公开(公告)号：CN108369938A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201780004409.2

申请日：2017-03-29

申请人： 密克罗奇普技术公司

发明人： 格雷戈里·迪克斯 ,  李·富瑞 ,  R·拉古纳塔

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L25/16 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及半导体装置。本发明教示的实施例可包含用于制造半导体装置的工艺及装置本身。例如，一些实施例可包含集成电路封装，其包括：引线框；第一裸片，其以覆晶方式安装在所述引线框上，所述第一裸片的前侧连接到所述引线框；其中所述第一裸片包括沉积在所述第一裸片的背侧上的氧化物层及沉积在所述氧化物层上的背面金属层；及第二裸片，其安装在所述第一裸片的所述背面金属层上。

公开(公告)号：CN108346651A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810063124.2

申请日：2018-01-23

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.阿伦斯 ,  J.赫格尔 ,  H.托尔维斯滕

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/34 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14251 ,  H01L2924/14252 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/19105

摘要： 本发明涉及包括晶体管芯片、二极管芯片和驱动器芯片的半导体模块。所述半导体模块包括：载体；设置在该载体上的至少一个半导体晶体管；设置在该载体上的至少一个半导体二极管；设置在该载体上的至少一个半导体驱动器芯片；多个外部连接器；以及包封层，所述包封层覆盖所述载体、所述半导体晶体管、所述半导体二极管和所述半导体驱动器芯片，其中所述包封层包括电通路连接，用于在所述至少一个半导体驱动器芯片和所述外部连接器之间、在所述至少一个半导体驱动器芯片和所述至少一个半导体晶体管之间以及在所述至少一个半导体晶体管和所述至少一个半导体二极管之间提供电连接。

公开(公告)号：CN103887190B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201310464601.3

申请日：2013-10-08

申请人： 英特赛尔美国有限公司

发明人： R·克鲁兹 ,  L·M·小卡朋特

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本文描述的实施方案涉及制造装置。所述方法包括在引线框架的内表面中蚀刻至少个凹部图案,所述至少个凹部图案包括限定安装区域的周边的周边凹部。所述方法还包括将组件附接至引线框架的内表面,使得所述组件的单个端子附接在安装区域中且单个端子覆盖周边凹部,其中周边凹部具有使得凹部接近单个端子的周边的尺寸和形状。

公开(公告)号：CN108321138A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201710755823.9

申请日：2017-08-29

申请人： 意法半导体公司

发明人： R·罗德里奎兹 ,  A·M·阿谷唐 ,  J·塔利多

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/482 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/26122 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265

摘要： 本公开涉及具有金属化侧壁的裸片和制造所述裸片的方法。将连续金属层施加至晶片的背侧的每一边缘。在所述背侧中形成的多个沟道的底部处切割所述晶片以产生单独的裸片，所述单独的裸片分别具有作为所述裸片的侧壁的一部分的凸缘，并且包括被所述金属层覆盖的部分。当将单独的裸片耦合至裸片焊盘时，半导电胶水将在所述侧壁上的所述金属层和所述裸片的背侧粘附至所述裸片焊盘，从而减少沿着所述裸片的侧面的层离的风险。所述凸缘还通过用作防止所述胶水粘附爬升到所述裸片的所述侧壁的障碍，来防止所述胶水接触所述裸片的所述有源侧。

公开(公告)号：CN108305863A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810010459.8

申请日：2018-01-05

申请人： 友立股份有限公司

发明人： 福崎润

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49534 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/30 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L23/4952 ,  H01L21/4825

摘要： 提供一种能够减少抗蚀剂掩膜的形成次数、简化工序、降低成本的引线框架及其制造方法。引线框架具有包括连续延伸的内引线与外引线的多个引线、及以在所述内引线及所述外引线的连接点与所述多个引线相交的方式延伸的连杆，在所述内引线、所述连杆及所述外引线的表面上连续设有镀层，在所述内引线的所述表面的边缘与所述内引线的表面上的所述镀层的边缘之间设有露出所述内引线的第1非镀层区域，在所述连杆的所述内引线侧的边缘与所述连杆的表面上的所述镀层的所述内引线侧的边缘之间设有露出所述连杆的第2非镀层区域。

