-
公开(公告)号:CN103579155A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201310327642.8
申请日:2013-07-31
申请人: 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L21/4814 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L23/48 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05023 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/08148 , H01L2224/08221 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/13008 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13647 , H01L2224/27825 , H01L2224/29011 , H01L2224/29023 , H01L2224/29035 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29564 , H01L2224/2957 , H01L2224/29647 , H01L2224/3003 , H01L2224/30051 , H01L2224/33517 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8183 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8383 , H01L2224/9211 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01013 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953
摘要: 本发明涉及一种制造用于热压键合的键合垫(100)的方法(200),其中,所述方法(200)具有提供步骤(202)和沉积步骤(204)。在所述提供步骤(202)中提供一具有半导体结构的载体材料(102),其中,所述载体材料(102)的最外部的边缘层构造成一布线金属层(106),用于电接触所述半导体结构。在所述沉积步骤(204)中将一单层的键合金属层(104)直接在所述布线金属层(106)的表面上进行沉积,用以制造所述键合垫(100)。
-
公开(公告)号:CN103635997B
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:CN201280033105.6
申请日:2012-06-26
申请人: 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号: H01L23/492 , H01L23/373 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/64 , H01L23/3735 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/70 , H01L24/83 , H01L2224/2732 , H01L2224/27418 , H01L2224/27848 , H01L2224/29 , H01L2224/29007 , H01L2224/29012 , H01L2224/29015 , H01L2224/29023 , H01L2224/29036 , H01L2224/29139 , H01L2224/29298 , H01L2224/3003 , H01L2224/30051 , H01L2224/3012 , H01L2224/30142 , H01L2224/3016 , H01L2224/30181 , H01L2224/32014 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/83048 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/07811 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/1517 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明的基本构思是制造衬底(11)与芯片(13)之间的烧结层连接,其不仅建立衬底(11)与芯片(13)之间的良好电连接和热连接而且减小芯片(13)中的机械应力。本发明涉及一种用于制造烧结层(12)的方法,所述方法包括以下步骤:在衬底(11)的主表面(11a)的接触面(21)上结构化地施加由构成所述烧结层(12)的初始材料构成的多个烧结元件(22a、22b、22c);在所述烧结元件(22a、22b、22c)上设置待与所述衬底(11)连接的芯片(13);加热以及压缩所述烧结元件(22a、22b、22c)以制造连接所述衬底(11)和所述芯片(13)的结构化的烧结层(12),所述烧结层(12)在所述接触面(21)内延伸,其中,在所述衬底(11)上在所述接触面(21)的中部区域(21a)中所述烧结元件(22a、22b、22c)的表面覆盖密度大于在所述接触面(21)的边缘区域(21c)中所述烧结元件(22a、22b、22c)的表面覆盖密度,其中,从所述烧结元件(22a、22b、22c)中的每一个存在至少一个横向于所述衬底(11)的所述主表面(11a)延伸至所述接触面(21)的边缘的穿通通道(23)。在所述接触面(21)的中部区域(21a)中可以设置一个大面积的烧结元件(22a)并且在所述接触面(21)的边缘区域(21c)中可以设置多个例如圆形的烧结元件(22c)。所述烧结元件(22a、22b、22c)也可以具有凹口(24)。本发明还涉及一种相应的装置(10、10’、10’’)。
-
公开(公告)号:CN103635997A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201280033105.6
申请日:2012-06-26
申请人: 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号: H01L23/492 , H01L23/373 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/64 , H01L23/3735 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/70 , H01L24/83 , H01L2224/2732 , H01L2224/27418 , H01L2224/27848 , H01L2224/29 , H01L2224/29007 , H01L2224/29012 , H01L2224/29015 , H01L2224/29023 , H01L2224/29036 , H01L2224/29139 , H01L2224/29298 , H01L2224/3003 , H01L2224/30051 , H01L2224/3012 , H01L2224/30142 , H01L2224/3016 , H01L2224/30181 , H01L2224/32014 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/83048 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/07811 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/1517 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明的基本构思是制造衬底(11)与芯片(13)之间的烧结层连接,其不仅建立衬底(11)与芯片(13)之间的良好电连接和热连接而且减小芯片(13)中的机械应力。