公开(公告)号：US20080013249A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11457318

申请日：2006-07-13

申请人： Henrik Ewe ,  Karl Weidner

发明人： Henrik Ewe ,  Karl Weidner

IPC分类号： H01G4/008

CPC分类号： H01L23/49548 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/33 ,  H01L24/75 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A method for producing a dielectric layer extending between two or more elements of an electronic component includes arranging a free-standing dielectric layer above the elements and a deformable support layer below the elements. The free-standing dielectric layer is laminated onto at least a portion of the first surface of the first element and onto at least a portion of the first surface of the second element such that a portion of the dielectric layer extends between the first surface of the first element and the first surface of the second element.

摘要翻译： 用于制造在电子部件的两个或更多个元件之间延伸的电介质层的方法包括在元件上方设置独立的电介质层和在元件下面形成可变形的支撑层。 独立电介质层被层压到第一元件的第一表面的至少一部分上并且到达第二元件的第一表面的至少一部分上，使得电介质层的一部分在第一元件的第一表面之间延伸 第一元件和第二元件的第一表面。

公开(公告)号：US08097936B2

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：US11685321

申请日：2007-03-13

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/4334 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/074 ,  H01L25/117 ,  H01L25/162 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

摘要： A component has a device applied to a device carrier, a first conducting layer grown onto the device and onto the device carrier, and an insulating material applied to the first conducting layer such that only a portion of the first conducting layer is covered.

摘要翻译： 组件具有施加到器件载体的器件，生长在器件上并在器件载体上的第一导电层，以及施加到第一导电层的绝缘材料，使得只有第一导电层的一部分被覆盖。

公开(公告)号：US20110108971A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12615648

申请日：2009-11-10

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Ivan Nikitin

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/185 ,  H05K1/186 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10969 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A laminate electronic device comprises a first semiconductor chip, the first semiconductor chip defining a first main face and a second main face opposite to the first main face, and having at least one electrode pad on the first main face. The laminate electronic device further comprises a carrier having a first structured metal layer arranged at a first main surface of the carrier. The first structured metal layer is bonded to the electrode pad via a first bond layer of a conductive material, wherein the first bond layer has a thickness of less than 10 μm. A first insulating layer overlies the first main surface of the carrier and the first semiconductor chip.

摘要翻译： 层压电子器件包括第一半导体芯片，第一半导体芯片限定第一主面和与第一主面相对的第二主面，并且在第一主面上具有至少一个电极焊盘。 层压电子器件还包括具有布置在载体的第一主表面上的第一结构金属层的载体。 第一结构化金属层经由导电材料的第一接合层接合到电极焊盘，其中第一接合层的厚度小于10μm。 第一绝缘层覆盖在载体的第一主表面和第一半导体芯片上。

公开(公告)号：US07799601B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US12018847

申请日：2008-01-24

申请人： Ivan Nikitin ,  Manfred Mengel ,  Beer Gottfried ,  Henrik Ewe

发明人： Ivan Nikitin ,  Manfred Mengel ,  Beer Gottfried ,  Henrik Ewe

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

摘要： This application relates to a method of manufacturing an electronic device comprising placing a first chip on a carrier; applying an insulating layer over the first chip and the carrier; applying a metal ions containing solution to the insulating layer for producing a first metal layer of a first thickness; and producing a second metal layer of a second thickness on the insulating layer wherein at least one of the first metal layer and the second metal layer comprises at least a portion that is laterally spaced apart from the respective other metal layer.

摘要翻译： 本申请涉及一种制造电子设备的方法，包括将第一芯片放置在载体上; 在第一芯片和载体上施加绝缘层; 将金属离子溶液施加到所述绝缘层上以制备第一厚度的第一金属层; 以及在所述绝缘层上产生第二厚度的第二金属层，其中所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一个包括至少一部分，所述至少一部分与相应的其它金属层横向间隔开。

公开(公告)号：US07662726B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11854877

申请日：2007-09-13

申请人： Joachim Mahler ,  Henrik Ewe ,  Manfred Mengel

发明人： Joachim Mahler ,  Henrik Ewe ,  Manfred Mengel

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14

摘要： An integrated circuit device includes a semiconductor device having an integrated circuit. A gas-phase deposited insulation layer is disposed on the semiconductor device, and a conducting line is disposed over the gas-phase deposited insulation layer.

摘要翻译： 集成电路器件包括具有集成电路的半导体器件。 气相沉积绝缘层设置在半导体器件上，并且导电线设置在气相沉积绝缘层上。

公开(公告)号：US08120158B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US12615648

申请日：2009-11-10

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Ivan Nikitin

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/185 ,  H05K1/186 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10969 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A laminate electronic device comprises a first semiconductor chip, the first semiconductor chip defining a first main face and a second main face opposite to the first main face, and having at least one electrode pad on the first main face. The laminate electronic device further comprises a carrier having a first structured metal layer arranged at a first main surface of the carrier. The first structured metal layer is bonded to the electrode pad via a first bond layer of a conductive material, wherein the first bond layer has a thickness of less than 10 μm. A first insulating layer overlies the first main surface of the carrier and the first semiconductor chip.