公开(公告)号：CN108231719A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711293615.8

申请日：2017-12-08

申请人： 友立材料株式会社

发明人： 大川内竜二

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/50 ,  H01L23/564 ,  H01L23/49548

摘要： 本发明提供一种引线框，对于利用通过在成为引线框基材的金属板形成PPF镀层之后通过蚀刻来加工引线框形状的方法所制造的QFN型的引线框而言，能够抑制制造成本的增加、制造效率的降低，并且能够防止PPF镀层的毛刺的折断。该引线框在金属板(1)形成划分成为内部连接端子或内部连接端子及焊盘的柱状部(2)的凹部(3)，在柱状部的上部形成有对柱状部的上部顺次层叠Ni、Pd、Au而成的镀层(4)，其中，柱状部的上部具有：直线部(21)；R部(22)，其位于相邻的直线部彼此之间，R部处的镀层的侧面比金属板的侧面最上部向横向突出，直线部中央处的镀层的侧面的横向的位置与金属板的侧面最上部的横向的位置大致相同。

公开(公告)号：CN108140583A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201580083670.7

申请日：2015-10-06

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 上田哲也 ,  吉田博 ,  冈诚次 ,  坂本健

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L21/565 ,  B29C45/14065 ,  B29C45/14639 ,  B29C2045/14163 ,  B29L2031/3406 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67126 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 目的在于提供能够削减部件个数，并且抑制成本的技术。准备具备半导体元件(13)、多个电极端子(32)和将多个电极端子(32)连接的堤坝杆(33)的构造体，向端子孔(42c)配置构造体的包含多个电极端子(32)的一部分和堤坝杆(33)在内的部分(36)。然后，在端子孔(42c)内，通过可动夹具(71)对构造体的部分(36)进行夹持，并且，将可动夹具(71)的至少一部分嵌合于端子孔(42c)，然后向一对模具的内部空间注入树脂(73)。

公开(公告)号：CN104701306B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201410738558.X

申请日：2014-12-05

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 门口卓矢 ,  平野敬洋 ,  奥村知己 ,  福谷啓太 ,  西畑雅由

IPC分类号： H01L25/07

CPC分类号： H01L23/047 ,  H01L21/565 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在平面上；密封树脂，其对所述半导体元件进行密封；端子，其电连接到所述半导体元件并且包括从所述密封树脂的预定表面突出的部分；以及凹部，当沿与所述平面垂直的方向观察时，所述凹部从所述预定表面朝向所述半导体元件侧凹进。当沿与所述平面垂直的方向观察时，在所述半导体元件侧的所述凹部的边包括R形状。

公开(公告)号：CN103972196B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201310710875.6

申请日：2013-12-20

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： C·C·韩

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有倒装芯片附接的阵列引线框架封装件。本发明提供了一种小形状因子的近芯片尺度封装件（300），所述封装件不但沿着封装件（310，320）的外围，而且沿着封装件底部区域（330）包括输入/输出触点。通过使用倒装芯片接合技术，实施例使用耦接到片芯下的信号触点（410，420，430）的阵列引线框架提供了这些附加的触点。通过在封装件单颗化期间执行部分锯切的使用，所述阵列引线框架触点被电隔离。

公开(公告)号：CN108074903A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711130270.4

申请日：2017-11-15

申请人： 新光电气工业株式会社

发明人： 小林浩之佑 ,  阿藤晃士

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49503 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/4825 ,  H01L23/49527

摘要： 本发明公开了一种包括端子部分(14)的引线框架(1a，1b，1c，1d)。端子部分(14)包括：柱状的电极(14a)；第一金属镀层(40)，其形成在电极(14a)的上表面上；以及第二金属镀层(42)，其形成在电极的下表面上。端子部分(14)包括多个端子部分(14)。引线框架还包括联接到多个端子部分(14)的联接部分(16)。电极的上表面和联接部分(16)之间的第一距离大于电极的下表面和联接部分(16)之间的第二距离。