本发明涉及一种用于制造烧结层(12)的方法,所述方法包括以下步骤:在衬底(11)的主表面(11a)的接触面(21)上结构化地施加由构成所述烧结层(12)的初始材料构成的多个烧结元件(22a、22b、22c);在所述烧结元件(22a、22b、22c)上设置待与所述衬底(11)连接的芯片(13);加热以及压缩所述烧结元件(22a、22b、22c)以制造连接所述衬底(11)和所述芯片(13)的结构化的烧结层(12),所述烧结层(12)在所述接触面(21)内延伸,其中,在所述衬底(11)上在所述接触面(21)的中部区域(21a)中所述烧结元件(22a、22b、22c)的表面覆盖密度大于在所述接触面(21)的边缘区域(21c)中所述烧结元件(22a、22b、22c)的表面覆盖密度,其中,从所述烧结元件(22a、22b、22c)中的每一个存在至少一个横向于所述衬底(11)的所述主表面(11a)延伸至所述接触面(21)的边缘的穿通通道(23)。在所述接触面(21)的中部区域(21a)中可以设置一个大面积的烧结元件(22a)并且在所述接触面(21)的边缘区域(21c)中可以设置多个例如圆形的烧结元件(22c)。所述烧结元件(22a、22b、22c)也可以具有凹口(24)。本发明还涉及一种相应的装置(10、10’、10’’)。
-
公开(公告)号:CN103579155B
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201310327642.8
申请日:2013-07-31
申请人: 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L21/4814 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L23/48 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05023 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/08148 , H01L2224/08221 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/13008 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13647 , H01L2224/27825 , H01L2224/29011 , H01L2224/29023 , H01L2224/29035 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29564 , H01L2224/2957 , H01L2224/29647 , H01L2224/3003 , H01L2224/30051 , H01L2224/33517 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8183 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8383 , H01L2224/9211 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01013 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953
摘要: 本发明涉及一种制造用于热压键合的键合垫(100)的方法(200),其中,所述方法(200)具有提供步骤(202)和沉积步骤(204)。在所述提供步骤(202)中提供一具有半导体结构的载体材料(102),其中,所述载体材料(102)的最外部的边缘层构造成一布线金属层(106),用于电接触所述半导体结构。在所述沉积步骤(204)中将一单层的键合金属层(104)直接在所述布线金属层(106)的表面上进行沉积,用以制造所述键合垫(100)。
-
公开(公告)号:CN102666368A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201080051452.2
申请日:2010-09-23
申请人: 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号: B81C3/00
CPC分类号: B81C1/00269 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/036 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/26145 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29076 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29117 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/30051 , H01L2224/30131 , H01L2224/30135 , H01L2224/30177 , H01L2224/30505 , H01L2224/30515 , H01L2224/32054 , H01L2224/32145 , H01L2224/32501 , H01L2224/83007 , H01L2224/83095 , H01L2224/83191 , H01L2224/83365 , H01L2224/83815 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/1631 , H01L2924/165 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014
摘要: 本发明提供一种用于接合半导体衬底的微机械方法和相应的装置以及相应的接合的半导体芯片。该装置包括一个半导体衬底,它具有带有大量半导体芯片(1)的芯片图案,其分别具有功能区(4)和包围功能区(4)的边缘区(4a),其中在与功能区(4)隔开的边缘区(4a)中设置有由至少两种合金组分组成的接合合金形成的接合框(2)。在边缘区(4a)的被接合框(2)所包围的部分(4a2)内部在接合框(2)和功能区(4)之间设置至少一个由合金组分中的至少一种形成的止流框(7;7a,7b;7b′;70),它设置得为在接合时当接合合金的熔融物遇到止流框(7;7a,7b;7b′;70)时接合合金出现凝固。
-
公开(公告)号:CN108389840A
公开(公告)日:2018-08-10
申请号:CN201810084515.2
申请日:2018-01-29
申请人: 株式会社捷太格特
发明人: 谷直树
IPC分类号: H01L23/367
