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    TECHNIQUES FOR PROVIDING DECOUPLING CAPACITANCE
    35.
    发明申请
    TECHNIQUES FOR PROVIDING DECOUPLING CAPACITANCE 失效
    提供去耦电容的技术

    公开(公告)号：US20080182359A1

    公开(公告)日：2008-07-31

    申请号：US12056852

    申请日：2008-03-27

    申请人： Raymond R. Horton ,  John U. Knickerbocker ,  Edmund J. Sprogis ,  Cornelia K. Tsang

    发明人： Raymond R. Horton ,  John U. Knickerbocker ,  Edmund J. Sprogis ,  Cornelia K. Tsang

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5382 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15311

    摘要： Techniques for electronic device fabrication are provided. In one aspect, an electronic device is provided. The electronic device comprises at least one interposer structure having one or more vias and a plurality of decoupling capacitors integrated therein, the at least one interposer structure being configured to allow for one or more of the plurality of decoupling capacitors to be selectively deactivated. In another aspect, a method of fabricating an electronic device comprising at least one interposer structure having one or more vias and a plurality of decoupling capacitors integrated therein comprises the following step. One or more of the plurality of decoupling capacitors are selectively deactivated.

    摘要翻译： 提供电子器件制造技术。 一方面，提供一种电子设备。 电子设备包括具有一个或多个通孔和集成在其中的多个去耦电容器的至少一个插入器结构，所述至少一个插入器结构被配置为允许选择性地去激活多个去耦电容器中的一个或多个。 在另一方面，一种制造电子器件的方法，包括至少一个具有一个或多个通孔的内插器结构和集成在其中的多个去耦电容器，其包括以下步骤。 选择性地去激活多个去耦电容器中的一个或多个。

    Precision fabricated silicon mold
    36.
    发明申请
    Precision fabricated silicon mold 审中-公开
    精密加工硅模具

    公开(公告)号：US20080029686A1

    公开(公告)日：2008-02-07

    申请号：US11499365

    申请日：2006-08-04

    申请人： Peter A. Gruber ,  John U. Knickerbocker

    发明人： Peter A. Gruber ,  John U. Knickerbocker

    IPC分类号： B29C33/56

    CPC分类号： B29C33/405 ,  B29C33/56 ,  B29C33/60 ,  B29K2083/00

    摘要： The invention provides a reusable precision fabricated silicon mold comprising a mold made of silicon which comprises a desired pattern of physical features cavities etched into the mold to transfer a patter on bumps to a semiconductor wafer, e.g., computer chip, semiconductor device, silicon on insulator device, etc.; an aperture etched into the mold adapted to allow gases to escape but does not to allow a solder to escape during the process of transferring solder bumps to a chip; a protective oxide or nitride on the mold; alignment marks adapted to properly align the mold with a semiconductor wafer; an organic release material on the mold adapted to release the mold from the semiconductor wafer, wherein the mold precisely defines a conductive adhesive material volume for interconnects on the semiconductor wafer.

    摘要翻译： 本发明提供了一种可重复使用的精密制造硅模，其包括由硅制成的模具，其包括蚀刻到模具中的物理特征空腔的图案，以将凸块上的图案转移到半导体晶片，例如计算机芯片，半导体器件，绝缘体上硅 设备等; 蚀刻到模具中的孔径适于允许气体逸出，但是在将焊料凸块转移到芯片的过程中不允许焊料逸出; 模具上的保护性氧化物或氮化物; 对准标记适于使模具与半导体晶片正确对准; 模具上的有机剥离材料适于从半导体晶片释放模具，其中模具精确地限定用于半导体晶片上的互连的导电粘合剂材料体积。

    Powdered metallic sheet method for deposition of substrate conductors
    38.
    发明授权
    Powdered metallic sheet method for deposition of substrate conductors 失效
    用于沉积衬底导体的粉末金属片方法

    公开(公告)号：US06402866B1

    公开(公告)日：2002-06-11

    申请号：US09410474

    申请日：1999-09-30

    申请人： Jon A. Casey ,  John U. Knickerbocker ,  David C. Long ,  Brenda L. Peterson

