公开(公告)号：US20140061924A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13601265

申请日：2012-08-31

申请人： Hsin-Yu Chen ,  Ku-Feng Yang ,  Tasi-Jung Wu ,  Lin-Chih Huang ,  Yuan-Hung Liu ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Hsin-Yu Chen ,  Ku-Feng Yang ,  Tasi-Jung Wu ,  Lin-Chih Huang ,  Yuan-Hung Liu ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5384 ,  H01L27/0617 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus comprises an interlayer dielectric layer formed on a first side of a substrate, a first metallization layer formed over the interlayer dielectric layer, wherein the first metallization layer comprises a first metal line and a dielectric layer formed over the first metallization layer, wherein the dielectric layer comprises a metal structure having a bottom surface coplanr with a top surface of the first metal line.

摘要翻译： 一种装置包括形成在衬底的第一侧上的层间绝缘层，形成在层间介电层上的第一金属化层，其中第一金属化层包括形成在第一金属化层上的第一金属线和介电层，其中， 电介质层包括具有与第一金属线的顶表面共面的底表面的金属结构。

公开(公告)号：US08587127B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13161153

申请日：2011-06-15

申请人： Wen-Chih Chiou ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Hsin-Yu Chen

发明人： Wen-Chih Chiou ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Hsin-Yu Chen

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure includes a dielectric layer disposed over a substrate. A metallic line is disposed in the dielectric layer. A through-silicon-via (TSV) structure continuously extends through the dielectric layer and the substrate. A surface of the metallic line is substantially leveled with a surface of the TSV structure.

摘要翻译： 半导体结构包括设置在基板上的电介质层。 金属线设置在电介质层中。 贯穿硅通孔（TSV）结构连续地延伸穿过电介质层和衬底。 金属线的表面基本上与TSV结构的表面平齐。

公开(公告)号：US08580682B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12895296

申请日：2010-09-30

申请人： Ku-Feng Yang ,  Yung-Chi Lin ,  Hung-Pin Chang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Ku-Feng Yang ,  Yung-Chi Lin ,  Hung-Pin Chang ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： A device includes a substrate having a first surface, and a second surface opposite the first surface. A through-substrate via (TSV) extends from the first surface to the second surface of the substrate. A dielectric layer is disposed over the substrate. A metal pad is disposed in the dielectric layer and physically contacting the TSV, wherein the metal pad and the TSV are formed of a same material, and wherein no layer formed of a material different from the same material is between and spacing the TSV and the metal pad apart from each other.

摘要翻译： 一种器件包括具有第一表面的衬底和与第一表面相对的第二表面。 贯穿基板通孔（TSV）从基板的第一表面延伸到第二表面。 电介质层设置在衬底上。 金属焊盘设置在电介质层中并物理接触TSV，其中金属焊盘和TSV由相同的材料形成，并且其中由不同于相同材料的材料形成的层不在其间并且使TSV和 金属垫彼此分开。

公开(公告)号：US08500182B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US12818022

申请日：2010-06-17

申请人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： B25J15/00

CPC分类号： H01L21/67346 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68785

摘要： An apparatus for supporting a wafer includes a base, and a gas-penetration layer. The gas-penetration layer and a portion of the base directly underlying the gas-penetration layer form a gas passage therebetween. The gas passage is configured to be sealed by the wafer placed directly over the gas-penetration layer. The apparatus further includes a valve connected to the gas passage.

摘要翻译： 用于支撑晶片的装置包括基座和气体穿透层。 气体渗透层和直接位于气体穿透层下方的基底的一部分在它们之间形成气体通道。 气体通道被直接设置在气体穿透层上方的晶片密封。 该装置还包括连接到气体通道的阀。

公开(公告)号：US08362593B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US13168351

申请日：2011-06-24

申请人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2224/11

摘要： A system and method for stacking semiconductor dies is disclosed. A preferred embodiment comprises forming through-silicon vias through the wafer, protecting a rim edge of the wafer, and then removing the unprotected portions so that the rim edge has a greater thickness than the thinned wafer. This thickness helps the fragile wafer survive further transport and process steps. The rim edge is then preferably removed during singulation of the individual dies from the wafer.

摘要翻译： 公开了一种用于堆叠半导体管芯的系统和方法。 优选实施例包括形成通过晶片的穿硅通孔，保护晶片的边缘边缘，然后去除未受保护的部分，使得边缘边缘的厚度大于薄的晶片。 该厚度有助于脆弱的晶片在进一步的运输和工艺步骤中保持生存。 然后优选在从晶片分离单个模具期间移除边缘。

公开(公告)号：US08232140B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US12731281

申请日：2010-03-25

申请人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Tsung-Ding Wang

发明人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Tsung-Ding Wang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

摘要： A method for thin wafer handling and processing is provided. In one embodiment, the method comprises providing a wafer having a plurality of semiconductor chips, the wafer having a first side and a second side. A plurality of dies are attached to the first side of the wafer, at least one of the dies are bonded to at least one of the plurality of semiconductor chips. A wafer carrier is provided, wherein the wafer carrier is attached to the second side of the wafer. The first side of the wafer and the plurality of dies are encapsulated with a planar support layer. A first adhesion tape is attached to the planar support layer. The wafer carrier is then removed from the wafer and the wafer is diced into individual semiconductor packages.