摘要翻译： 层压电子器件包括第一半导体芯片，第一半导体芯片限定第一主面和与第一主面相对的第二主面，并且在第一主面上具有至少一个电极焊盘。 层压电子器件还包括具有布置在载体的第一主表面上的第一结构金属层的载体。 第一结构化金属层经由导电材料的第一接合层接合到电极焊盘，其中第一接合层的厚度小于10μm。 第一绝缘层覆盖在载体的第一主表面和第一半导体芯片上。

公开(公告)号：US20110127675A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12628428

申请日：2009-12-01

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Stefan Landau

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Stefan Landau

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/56 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/05 ,  H05K1/185 ,  H05K1/188 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/09972 ,  H05K2203/0353 ,  H05K2203/1469 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A method of manufacturing a laminate electronic device is disclosed. One embodiment provides a carrier, the carrier defining a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface. The carrier has a recess pattern formed in the first main surface. A first semiconductor chip is attached on one of the first and second main surface. A first insulating layer overlying the main surface of the carrier on which the first semiconductor chip is attached and the first semiconductor chip is formed. The carrier is then separated into a plurality of parts along the recess pattern.

摘要翻译： 公开了一种制造层压电子装置的方法。 一个实施例提供载体，载体限定第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。 载体具有形成在第一主表面中的凹陷图案。 第一半导体芯片附接在第一和第二主表面之一上。 覆盖在其上附着有第一半导体芯片的载体的主表面上的第一绝缘层和形成第一半导体芯片。 然后沿着凹槽图案将载体分离成多个部分。

公开(公告)号：US07838978B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US11857773

申请日：2007-09-19

申请人： Joachim Mahler ,  Henrik Ewe ,  Manfred Mengel

发明人： Joachim Mahler ,  Henrik Ewe ,  Manfred Mengel

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L23/49572 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and method is disclosed. One embodiment provides a substrate and a first semiconductor chip applied over the substrate. A first electrically conductive layer is applied over the substrate and the first semiconductor chip. A first electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the first electrically insulating layer.

摘要翻译： 公开了半导体器件和方法。 一个实施例提供了施加在衬底上的衬底和第一半导体芯片。 在衬底和第一半导体芯片上施加第一导电层。 第一电绝缘层施加在第一导电层上。 在第一电绝缘层上施加第二导电层。

公开(公告)号：US20090093090A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US11867329

申请日：2007-10-04

申请人： Henrik Ewe ,  Stefan Landau ,  Klaus Schiess ,  Robert Bergmann ,  Alvin Wee Beng Tatt ,  Soon Lock Goh ,  Joachim Mahler ,  Boris Plikat ,  Reimund Engl

发明人： Henrik Ewe ,  Stefan Landau ,  Klaus Schiess ,  Robert Bergmann ,  Alvin Wee Beng Tatt ,  Soon Lock Goh ,  Joachim Mahler ,  Boris Plikat ,  Reimund Engl

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing a power semiconductor module having surface mountable flat external contact areas is disclosed. At least one power semiconductor chip is fixed by its rear side on a drain external contact. An insulation layer covers the top side over the side edges of the semiconductor chip as far as the inner housing plane was a leaving free the source and gate contact areas on the top side of the semiconductor chip and also was partly leaving free the top sides of the corresponding external contacts.

摘要翻译： 公开了一种具有表面安装平坦的外部接触区域的功率半导体模块的制造方法。 至少一个功率半导体芯片由其后侧固定在漏极外部触点上。 绝缘层覆盖半导体芯片的侧边缘上方的顶侧，只要内壳平面离开半导体芯片的顶侧上的源极和栅极接触区域，并且还部分地释放出半导体芯片的顶侧 相应的外部联系人。

公开(公告)号：US08866302B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13013022

申请日：2011-01-25

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Stefan Landau

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Stefan Landau

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L21/56 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/24247 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A device includes a first semiconductor chip with a first contact pad on a first face and a second semiconductor chip with a first contact pad on a first face. The second semiconductor chip is placed over the first semiconductor chip, wherein the first face of the first semiconductor chip faces the first face of the second semiconductor chip. Exactly one layer of an electrically conductive material is arranged between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip. The exactly one layer of an electrically conductive material electrically couples the first contact pad of the first semiconductor chip to the first contact pad of the second semiconductor chip.

摘要翻译： 一种器件包括在第一面上具有第一接触焊盘的第一半导体芯片和在第一面上具有第一接触焊盘的第二半导体芯片。 第二半导体芯片放置在第一半导体芯片上，其中第一半导体芯片的第一面面向第二半导体芯片的第一面。 在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间布置有一层导电材料。 精确的一层导电材料将第一半导体芯片的第一接触焊盘电耦合到第二半导体芯片的第一接触焊盘。