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公开(公告)号：CN104112659B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410158402.4
申请日：2014-04-18
申请人： 精材科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/78 , H01L23/00
CPC分类号： H01L24/26 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/784 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/94 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/05562 , H01L2224/05566 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/94 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2224/03
摘要： 本发明提供一种晶片封装体、晶圆级晶片阵列及其制造方法，该晶圆级晶片阵列包含一半导体晶圆，具有相邻排列的至少二晶片以及一承载层，各该晶片具有一上表面及一下表面，且于该上表面包含至少一电子元件，该承载层覆盖于各该晶片的上表面；以及至少一外延线保护块，配置于该承载层之下且位于该至少二晶片之间，该外延线保护块的厚度小于该晶片的厚度，其中，该外延线保护块内部具有至少一外延线。本发明具有制程简化以及成本低廉的功效。
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公开(公告)号：CN107026139A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610997016.3
申请日：2016-09-29
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/02 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L23/291 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/02181 , H01L2224/0219 , H01L2224/02311 , H01L2224/02315 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/0235 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/03015 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05007 , H01L2224/05008 , H01L2224/05017 , H01L2224/05027 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05557 , H01L2224/05566 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/05042 , H01L2924/351 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/05556 , H01L2224/061 , H01L2224/13006 , H01L2924/0001 , H01L2224/13099 , H01L2924/00012
摘要： 本申请涉及制造半导体器件的方法和对应的器件。在一个实施例中，一种方法制造半导体器件，该半导体器件包括具有外围部分的金属化结构，该外围部分具有一个或多个下覆层，该下覆层具有面向外围部分延伸的边缘区域。方法包括：提供牺牲层以覆盖下覆层的边缘区域，在由牺牲层覆盖下覆层的边缘区域的同时提供金属化结构，以及移除牺牲层以使得下覆层的边缘区域面向外围部分延伸而在两者之间没有接触界面，由此避免热机械应力。
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公开(公告)号：CN105390466A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510438556.3
申请日：2015-07-22
申请人： 瑞萨电子株式会社
发明人： 大槻智朗
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/3192 , H01L23/5226 , H01L23/564 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03616 , H01L2224/0362 , H01L2224/04042 , H01L2224/05017 , H01L2224/05018 , H01L2224/05026 , H01L2224/05076 , H01L2224/05096 , H01L2224/0554 , H01L2224/05551 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05566 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/05576 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/94 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2224/03
摘要： 本发明提供了具有改善的可靠性的半导体装置。焊盘包括形成为穿过该焊盘的缝隙部分，并且还包括在平面视图中位于缝隙部分内侧的接合部分，以及在平面视图中位于缝隙部分外侧的边缘部分。在平面视图中，通孔围绕缝隙部分并且与焊盘的接合部分和焊盘的边缘部分接触。
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公开(公告)号：CN104617142B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201410610653.1
申请日：2014-11-04
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/778 , H01L29/772 , H01L29/775 , H01L21/335 , H01L21/336
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L21/28568 , H01L21/28575 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76852 , H01L23/532 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/8083 , H01L2224/0345 , H01L2224/0347 , H01L2224/03612 , H01L2224/03614 , H01L2224/0391 , H01L2224/03914 , H01L2224/04042 , H01L2224/05018 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05188 , H01L2224/05551 , H01L2224/05561 , H01L2224/05566 , H01L2224/05599 , H01L2224/05688 , H01L2224/45099 , H01L2224/85375 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/0496 , H01L2924/01042 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 半导体器件和用于生产其的方法。半导体器件包括：具有前端面和后端面的半导体主体，其具有位于前端面处的有源区；具有前端面和指向有源区的后端面的前表面金属化层，前表面金属化层被提供在半导体主体的前端面上并电连接到有源区；以及包括非晶金属氮化物的第一阻挡层，其位于有源区和金属化层之间。此外，提供了用于生产这样的器件的方法。
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公开(公告)号：CN105793964A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480027415.6
申请日：2014-11-13
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/02 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/02181 , H01L2224/02185 , H01L2224/0219 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/02373 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03462 , H01L2224/03466 , H01L2224/0347 , H01L2224/035 , H01L2224/03614 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05008 , H01L2224/05025 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05176 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05566 , H01L2224/05567 , H01L2224/05664 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/4502 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48664 , H01L2224/48864 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/04941 , H01L2924/07025 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/01008
摘要： 半导体器件具有形成于多层布线层的最上层的焊盘电极(9a)、在焊盘电极(9a)上有开口(11a)的基底绝缘膜(11)、形成在基底绝缘膜(11)上的基底金属膜(UM)、形成在基底金属膜(UM)上的再布线(RM)、和形成为覆盖再布线(RM)的上表面以及侧面的覆盖金属膜(CM)。而且，在再布线(RM)的外侧区域，在形成在再布线(RM)的侧壁上的覆盖金属膜(CM)与基底绝缘膜(11)之间形成有材料不同于再布线(RM)的基底金属膜(UM)和材料不同于再布线(RM)的覆盖金属膜(CM)，在再布线(RM)的外侧区域基底金属膜(UM)与覆盖金属膜(CM)直接接触。
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公开(公告)号：CN104617142A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410610653.1
申请日：2014-11-04
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/778 , H01L29/772 , H01L29/775 , H01L21/335 , H01L21/336
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L21/28568 , H01L21/28575 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76852 , H01L23/532 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/8083 , H01L2224/0345 , H01L2224/0347 , H01L2224/03612 , H01L2224/03614 , H01L2224/0391 , H01L2224/03914 , H01L2224/04042 , H01L2224/05018 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05188 , H01L2224/05551 , H01L2224/05561 , H01L2224/05566 , H01L2224/05599 , H01L2224/05688 , H01L2224/45099 , H01L2224/85375 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/0496 , H01L2924/01042 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 半导体器件和用于生产其的方法。半导体器件包括：具有前端面和后端面的半导体主体，其具有位于前端面处的有源区；具有前端面和指向有源区的后端面的前表面金属化层，前表面金属化层被提供在半导体主体的前端面上并电连接到有源区；以及包括非晶金属氮化物的第一阻挡层，其位于有源区和金属化层之间。此外，提供了用于生产这样的器件的方法。
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公开(公告)号：CN104112659A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410158402.4
申请日：2014-04-18
申请人： 精材科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/78 , H01L23/00
CPC分类号： H01L24/26 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/784 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/94 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/05562 , H01L2224/05566 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/94 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2224/03
摘要： 本发明提供一种晶片封装体、晶圆级晶片阵列及其制造方法，该晶圆级晶片阵列包含一半导体晶圆，具有相邻排列的至少二晶片以及一承载层，各该晶片具有一上表面及一下表面，且于该上表面包含至少一电子元件，该承载层覆盖于各该晶片的上表面；以及至少一外延线保护块，配置于该承载层之下且位于该至少二晶片之间，该外延线保护块的厚度小于该晶片的厚度，其中，该外延线保护块内部具有至少一外延线。本发明具有制程简化以及成本低廉的功效。
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公开(公告)号：CN206293434U
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201621215658.5
申请日：2016-09-29
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/02 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L23/291 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/02181 , H01L2224/0219 , H01L2224/02311 , H01L2224/02315 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/0235 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/03015 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05007 , H01L2224/05008 , H01L2224/05017 , H01L2224/05027 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05557 , H01L2224/05566 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/05042 , H01L2924/351
摘要： 本申请涉及半导体器件。该半导体器件包括：第一层，具有边缘区域；金属化结构，具有面向所述第一层的边缘区域而并未接触所述边缘区域的外围部分。由此避免热机械应力。
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