公开(公告)号：US20130075924A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13243558

申请日：2011-09-23

申请人： Yaojian Lin ,  Rui Huang ,  Kang Chen ,  Gu Yu

发明人： Yaojian Lin ,  Rui Huang ,  Kang Chen ,  Gu Yu

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device has a semiconductor die mounted to a carrier. An encapsulant is deposited over the semiconductor die and carrier. The carrier is removed. A first insulating layer is formed over the encapsulant and semiconductor die. First vias are formed through the first insulating layer to expose contact pads of the semiconductor die. A first conductive layer is formed over the first insulating layer and into the first vias to electrically connect to the contact pads of the semiconductor die. A second insulating layer is formed over the first insulating layer and first conductive layer. Second vias are formed through the second insulating layer by laser direct ablation and aligned or offset with the first vias to expose the first conductive layer. A second conductive layer is formed over the second insulating layer and into the second vias. Conductive vias can be formed through the encapsulant.

摘要翻译： 半导体器件具有安装到载体上的半导体管芯。 密封剂沉积在半导体管芯和载体上。 载体被移除。 在密封剂和半导体管芯上形成第一绝缘层。 通过第一绝缘层形成第一通孔以暴露半导体管芯的接触焊盘。 第一导电层形成在第一绝缘层上并且形成在第一通孔中，以电连接到半导体管芯的接触焊盘。 在第一绝缘层和第一导电层上形成第二绝缘层。 通过激光直接消融通过第二绝缘层形成第二通孔，并与第一通孔对准或偏移以暴露第一导电层。 第二导电层形成在第二绝缘层上并进入第二通孔中。 可以通过密封剂形成导电孔。

公开(公告)号：US20120187568A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13326157

申请日：2011-12-14

申请人： Yaojian Lin ,  Jose Alvin Caparas ,  Kang Chen ,  Hin Hwa Goh

发明人： Yaojian Lin ,  Jose Alvin Caparas ,  Kang Chen ,  Hin Hwa Goh

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L25/00 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81

摘要： A semiconductor device has a first semiconductor die including TSVs mounted to a carrier with a thermally releasable layer. A first encapsulant having a first coefficient of thermal expansion CTE is deposited over the first semiconductor die. The first encapsulant includes an elevated portion in a periphery of the first encapsulant that reduces warpage. A surface of the TSVs is exposed. A second semiconductor die is mounted to the surface of the TSVs and forms a gap between the first and second semiconductor die. A second encapsulant having a second CTE is deposited over the first and second semiconductor die and within the gap. The first CTE is greater than the second CTE. In one embodiment, the first and second encapsulants are formed in a chase mold. An interconnect structure is formed over the first and second semiconductor die.

摘要翻译： 半导体器件具有第一半导体管芯，其包括安装在具有热可释放层的载体上的TSV。 具有第一热膨胀系数CTE的第一密封剂沉积在第一半导体管芯上。 第一密封剂包括第一密封剂的周边中的升高部分，其减少翘曲。 暴露TSV的表面。 第二半导体管芯安装到TSV的表面，并在第一和第二半导体管芯之间形成间隙。 具有第二CTE的第二密封剂沉积在第一和第二半导体管芯上并且在间隙内。 第一个CTE大于第二个CTE。 在一个实施例中，第一和第二密封剂形成在追逐模具中。 在第一和第二半导体管芯上形成互连结构。

公开(公告)号：US20120161279A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13311266

申请日：2011-12-05

申请人： Yaojian Lin ,  Kai Liu ,  Kang Chen

发明人： Yaojian Lin ,  Kai Liu ,  Kang Chen

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H03H2001/0078 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device has a first semiconductor die. A first inductor is formed over the first semiconductor die. A second inductor is formed over the first inductor and aligned with the first inductor. An insulating layer is formed over the first semiconductor die and the first and second inductors. A conductive bridge is formed over the insulating layer and electrically connected between the second inductor and the first semiconductor die. In one embodiment, the semiconductor device has a second semiconductor die and a conductive layer is formed between the first and second semiconductor die. In another embodiment, a capacitor is formed over the first semiconductor die. In another embodiment, the insulating layer has a first thickness over a footprint of the first semiconductor die and a second thickness less than the first thickness outside the footprint of the first semiconductor die.

摘要翻译： 半导体器件具有第一半导体管芯。 在第一半导体管芯上形成第一电感器。 第二电感器形成在第一电感器上并与第一电感器对准。 在第一半导体管芯和第一和第二电感器上形成绝缘层。 导电桥形成在绝缘层之上并电连接在第二电感器和第一半导体管芯之间。 在一个实施例中，半导体器件具有第二半导体管芯，并且在第一和第二半导体管芯之间形成导电层。 在另一实施例中，在第一半导体管芯上形成电容器。 在另一个实施例中，绝缘层在第一半导体管芯的覆盖区之上具有第一厚度，并且第二厚度小于第一半导体管芯的覆盖区之外的第一厚度。

公开(公告)号：US20110278736A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US13191318

申请日：2011-07-26

申请人： Yaojian Lin ,  Kang Chen

发明人： Yaojian Lin ,  Kang Chen

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/81

摘要： A semiconductor device has a temporary carrier. A semiconductor die is oriented with an active surface toward, and mounted to, the temporary carrier. An encapsulant is deposited with a first surface over the temporary carrier and a second surface, opposite the first surface, is deposited over a backside of the semiconductor die. The temporary carrier is removed. A portion of the encapsulant in a periphery of the semiconductor die is removed to form an opening in the first surface of the encapsulant. An interconnect structure is formed over the active surface of the semiconductor die and extends into the opening in the encapsulant layer. A via is formed and extends from the second surface of the encapsulant to the opening. A first bump is formed in the via and electrically connects to the interconnect structure.

