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公开(公告)号：CN103515436A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210216629.0
申请日：2012-06-27
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/15 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7839 , H01L29/0634 , H01L29/66007
摘要： 本发明公开了一种超级结功率器件，其N柱与P柱交替排列，另外，包括位于N柱上方的多晶硅栅电极和源极的形成，P阱的形成及包覆所述多晶硅栅电极的隔离介质层，贯穿P柱中的接触孔及位于顶端的金属填充物，其中，所述接触孔中填充有所述金属填充物，所述金属填充物与N型外延层接触形成肖特基接触，本发明于超级结深沟槽内挖深孔形成嵌入肖特基区域，能增加器件的反向恢复速度，增大器件集成度；本发明还公开了一种制造上述超级结功率器件的方法。
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公开(公告)号：CN102612264A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210049500.5
申请日：2008-10-29
申请人： 大日本印刷株式会社
发明人： 笹冈贤司
IPC分类号： H05K1/18 , H05K3/46 , H05K3/34 , H01L23/538
CPC分类号： H01L23/49861 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L29/66007 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81385 , H01L2224/81447 , H01L2224/83192 , H01L2924/00014 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/12042 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K1/186 , H05K1/187 , H05K3/3436 , H05K3/3442 , H05K3/4602 , H05K3/4614 , H05K2201/10636 , H05K2201/10674 , H05K2203/061 , H05K2203/063 , Y02P70/611 , H01L2924/01014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 本发明公开了一种内置元件电路板、内置元件电路板的制造方法。该内置元件电路板具有：第1绝缘层；第2绝缘层，相对于第1绝缘层以层叠状配置；半导体元件，包括埋设在第2绝缘层中而且包括具有压焊块的半导体芯片、以及与该压焊块导电连接的呈栅格状排列的表面安装用焊点；电气/电子元件，也埋设在第2绝缘层中；布线图形，设为夹在第1绝缘层和第2绝缘层之间中，具有半导体元件用的第1安装用焊盘和电气/电子元件用的第2安装用焊盘；第1连接元件，将半导体元件的表面安装用焊点和第1安装用焊盘导电连接；以及第2连接元件，将电气/电子元件的焊点和第2安装用焊盘导电连接，而且是与第1元件相同的材料。
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公开(公告)号：CN101843181A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880113984.7
申请日：2008-10-29
申请人： 大日本印刷株式会社
发明人： 笹冈贤司
CPC分类号： H01L23/49861 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L29/66007 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81385 , H01L2224/81447 , H01L2224/83192 , H01L2924/00014 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/12042 , H01L2924/19041 , H05K1/186 , H05K1/187 , H05K3/3436 , H05K3/3442 , H05K3/4602 , H05K3/4614 , H05K2201/10636 , H05K2201/10674 , H05K2203/061 , H05K2203/063 , Y02P70/611 , H01L2924/01014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 本发明公开了一种内置元件电路板，具有：第1绝缘层；第2绝缘层，相对于第1绝缘层以层叠状配置；半导体元件，包括埋设在第2绝缘层中而且包括具有压焊块的半导体芯片、以及与该压焊块导电连接的呈栅格状排列的表面安装用焊点；电气/电子元件，也埋设在第2绝缘层中；布线图形，设为夹在第1绝缘层和第2绝缘层之间中，具有半导体元件用的第1安装用焊盘和电气/电子元件用的第2安装用焊盘；第1连接元件，将半导体元件的表面安装用焊点和第1安装用焊盘导电连接；以及第2连接元件，将电气/电子元件的焊点和第2安装用焊盘导电连接，而且是与第1元件相同的材料。
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公开(公告)号：CN108389893A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810145227.3
申请日：2012-09-21
CPC分类号： H01L29/66 , B82Y10/00 , G11B23/282 , H01L23/293 , H01L27/016 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/0669 , H01L29/66007 , H01L29/7787 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L31/08 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q7/00 , Y10S257/922 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了瞬态器件，包括在施加至少一个内部和/或外部刺激时电学地和/或物理地转变的有源部件和无源部件。提供了瞬态电子器件的材料、建模工具、制造方法、器件设计以及系统级实施例。
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公开(公告)号：CN108376704A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810116375.2
申请日：2018-02-06
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： H01L29/76 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/18
