所述导热树脂的凹部。
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公开(公告)号：CN101925657B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200880125403.1
申请日：2008-01-25
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 作山诚树
IPC: C08L101/00 , C08K3/00 , H05K1/18
CPC classification number: H05K3/341 , H05K3/3494 , H05K2201/0209 , H05K2203/304 , H05K2203/308 , Y02P70/613
Abstract: 本发明提供一种为了防止热容量小的小型的耐热温度低的部件在焊锡附着时因过度升温而引起的热劣化，而能够使小型部件热容量暂时性增加的热容量控制材料，以及采用该热容量控制材料的部件安装方法。本发明的技术方案，包括：通过焊锡将具有电极的部件装载于基板上的工序；将热容量控制材料涂敷于部件上的工序，其中所述热容量控制材料是由相对于部件具有粘着性的第一树脂、通过加热使第一树脂固化的固化剂以及具有脱模性的第二树脂的混合物所构成；对基板进行热处理的热处理工序；以及在热处理工序后对部件上固化的所述热容量控制材料进行去除的去除工序。所述热容量控制材料还包括以比第一树脂的比热更高的无机材料作为主要成分的无机填充剂。
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公开(公告)号：CN103123916A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210376141.4
申请日：2012-09-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/50 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/5383 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16506 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81002 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/8142 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81457 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/81805 , H01L2224/81893 , H01L2224/81931 , H01L2224/83815 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083
Abstract: 本发明涉及半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件包括：连接构件，该连接构件包括形成在连接构件的主表面上的第一焊垫；半导体芯片，该半导体芯片包括其上形成第二焊垫的电路形成表面，该芯片安装在连接构件上使得电路形成表面面向主表面；以及钎料凸块，该钎料凸块连接第一焊垫和第二焊垫并且由包含Bi和Sn的金属制成，其中该块包括形成为靠近第二焊垫的第一界面层、形成为靠近第一焊垫的第二界面层、形成为靠近界面层中的任一个的第一中间区域，以及形成为靠近界面层中的另一个并且形成为靠近第一中间区域的第二中间区域；在第一中间区域中，Bi浓度高于Sn浓度；而在第二中间区域中，Sn浓度高于Bi浓度。
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