摘要翻译： 半导体器件具有临时载体。 半导体管芯被定向成具有朝着临时载体并且安装到临时载体的有源表面。 密封剂在临时载体上沉积有第一表面，并且与第一表面相对的第二表面沉积在半导体管芯的背面上。 移除临时载体。 去除半导体管芯的周边中的密封剂的一部分，以在密封剂的第一表面中形成开口。 互连结构形成在半导体管芯的有源表面上并延伸到密封剂层中的开口中。 通孔形成并从密封剂的第二表面延伸到开口。 在通孔中形成第一凸起并且电连接到互连结构。

公开(公告)号：US5170179A

公开(公告)日：1992-12-08

申请号：US649696

申请日：1991-02-01

申请人： Kang Chen ,  Nhut Chau

发明人： Kang Chen ,  Nhut Chau

IPC分类号： B41J2/34 ,  B41J2/345 ,  B41J2/36

CPC分类号： B41J2/345 ,  B41J2/34 ,  B41J2/36

摘要： Pulse fingers are disposed on a heat-generating material which fingers are pulsed to change the resistance of portions of the heat-generating material. By such change in the resistance of the heat-generating material, electrical current diffusion is prevented and heat diffusion is permitted between the changed resistance portion of the heat-generating material, thereby providing high resolution character printing and so-called "continuous" graphics printing.

摘要翻译： 脉冲指状物设置在发热材料上，手指被脉冲以改变发热材料的部分电阻。 通过发热材料的电阻的这种变化，防止了电流扩散，并且允许在发热材料的变化的电阻部分之间进行热扩散，从而提供高分辨率字符打印和所谓的“连续”图形印刷 。

公开(公告)号：USD1017892S1

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：US29887612

申请日：2023-03-22

申请人： Kang Chen

设计人： Kang Chen

摘要： FIG. 1 is a front, right and top perspective view of a cigar humidor showing my new design;
FIG. 2 is a rear, left and bottom perspective view thereof;
FIG. 3 is a front, right and top perspective view of the cigar humidor in a case;
FIG. 4 is a front elevational view thereof;
FIG. 5 is a rear elevational view thereof;
FIG. 6 is a left view thereof;
FIG. 7 is a right view thereof;
FIG. 8 is a top plan view thereof; and,
FIG. 9 is a bottom plan view thereof.
The broken lines illustrate portions of the cigar humidor that form no part of the claimed design.

公开(公告)号：US08828394B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13260008

申请日：2010-04-01

申请人： Andrea Cerutti ,  Kang Chen

发明人： Andrea Cerutti ,  Kang Chen

IPC分类号： A61K39/395 ,  A61K38/16 ,  C07K16/42

CPC分类号： A61K38/16 ,  A61K39/39566 ,  C07K16/4283 ,  C07K2317/24 ,  C07K2317/75 ,  Y10S424/805 ,  Y10S424/81 ,  Y10S530/862 ,  Y10S530/868

摘要： This invention relates to methods of treating IgE mediated disorders such as allergy and asthma based on activating surface-bound IgD molecules on basophils. The invention also relates to methods of making IgD, as well as methods of screening for antimicrobial agents from IgD-activated basophils.

摘要翻译： 本发明涉及基于在嗜碱性粒细胞上激活表面结合的IgD分子来治疗IgE介导的病症如过敏和哮喘的方法。 本发明还涉及制备IgD的方法，以及从IgD激活的嗜碱性粒细胞筛选抗微生物剂的方法。

公开(公告)号：USD984968S1

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：US29863875

申请日：2022-12-23

申请人： Kang Chen

设计人： Kang Chen

公开(公告)号：USD957731S1

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：US29796586

申请日：2021-06-25

申请人： Kang Chen

设计人： Kang Chen

公开(公告)号：US07564183B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US11443051

申请日：2006-05-31

申请人： Tzeng-Cherng Luo ,  Cheng-Fan Lin ,  Meng-Chieh Liao ,  Chi-Chung Chen ,  Kang Chen

发明人： Tzeng-Cherng Luo ,  Cheng-Fan Lin ,  Meng-Chieh Liao ,  Chi-Chung Chen ,  Kang Chen

IPC分类号： H01J1/62 ,  H01J63/04

CPC分类号： H01L27/3288 ,  H01L27/3223

摘要： An organic electroluminescent display panel, which comprises a substrate, at least one display structure area, at least one first dummy area, and at least one second dummy area. The display structure area comprises at least one encapsulation area, at least one pixel area, a first conducting area, a second conducting area, a wiring area, a first connecting area, and a second connecting area. The wiring area and the first dummy area connect the first connecting area, and the two conducting areas and the second dummy area connect the second connecting area. Besides, the first and the second connecting areas overlap a selected part of the encapsulation area of a neighboring display structure area. Accordingly, the number and capacity of display structure areas on the organic electroluminescent display panel are increased to obtain a uniform brightness during a lighting test.

摘要翻译： 一种有机电致发光显示面板，其包括基板，至少一个显示结构区域，至少一个第一虚拟区域和至少一个第二虚拟区域。 显示结构区域包括至少一个封装区域，至少一个像素区域，第一导电区域，第二导电区域，布线区域，第一连接区域和第二连接区域。 布线区域和第一虚拟区域连接第一连接区域，并且两个导电区域和第二虚拟区域连接第二连接区域。 此外，第一和第二连接区域与相邻显示结构区域的封装区域的选定部分重叠。 因此，增加有机电致发光显示面板上的显示结构区域的数量和容量，以在点亮测试期间获得均匀的亮度。