CPC分类号: H01L23/36 , H01L23/488 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L29/4238 , H01L2224/13013 , H01L2224/131 , H01L2224/14051 , H01L2224/14151 , H01L2224/14156 , H01L2224/14517 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/29013 , H01L2224/291 , H01L2224/30051 , H01L2224/30151 , H01L2224/30156 , H01L2224/30517 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/33051 , H01L2224/33181 , H01L2224/73253 , H01L2224/81801 , H01L2224/81825 , H01L2224/83801 , H01L2224/83825 , H01L2924/3511 , H02K9/22 , H02K11/33 , H05K1/0201 , H05K2201/10439 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L23/3677 , H01L23/3672
摘要: 本发明涉及半导体装置。横向半导体芯片的电极面与基板通过多个第一接合部接合,上述多个第一接合部接合至少包括将形成在电极面的多个电极与基板接合而成的多个接合部。横向半导体芯片的非电极面与散热片通过将它们相互接合的第二接合部接合。在从法线方向观察基板的主面的俯视时,在将多个第一接合部的集合体的概略形状的轮廓内的区域设为第一接合区域,将第二接合部的轮廓内的区域设为第二接合区域的情况下,第一接合区域与第二接合区域的位置、形状以及大小一致。
-
公开(公告)号:CN102956569B
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201210304452.X
申请日:2012-08-24
申请人: 三菱电机株式会社
CPC分类号: H01L23/34 , H01L23/36 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L29/0657 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/30051 , H01L2224/30519 , H01L2224/8314 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2924/10155 , H01L2924/10158 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , Y10T156/10 , H01L2924/00
摘要: 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法,能够削减部件件数并且能够以充分的接合强度将半导体模块固定于冷却体,并且,能够使半导体模块充分地冷却。本申请发明的半导体装置(10)的特征在于,具备:半导体模块(14),具有由金属形成的导热部(16)和使该导热部在表面露出的模塑树脂(18);冷却体(12),利用接合材料(20)固定于该半导体模块(14);导热材料(22),形成在该导热部(16)和该冷却体(12)之间,将该导热部(16)和该冷却体(12)热连接。
-
公开(公告)号:CN102666368B
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201080051452.2
申请日:2010-09-23
申请人: 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号: B81C3/00
CPC分类号: B81C1/00269 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/036 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/26145 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29076 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29117 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/30051 , H01L2224/30131 , H01L2224/30135 , H01L2224/30177 , H01L2224/30505 , H01L2224/30515 , H01L2224/32054 , H01L2224/32145 , H01L2224/32501 , H01L2224/83007 , H01L2224/83095 , H01L2224/83191 , H01L2224/83365 , H01L2224/83815 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/1631 , H01L2924/165 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014
摘要: 本发明提供一种用于接合半导体衬底的微机械方法和相应的装置以及相应的接合的半导体芯片。该装置包括一个半导体衬底,它具有带有大量半导体芯片(1)的芯片图案,其分别具有功能区(4)和包围功能区(4)的边缘区(4a),其中在与功能区(4)隔开的边缘区(4a)中设置有由至少两种合金组分组成的接合合金形成的接合框(2)。在边缘区(4a)的被接合框(2)所包围的部分(4a2)内部在接合框(2)和功能区(4)之间设置至少一个由合金组分中的至少一种形成的止流框(7;7a,7b;7b′;70),它设置得为在接合时当接合合金的熔融物遇到止流框(7;7a,7b;7b′;70)时接合合金出现凝固。
-
公开(公告)号:CN102956569A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201210304452.X
申请日:2012-08-24
申请人: 三菱电机株式会社
CPC分类号: H01L23/34 , H01L23/36 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L29/0657 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/30051 , H01L2224/30519 , H01L2224/8314 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2924/10155 , H01L2924/10158 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , Y10T156/10 , H01L2924/00
摘要: 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法,能够削减部件件数并且能够以充分的接合强度将半导体模块固定于冷却体,并且,能够使半导体模块充分地冷却。本申请发明的半导体装置(10)的特征在于,具备:半导体模块(14),具有由金属形成的导热部(16)和使该导热部在表面露出的模塑树脂(18);冷却体(12),利用接合材料(20)固定于该半导体模块(14);导热材料(22),形成在该导热部(16)和该冷却体(12)之间,将该导热部(16)和该冷却体(12)热连接。
-
-
-
-
-
-
-
-