公开(公告)号：US20070032676A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11581657

申请日：2006-10-16

申请人： Michael Todd

发明人： Michael Todd

IPC分类号： C07F7/04

CPC分类号： C23C16/30 ,  C07F7/0896 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24975

摘要： Chemical vapor deposition processes result in films having low dielectric constants when suitable chemical precursors are utilized. Preferred chemical precursors include siloxanes, (fluoroalkyl)fluorosiloxanes, (fluoroalkyl)silanes, (alkyl)fluorosilanes, (fluoroalkyl)fluorosilanes, alkylsiloxysilanes, alkoxysilanes, alkylalkoxysilanes, silylmethanes, alkoxysilylmethanes, alkylalkoxysilylmethanes, alkoxymethanes, alkylalkoxymethanes, and mixtures thereof. The precursors are particularly suited to thermal CVD for producing low dielectric constant films at relatively low temperatures, particularly without the use of additional oxidizing agents. Such films are useful in the microelectronics industry.

摘要翻译： 当使用合适的化学前体时，化学气相沉积工艺导致具有低介电常数的膜。 优选的化学前体包括硅氧烷，（氟烷基）氟硅氧烷，（氟烷基）硅烷，（烷基）氟硅烷，（氟代烷基）氟硅烷，烷基硅氧烷，烷氧基硅烷，烷基烷氧基硅烷，甲硅烷基甲烷，烷氧基甲硅烷基甲烷，烷基烷氧基甲硅烷基甲烷，烷氧基甲烷，烷基烷氧基甲烷及其混合物。 前体特别适用于在较低温度下制备低介电常数膜的热CVD，特别是不使用另外的氧化剂。 这种膜在微电子工业中是有用的。

公开(公告)号：US20060216417A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11373408

申请日：2006-03-09

申请人： Michael Todd ,  Keith Weeks ,  Paul Jacobson

发明人： Michael Todd ,  Keith Weeks ,  Paul Jacobson

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/52

摘要： A substrate processing system has computer controlled injectors. The computer is configured to adjust a plurality of injectors, such as during deposition of a graded layer, between depositions of two different layers, or between deposition and chamber clean steps.

摘要翻译： 基板处理系统具有计算机控制的喷射器。 计算机被配置为调整多个喷射器，例如在沉积层析层期间，在两个不同层的沉积之间，或在沉积和室清洁步骤之间。

公开(公告)号：US20060088985A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：US11213449

申请日：2005-08-25

申请人： Ruben Haverkort ,  Yuet Wan ,  Marinus De Blank ,  Cornelius van der Jeugd ,  Jacobus Beulens ,  Michael Todd ,  Keith Weeks ,  Christian Werkhoven ,  Christophe Pomarede

发明人： Ruben Haverkort ,  Yuet Wan ,  Marinus De Blank ,  Cornelius van der Jeugd ,  Jacobus Beulens ,  Michael Todd ,  Keith Weeks ,  Christian Werkhoven ,  Christophe Pomarede

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185

摘要： Sequential processes are conducted in a batch reaction chamber to form ultra high quality silicon-containing compound layers, e.g., silicon nitride layers, at low temperatures. Under reaction rate limited conditions, a silicon layer is deposited on a substrate using trisilane as the silicon precursor. Trisilane flow is interrupted. A silicon nitride layer is then formed by nitriding the silicon layer with nitrogen radicals, such as by pulsing the plasma power (remote or in situ) on after a trisilane step. The nitrogen radical supply is stopped. Optionally non-activated ammonia is also supplied, continuously or intermittently. If desired, the process is repeated for greater thickness, purging the reactor after each trisilane and silicon compounding step to avoid gas phase reactions, with each cycle producing about 5-7 angstroms of silicon nitride.