摘要翻译： 提供了一种用于薄晶片处理和处理的方法。 在一个实施例中，该方法包括提供具有多个半导体芯片的晶片，该晶片具有第一侧和第二侧。 多个管芯附接到晶片的第一侧，至少一个管芯被结合到多个半导体芯片中的至少一个。 提供晶片载体，其中晶片载体附接到晶片的第二侧。 晶片的第一侧和多个管芯被平坦的支撑层封装。 第一粘合带附接到平面支撑层。 然后将晶片载体从晶片上移除，并将晶片切成单独的半导体封装。

公开(公告)号：US08119500B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US11740178

申请日：2007-04-25

申请人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/2007

摘要： A method for providing a stacked wafer configuration is provided. The method includes bonding a first wafer to a second wafer. A filler material is applied in a gap formed along edges of the first wafer and the second wafer. The filler material provides support along the edges during a thinning and transportation process to help reduce cracking or chipping. The filler material may be cured to reduce any bubbling that may have occurred while applying the filler material. Thereafter, the second wafer may be thinned by grinding, plasma etching, wet etching, or the like. In some embodiments of the present invention, this process may be repeated multiple times to create a stacked wafer configuration having three or more stacked wafers.

摘要翻译： 提供了提供堆叠晶片配置的方法。 该方法包括将第一晶片接合到第二晶片。 将填料施加在沿着第一晶片和第二晶片的边缘形成的间隙中。 填充材料在减薄和运输过程中沿着边缘提供支撑以帮助减少开裂或碎裂。 可以固化填充材料以减少在施加填充材料时可能发生的任何起泡。 此后，可以通过研磨，等离子体蚀刻，湿蚀刻等来减薄第二晶片。 在本发明的一些实施例中，该过程可以重复多次以产生具有三个或更多个堆叠晶片的堆叠晶片配置。

公开(公告)号：US20120032348A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13273845

申请日：2011-10-14

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L21/8221 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  Y10S148/164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013

摘要： A semiconductor structure includes a first die comprising a first substrate and a first bonding pad over the first substrate, a second die having a first surface and a second surface opposite the first surface, wherein the second die is stacked on the first die and a protection layer having a vertical portion on a sidewall of the second die, and a horizontal portion extending over the first die.

摘要翻译： 半导体结构包括第一裸片，其包括第一衬底和第一衬底上的第一焊盘，第二裸片，具有与第一表面相对的第一表面和第二表面，其中第二裸片堆叠在第一裸片上， 层，其具有在第二管芯的侧壁上的垂直部分，以及在第一管芯上延伸的水平部分。

公开(公告)号：US08058150B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12170494

申请日：2008-07-10

申请人： Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Jung-Chih Hu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Jung-Chih Hu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/78

摘要： A method for singulating semiconductor wafers is disclosed. A preferred embodiment comprises forming scrub lines on one side of the wafer and filling the scrub lines with a temporary fill material. The wafer is then thinned by removing material from the opposite side of the wafer from the scrub lines, thereby exposing the temporary fill material on the opposite side. The temporary fill material is then removed, and the individual die are removed from the wafer.

摘要翻译： 公开了一种用于分离半导体晶片的方法。 优选的实施方案包括在晶片的一侧上形成擦洗线，并用临时填充材料填充擦洗线。 然后通过从磨擦线从晶片的相对侧移除材料来使晶片变薄，从而在相对侧上暴露临时填充材料。 然后移除临时填充材料，并且将单个模具从晶片上移除。

公开(公告)号：US20110198721A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US12704695

申请日：2010-02-12

申请人： Ku-Feng YANG ,  Weng-Jin Wu ,  Hsin-Hsien Lu ,  Chia-Lin Yu ,  Chu-Sung Shih ,  Fu-Chi Hsu ,  Shau-Lin Shue

发明人： Ku-Feng YANG ,  Weng-Jin Wu ,  Hsin-Hsien Lu ,  Chia-Lin Yu ,  Chu-Sung Shih ,  Fu-Chi Hsu ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L29/06 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L2224/02372

摘要： A method for thinning a wafer is provided. In one embodiment, a wafer is provided having a plurality of semiconductor chips, the wafer having a first side and a second side opposite the first side, wherein each of the chips includes a set of through silicon vias (TSVs), each of the TSVs substantially sealed by a liner layer and a barrier layer. A wafer carrier is provided for attaching to the second side of the wafer. The first side of the wafer is thinned and thereafer recessed to partially expose portions of the liner layers, barrier layers and the TSVs protruding from the wafer. An isolation layer is deposited over the first side of the wafer and the top portions of the liner layers, barrier layers and the TSVs. Thereafter, an insulation layer is deposited over the isolation layer. The insulation layer is then planarized to expose top portions of the TSVs. A dielectric layer is deposited over the planarized first side of the wafer. One or more electrical contacts are formed in the dielectric layer for electrical connection to the exposed one or more TSVs.

摘要翻译： 提供了一种用于薄化晶片的方法。 在一个实施例中，提供具有多个半导体芯片的晶片，晶片具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，其中每个芯片包括一组穿通硅通孔（TSV），每个TSV 基本上被衬垫层和阻挡层密封。 提供晶片载体以附接到晶片的第二侧。 晶片的第一侧变薄并且凹陷以部分地暴露衬里层，阻挡层和从晶片突出的TSV的部分。 隔离层沉积在晶片的第一侧和衬垫层，阻挡层和TSV的顶部之上。 此后，绝缘层沉积在隔离层上。 然后将绝缘层平坦化以暴露TSV的顶部。 电介质层沉积在晶片的平坦化第一侧上。 在电介质层中形成一个或多个电触头，用于与暴露的一个或多个TSV电连接。