公开(公告)号：CN106463495A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580020010.4

申请日：2015-09-17

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 小田大造 ,  江藤基稀 ,  斋藤和之 ,  榛原照男 ,  大石良 ,  山田隆 ,  宇野智裕

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/532 ,  H01L23/49

摘要： 提供一种接合线，该接合线是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了在高温高湿环境中的球接合部的接合可靠性，适合于车载用装置。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，接合线包含合计为0.011～1.2质量％的Ga和/或Ge。由此，能够提高在高温高湿环境下的球接合部的接合寿命，改善接合可靠性。Pd被覆层的厚度优选为0.015～0.150μm。当接合线还含有分别为0.011～1.2质量％的Ni、Ir、Pt中的1种以上时，能够提高在175℃以上的高温环境中的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成包含Au和Pd的合金表皮层时，楔接合性改善。

公开(公告)号：CN106415830A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580002533.6

申请日：2015-09-18

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 山田隆 ,  小田大造 ,  榛原照男 ,  宇野智裕

IPC分类号： H01L23/49

摘要： 提供一种接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性，适合于车载用设备。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，接合线含有合计为0.1～100质量ppm的As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的1种以上的元素。由此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材还含有分别为0.011～1.2质量％的Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的1种以上时，能够提高在170℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成含有Au和Pd的合金表皮层时，楔接合性改善。

公开(公告)号：CN105023902A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510431505.8

申请日：2010-07-16

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 寺岛晋一 ,  宇野智裕 ,  山田隆 ,  小田大造

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  C22C5/02

CPC分类号： C22C5/04 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85564 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明提供即使对于镀钯的引线框也能够确保良好的楔接合性、耐氧化性优异的以铜或铜合金为芯线的半导体用接合线。根据一个实施方式的半导体用接合线，其特征在于，具有：由铜或铜合金构成的芯线；形成于该芯线的表面的具有10～200nm的厚度的含有钯的被覆层；和形成于该被覆层的表面的具有1～80nm的厚度的含有金和钯的合金层，所述合金层中的金的浓度为10体积％～75体积％，在测定接合线表面的结晶取向所得到的测定结果中，相对于拉丝方向的倾斜为15度以下的结晶取向 的晶粒的面积比为40％～100％。

公开(公告)号：CN107962313A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711344468.2

申请日：2016-05-19

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 山田隆 ,  小田大造 ,  榛原照男 ,  大石良 ,  斋藤和之 ,  宇野智裕

IPC分类号： B23K35/02 ,  B23K35/30 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L23/00

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  B32B15/00 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  C23C30/00 ,  C23C30/005 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

摘要： 一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接合可靠性，而且，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，通过使线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，使与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm，从而使耐力比为1.6以下。

公开(公告)号：CN106489199A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580002424.4

申请日：2015-07-22

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 山田隆 ,  小田大造 ,  榛原照男 ,  大石良 ,  斋藤和之 ,  宇野智裕

IPC分类号： H01L23/48 ,  B60B35/16

摘要： 本发明涉及一种具有Cu合金芯材和在其表面形成的Pd被覆层的半导体装置用接合线，谋求提高175℃～200℃的HTS中的球接合部的接合可靠性和使耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过使线中含有总计为0.03～2质量％的Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt中的1种以上，来提高HTS中的球接合部的接合可靠性，进而，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，使线长度方向的晶体取向之中、相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向 的取向比率为50％以上，且与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面中的平均结晶粒径为0.9～1.3μm，由此使耐力比为1.6以下。

公开(公告)号：CN105981164A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580005634.9

申请日：2015-12-28

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 山田隆 ,  小田大造 ,  大石良 ,  宇野智裕

IPC分类号： H01L23/49

摘要： 本发明提供一种半导体装置用接合线，其具有在Cu合金芯材的表面的以Pd为主成分的被覆层、和在该被覆层的表面的包含Au和Pd的表皮合金层，该半导体装置用接合线能够进一步改善镀Pd引线框上的2nd接合性，并且能够实现在高湿加热条件下也优异的球接合性。一种半导体装置用接合线，具有在Cu合金芯材的表面的以Pd为主成分的被覆层、和在该被覆层的表面的包含Au和Pd的表皮合金层，将线最表面中的Cu浓度设为1～10at％，在芯材中含有总计为0.1～3.0质量％的范围的元素周期表第10族的金属元素，由此能够实现2nd接合性的改善和高湿加热条件下的优异的球接合性。进而，优选表皮合金层的Au的最大浓度为15at％～75at％。

公开(公告)号：CN102842539B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201210313521.3

申请日：2008-07-24

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 宇野智裕 ,  木村圭一 ,  寺嶋晋一 ,  山田隆 ,  西林景仁

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43847 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/4568 ,  H01L2224/45684 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85048 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3861 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01081 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20653 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/2065 ,  H01L2924/20651 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049

摘要： 本发明的目的是提供材料费廉价且球接合性、热循环试验或软熔试验的可靠性优异、保管寿命也良好的也适应于窄间距用细线化的铜系接合线。本发明的半导体装置用接合线是具有以铜为主成分的芯材、和设置在所述芯材上的含有成分和组成的某一方或两方与所述芯材不同的金属M和铜的外层的接合线，其特征在于，所述外层的厚度为0.021～0.12μm，所述金属M为Pd，所述外层为含有50mol%以上的Pd的部位。

公开(公告)号：CN102687259B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201180005261.7

申请日：2011-02-03

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 宇野智裕 ,  山田隆 ,  池田敦夫

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/48 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3046 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01204

摘要： 本发明的目的是提供一种材料费便宜，与Al电极的接合部的长期可靠性优异，在车载用LSI用途中也能够应用的接合结构、以及半导体用铜接合线。形成将在铜接合线的尖端形成的球部与铝电极接合了的球接合部，所述的将在铜接合线的尖端形成的球部与铝电极接合了的球接合部，其特征在于，在将所述球接合部在130~200℃的任一温度下加热后，相对于在所述球接合部的截面中具有的由Cu和Al构成的金属间化合物的厚度，CuAl相的金属间化合物的厚度的比例即相对化合物比率R1为40%~100%。

公开(公告)号：CN107041160B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201580002609.5

申请日：2015-06-05

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 小田大造 ,  江藤基稀 ,  山田隆 ,  榛原照男 ,  大石良 ,  宇野智裕 ,  小山田哲哉

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08

CPC分类号： H01L24/45 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45609 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85054 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/8509 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明提供一种适合车载用装置的接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层，该接合线包含0.011～1.2质量％的In，Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。因此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材含有分别为0.05～1.2质量％的Pt、Pd、Rh、Ni中的1种以上时，能够提高在175℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成Au表皮层时，楔接合性改善。

公开(公告)号：CN105023902B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201510431505.8

申请日：2010-07-16

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 寺岛晋一 ,  宇野智裕 ,  山田隆 ,  小田大造

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  C22C5/02

CPC分类号： C22C5/04 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85564 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明提供即使对于镀钯的引线框也能够确保良好的楔接合性、耐氧化性优异的以铜或铜合金为芯线的半导体用接合线。根据一个实施方式的半导体用接合线，其特征在于，具有：由铜或铜合金构成的芯线；形成于该芯线的表面的具有10～200nm的厚度的含有钯的被覆层；和形成于该被覆层的表面的具有1～80nm的厚度的含有金和钯的合金层，所述合金层中的金的浓度为10体积％～75体积％，在测定接合线表面的结晶取向所得到的测定结果中，相对于拉丝方向的倾斜为15度以下的结晶取向 的晶粒的面积比为40％～100％。