摘要翻译： 在间歇反应室中进行连续工艺，以在低温下形成超高质量的含硅化合物层，例如氮化硅层。 在反应速率有限的条件下，使用丙硅烷作为硅前体在基板上沉积硅层。 三氯甲烷流动中断。 然后通过用氮自由基氮化硅层来形成氮化硅层，例如通过在丙硅烷步骤之后脉冲等离子体功率（远程或原位）而形成。 停止氮气供应。 任选地，还可以连续或间歇地提供非活化氨。 如果需要，重复该过程以获得更大的厚度，在每个丙硅烷和硅化合步骤之后清洗反应器以避免气相反应，每个循环产生约5-7埃的氮化硅。

公开(公告)号：US08207693B2

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US12367144

申请日：2009-02-06

申请人： Raymond Hauser ,  Christopher K. Wyatt ,  Michael Todd ,  Donald Rousser ,  Ivan E. Fox ,  Josh Butler

发明人： Raymond Hauser ,  Christopher K. Wyatt ,  Michael Todd ,  Donald Rousser ,  Ivan E. Fox ,  Josh Butler

IPC分类号： H02P1/54

CPC分类号： A01D34/008 ,  A01D34/78 ,  B60L15/007 ,  B60L15/20 ,  B60L15/2036 ,  B60L15/38 ,  B60L2200/40 ,  H02P5/68 ,  H02P5/74 ,  H04L12/403 ,  H05K1/14 ,  Y02T10/645 ,  Y02T10/646 ,  Y02T10/72 ,  Y02T10/7275

摘要： Controller assemblies and packaging for electronic control systems of electric motors utilized in utility vehicles or other power equipment. Features of the controller assemblies and packaging described herein allow for, among other things, modularity, scalability, and improved heat transfer.

摘要翻译： 用于多用途车辆或其他电力设备的电动马达的电子控制系统的控制器组件和包装。 这里描述的控制器组件和包装的特征允许尤其是模块化，可扩展性和改进的热传递。

公开(公告)号：US20110053859A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12682563

申请日：2008-10-10

申请人： Samuel A. Deadwyler ,  Robert E. Hampson ,  Linda Porrino ,  Michael Todd ,  Thomas N. Thannickal ,  Yuan-Yan Lai ,  Jerome M. Siegel

发明人： Samuel A. Deadwyler ,  Robert E. Hampson ,  Linda Porrino ,  Michael Todd ,  Thomas N. Thannickal ,  Yuan-Yan Lai ,  Jerome M. Siegel

IPC分类号： A61K38/17 ,  A61P25/00 ,  A61P25/16 ,  C12Q1/02

CPC分类号： A61M15/08 ,  A61K38/22

摘要： The invention provides methods of treating symptoms of sleep deprivation using a hypocretin agonist. The invention also provides methods of treating Parkinson's disease using a hypocretin agonist.

摘要翻译： 本发明提供使用降凝素激动剂治疗睡眠剥夺症状的方法。 本发明还提供了使用下丘脑激动剂治疗帕金森病的方法。

公开(公告)号：US20080051524A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11467610

申请日：2006-08-28

申请人： Qing Ji ,  Qiaohong Huang ,  Renzhe Zhao ,  Michael Todd

发明人： Qing Ji ,  Qiaohong Huang ,  Renzhe Zhao ,  Michael Todd

IPC分类号： C08L63/00 ,  C08L83/04 ,  H01L21/56 ,  B32B27/38

CPC分类号： C08L63/00 ,  C08L2666/22 ,  C09J163/00 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T428/31511

摘要： This invention relates to epoxy-based compositions useful as adhesives and sealants, and more particularly to underfill sealant, compositions with improved impact resistance.

摘要翻译： 本发明涉及可用作粘合剂和密封剂的环氧基组合物，更具体地说，涉及底部填充密封剂，具有改善耐冲击性的组合物。

公开(公告)号：US20070117359A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11626730

申请日：2007-01-24

申请人： Michael Todd

发明人： Michael Todd

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C30B29/06 ,  C23C16/24 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： Chemical vapor deposition methods are used to deposit amorphous silicon-containing films over various substrates. Such methods are useful in semiconductor manufacturing to provide a variety of advantages, including uniform deposition over heterogeneous surfaces, high deposition rates, and higher manufacturing productivity. Preferably, the deposited amorphous silicon-containing film is annealed to produce crystalline regions over all or part of an underlying substrate.

