公开(公告)号：CN110010503B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201811487556.2

申请日：2018-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴凯强 ,  余振华 ,  杨青峰 ,  陈孟泽

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/552 ,  H01L23/58 ,  H01L23/64

Abstract: 根据本发明的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括在第一介电层上方形成金属杆，在第一介电层上方附接第二介电层，将器件管芯、第二介电层、屏蔽结构和金属杆密封在密封材料中，平坦化密封材料以暴露器件管芯、屏蔽结构和金属杆，并且形成电连接至器件管芯的天线。天线具有与器件管芯的部分垂直对准的部分。根据本发明的实施例还提供了另一种形成半导体器件的方法以及一种半导体器件。

公开(公告)号：CN110957305A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910922374.1

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕俊麟 ,  林修任 ,  郭炫廷 ,  吴凯强 ,  何明哲 ,  陈威宇 ,  蔡钰芃 ,  张家纶 ,  郑佳申 ,  曹智强 ,  汤子君 ,  谢静华 ,  洪端佑 ,  翁正轩

IPC: H01L23/66 ,  H01Q1/22

Abstract: 提供一种电子装置及其制造方法。所述电子装置包括芯片封装、天线图案及绝缘层。芯片封装包括半导体管芯及包围半导体管芯的绝缘包封体。天线图案电耦合到芯片封装，其中天线图案的材料包括具有熔融金属颗粒的导电粉末。绝缘层设置在芯片封装与天线图案之间，其中天线图案包括接触绝缘层的第一表面及与第一表面相对的第二表面且第二表面的表面粗糙度大于第一表面的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN110783284A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910680355.2

申请日：2019-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  蔡仲豪 ,  余振华 ,  吕俊麟 ,  普翰屏 ,  吴凯强

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/552 ,  H01L25/16 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488

Abstract: 一种封装体包括半导体封装体、衬底及第二绝缘包封体，半导体封装体包括半导体管芯及第一绝缘包封体。第一绝缘包封体包封半导体管芯。衬底包括重布线路电路，其中衬底通过重布线路电路电耦合到半导体封装体。第二绝缘包封体设置在衬底上且局部地覆盖衬底，其中衬底夹置在半导体封装体与第二绝缘包封体之间。

公开(公告)号：CN110299351A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910220583.1

申请日：2019-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡仲豪 ,  林佳加 ,  吴凯强 ,  王垂堂 ,  余振华

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明的实施例是半导体器件及其形成方法，半导体器件包括具有有源侧和背侧的集成电路管芯，背侧与有源侧相对；密封集成电路管芯的模塑料以及位于集成电路管芯和模塑料上面的第一再分布结构，第一再分布结构包括第一金属化图案和第一介电层，第一金属化图案电连接至集成电路管芯的有源侧，第一金属化图案的至少部分形成电感器。

公开(公告)号：CN104425419B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310594171.7

申请日：2013-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玉芬 ,  吴凯强 ,  吕俊麟 ,  郭宏瑞

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的多个接触焊盘。接触焊盘被布置为球栅阵列（BGA），并且BGA包括多个拐角。金属坝被设置在BGA的多个拐角中的每一个拐角周围。

公开(公告)号：CN103295986B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210189750.9

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玉芬 ,  林俊宏 ,  普翰屏 ,  郑明达 ,  吴凯强

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了形成用于堆叠封装件的连接件的机构。形成用于堆叠封装件的连接件的机构的所述实施例能够实现具有更细间距的更小连接件，该连接件实现了更小的封装件尺寸以及额外的连接。一个封装件上的导电元件部分地嵌入在该封装件的模塑料中从而与另一个封装件上的接触件或金属焊盘相接合。通过嵌入导电元件，可以将导电元件制造得更小并且在导电元件和模塑料之间不具有间隙。可以通过向连接件的最大宽度加入间隔边距来确定连接件的间距。其他封装件上的各种类型的接触件可以与导电元件相接合。

公开(公告)号：CN104425419A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310594171.7

申请日：2013-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玉芬 ,  吴凯强 ,  吕俊麟 ,  郭宏瑞

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的多个接触焊盘。接触焊盘被布置为球栅阵列（BGA），并且BGA包括多个拐角。金属坝被设置在BGA的多个拐角中的每一个拐角周围。

公开(公告)号：CN103794568A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310071559.9

申请日：2013-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁世纬 ,  吕俊麟 ,  吴凯强 ,  杨青峰 ,  刘明凯 ,  缪佳君 ,  王彦评

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种集成电路，包括在顶面上方具有至少一个凹陷的衬底。至少一个焊料凸块设置在衬底上方。管芯设置在至少一个焊料凸块上方并通过至少一个焊料凸块与衬底电连接。底部填充物环绕至少一个焊料凸块并形成在衬底和管芯之间。至少一个凹陷设置在底部填充物周围以使来自底部填充物的任意溢出物保留在至少一个凹陷中。本发明还提供了集成电路底部填充方案。