CPC分类号： H01L29/7606 , H01L29/0684 , H01L29/267 , H01L29/66007
摘要： 本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层，并在异质结上通过光刻技术生长电极；用离子刻蚀技术进行器件绝缘化；转移石墨烯至异质结表面作为基区，通过光刻技术形成基区电极；最后使用PEALD在石墨烯上生长GaN薄膜作为第二势垒层，并在表面形成金属集电区。本发明通过使用PEALD在石墨烯上沉积GaN作为第二势垒层，将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合，发挥两种材料体系的优势，有效提升了热电子晶体管的性能，缩小器件尺寸。该方法热预算低，对石墨烯造成的损伤小，有效避免了器件在生产过程中造成的损伤。
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公开(公告)号：CN103887424B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201310713553.7
申请日：2013-12-20
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L29/82 , G11C11/161 , H01L29/66007 , H01L43/08
摘要： 本公开提供了磁性结及其提供方法以及磁存储器。该磁性结包括参考叠层、非磁性间隔层和自由层。参考叠层包括高垂直磁各向异性（PMA）层和在高PMA层与非磁性间隔层之间的渐变的极化增强层（PEL）。PEL与参考层磁耦合。PEL包括磁性层和非磁性插入层。PEL的至少部分具有比PMA层的自旋极化大的自旋极化。非磁性插入层配置为使得磁性层被铁磁耦合并使得高PMA和非磁性间隔层的结晶取向消除相互影响。在没有其余非磁性插入层的情形下，每个非磁性插入层的厚度不足以使所述结晶取向消除相互影响。当写电流流过磁性结时，自由层可在稳定的磁状态之间切换。
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公开(公告)号：CN104472023B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201280068702.2
申请日：2012-09-21
CPC分类号： H01L29/66 , B82Y10/00 , G11B23/282 , H01L23/293 , H01L27/016 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/0669 , H01L29/66007 , H01L29/7787 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L31/08 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q7/00 , Y10S257/922 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了瞬态器件，包括在施加至少一个内部和/或外部刺激时电学地和/或物理地转变的有源部件和无源部件。提供了瞬态电子器件的材料、建模工具、制造方法、器件设计以及系统级实施例。
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公开(公告)号：CN104813468B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201380060946.0
申请日：2013-06-17
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L43/12 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L29/66007 , H01L29/82 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 描述了具有偏移单元的垂直自旋转移扭矩存储器(STTM)器件和用于制造具有偏移单元的垂直STTM器件的方法。例如，自旋转移扭矩存储器(STTM)阵列包括设置于衬底上方并且只具有第一STTM器件的第一负载线。所述STTM阵列还包括设置于所述衬底上方、与所述第一负载线相邻并且只具有第二STTM器件的第二负载线，所述第二STTM器件与所述第一STTM器件非共面。
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公开(公告)号：CN107430984A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019953.X
申请日：2016-03-11
申请人： 美光科技公司
CPC分类号： H01L21/02118 , B81C1/00031 , B81C1/00206 , B82Y40/00 , H01L21/02227 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31138 , H01L29/02 , H01L29/0665 , H01L29/66007 , B82Y10/00
摘要： 本发明揭示一种形成纳米结构的方法，其包括在图案化衬底上形成核酸结构的定向自组装。所述图案化衬底包括多个区域。所述图案化衬底上的所述区域中的每一者经具体调适用于所述定向自组装中的特定核酸结构的吸附。
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公开(公告)号：CN104465718B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410478175.3
申请日：2014-09-18
申请人： 三垦电气株式会社
发明人： 川尻智司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7396 , H01L21/2815 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/407 , H01L29/42372 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66007 , H01L29/7394 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/7811
摘要： 本发明提供一种半导体装置，其能够低廉地进行制造且是降低了反馈电容的沟槽栅型。具有：半导体基板，其是层叠第1半导体区、第2半导体区、第3半导体区、以及第4半导体区而成的；绝缘膜，其配置在槽的内壁上，该槽从第4半导体区的上表面延伸，贯通第4半导体区以及第3半导体区而达到第2半导体区；控制电极，其在槽的侧面，与第3半导体区的侧面相对地配置在绝缘膜上；第1主电极，其与第1半导体区电连接；第2主电极，其与第3半导体区以及第4半导体区电连接；底面电极，其在槽的底面中与控制电极分离地配置在绝缘膜上，与第2主电极电连接，其中，在俯视时，槽的延伸方向的长度为槽的宽度以上，且，槽的宽度大于相邻的槽彼此之间的间隔。
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