摘要翻译： 使用化学气相沉积方法在各种衬底上沉积非晶态含硅膜。 这种方法在半导体制造中可用于提供各种优点，包括在异质表面上的均匀沉积，高沉积速率和更高的制造生产率。 优选地，沉积的非晶态含硅膜被退火以在下面的基底的全部或部分上产生结晶区域。

公开(公告)号：US20070108383A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US10563056

申请日：2004-07-02

申请人： David Combes ,  Kevin Brunson ,  Mark McNie ,  Rhodri Davies ,  Michael Todd ,  Paul Donohue ,  Keith Lewis ,  Carl Anthony

发明人： David Combes ,  Kevin Brunson ,  Mark McNie ,  Rhodri Davies ,  Michael Todd ,  Paul Donohue ,  Keith Lewis ,  Carl Anthony

IPC分类号： G01J5/44

CPC分类号： G01K5/56 ,  G01J5/44

摘要： A device for detecting infrared radiation is described that comprises a resonator element (36; 72; 96; 120) fixably attached to a supporting frame (32;130). The supporting frame (32;130) is arranged to absorb infrared radiation received by the device. The resonator element (36; 72; 96; 120) has a resonant property, such as resonant frequency, that varies with temperature. The device may comprise a plurality of detection elements (70), each detection element comprising a resonator element (72) fixably attached to a supporting frame. A thermal detector array device may also be provided.

摘要翻译： 描述了用于检测红外辐射的装置，其包括可固定地附接到支撑框架（32; 130）的谐振器元件（36; 72; 96; 120）。 支撑框架（32; 130）被布置成吸收由装置接收的红外辐射。 谐振器元件（36; 72; 96; 120）具有随温度变化的共振特性，例如谐振频率。 该装置可以包括多个检测元件（70），每个检测元件包括可固定地附接到支撑框架的谐振元件（72）。 还可以提供热检测器阵列装置。

公开(公告)号：US20060247404A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US11117988

申请日：2005-04-29

申请人： Michael Todd

发明人： Michael Todd

IPC分类号： C08G77/00 ,  B32B3/26 ,  B32B3/00

CPC分类号： C23C16/401 ,  C09D4/00 ,  C09D183/04 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  C08G77/04

摘要： A method for making a Si-containing material comprises transporting a pyrolyzed Si-precursor to a substrate and polymerizing the pyrolyzed Si-precursor on the substrate to form a Si-containing film. Polymerization of the pyrolyzed Si-precursor may be carried out in the presence of a porogen to thereby form a porogen-containing Si-containing film. The porogen may be removed from the porogen-containing Si-containing film to thereby form a porous Si-containing film. Preferred porous Si-containing films have low dielectric constants and thus are suitable for various low-k applications such as in microelectronics and microelectromechanical systems.

摘要翻译： 制造含Si材料的方法包括将热解的Si前体输送到基底上并使基底上的热解Si前体聚合以形成含Si薄膜。 热解Si前体的聚合可以在致孔剂的存在下进行，从而形成含致孔剂的含Si的膜。 可以从含致孔剂的含Si膜除去致孔剂，从而形成多孔含Si膜。 优选的多孔含硅膜具有低介电常数，因此适用于各种低k应用，如微电子学和微机电系统。

公开(公告)号：US20050250302A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：US11179256

申请日：2005-07-12

申请人： Michael Todd ,  Ivo Raaijmakers

发明人： Michael Todd ,  Ivo Raaijmakers

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/337 ,  H01L21/425 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/51 ,  H01L29/737 ,  H01L29/78 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/84

CPC分类号： C23C16/0272 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/32055 ,  H01L28/84 ,  H01L29/127 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66242 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/933

摘要： Thin, smooth silicon-containing films are prepared by deposition methods that utilize a silicon containing precursor. In preferred embodiments, the methods result in Si-containing films that are continuous and have a thickness of about 150 Å or less, a surface roughness of about 5 Å rms or less, and a thickness non-uniformity of about 20% or less. Preferred silicon-containing films display a high degree of compositional uniformity when doped or alloyed with other elements. Preferred deposition methods provide improved manufacturing efficiency and can be used to make various useful structures such as wetting layers, HSG silicon, quantum dots, dielectric layers, anti-reflective coatings (ARC's), gate electrodes and diffusion sources.

摘要翻译： 通过使用含硅前体的沉积方法制备薄的，平滑的含硅膜。 在优选的实施方案中，该方法产生连续的并且具有约150或更小的厚度，约5μm或更小的表面粗糙度和约20％或更小的厚度不均匀性的含Si膜。 当与其它元素掺杂或合金化时，优选的含硅膜显示出高度的组成均匀性。 优选的沉积方法提供了改进的制造效率，并且可以用于制备各种有用的结构，例如润湿层，HSG硅，量子点，电介质层，抗反射涂层（ARC），栅电极和扩散源。