    发明人： Jon A. Casey ,  John U. Knickerbocker ,  David C. Long ,  Brenda L. Peterson

    IPC分类号： B32B3126

    CPC分类号： H05K3/046 ,  H01L21/4867 ,  Y10T29/49163

    摘要： A method and apparatus are provided for forming metal circuit patterns and other designs on greensheets and other substrates. The method and apparatus utilize a metal containing transfer sheet whereby selected portions of the metal containing transfer sheet are transferred to the greensheet forming the desired circuit pattern and then the transfer sheet removed. The metal containing transfer sheet may contain a release layer. Transfer methods include stamping, hot rolling, laser beam, heat, etc. and combinations thereof The transfer sheet may also have a stratified or graded vertical profile so that different conductivities or other circuit properties (transfer sheet adhesion, etc.) may be obtained in the formed pattern on the substrate.

    摘要翻译： 提供了一种方法和装置，用于在刮板和其它基底上形成金属电路图案和其它设计。 该方法和设备利用含金属的转印片，由此将含金属转印片的选定部分转移到形成所需电路图案的毛坯上，然后移除转印片。 含金属的转印片可以含有剥离层。 转印方法包括冲压，热轧，激光束，热等及其组合。转印片材还可以具有分层或分级的垂直轮廓，从而可以获得不同的电导率或其它电路性质（转印片粘合等） 衬底上形成的图案。

    Structure and process for making substrate packages for high frequency application
    39.
    发明授权
    Structure and process for making substrate packages for high frequency application 有权
    制造高频应用基板封装的结构和工艺

    公开(公告)号：US06291272B1

    公开(公告)日：2001-09-18

    申请号：US09471563

    申请日：1999-12-23

    申请人： Ajay P. Giri ,  John U. Knickerbocker ,  David C. Long ,  Subhash L. Shinde ,  Lisa M. Studzinski ,  Rao V. Vallabhaneni

    发明人： Ajay P. Giri ,  John U. Knickerbocker ,  David C. Long ,  Subhash L. Shinde ,  Lisa M. Studzinski ,  Rao V. Vallabhaneni

    IPC分类号： H01L2144

    CPC分类号： H01L21/4867 ,  H01L21/4857 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/15311

    摘要： A process for fabricating a microelectronic structure. The process comprises processing a metal carrier having a top surface and a bottom surface, wherein the top surface and the bottom surface are processed to promote adhesion, forming a dielectric layer around the metal carrier, wherein the dielectric layer substantially covers the top surface and the bottom surface of the metal carrier, and applying a first patterned layer of conductive material to the microelectronic structure. In one preferred embodiment, the process further comprises comprising sintering the metal carrier, the dielectric layer, and the first patterned layer of conductive material. In one preferred embodiment, the process further comprises forming a via hole through the metal carrier before the forming of the dielectric layer around the metal carrier, wherein the forming of the dielectric layer comprises forming the dielectric layer inside the via hole.

    摘要翻译： 一种制造微电子结构的方法。 该方法包括处理具有顶表面和底表面的金属载体，其中处理顶表面和底表面以促进粘附，在金属载体周围形成电介质层，其中电介质层基本上覆盖顶表面和 金属载体的底表面，以及将第一图案化的导电材料层施加到微电子结构。 在一个优选实施例中，该方法还包括包括烧结金属载体，电介质层和导电材料的第一图案化层。 在一个优选实施例中，该方法还包括在金属载体周围形成电介质层之前通过金属载体形成通孔，其中介电层的形成包括在通孔内形成电介质层。

    Aqueous cleaning of paste residue
    40.
    发明授权
    Aqueous cleaning of paste residue 失效
    糊状残留物的水性清洗

    公开(公告)号：US06277799B1

    公开(公告)日：2001-08-21

    申请号：US09344886

    申请日：1999-06-25

    申请人： Krishna G. Sachdev ,  James N. Humenik ,  John U. Knickerbocker ,  Glenn A. Pomerantz

    发明人： Krishna G. Sachdev ,  James N. Humenik ,  John U. Knickerbocker ,  Glenn A. Pomerantz

    IPC分类号： C11D172

    CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D1/008 ,  C11D1/02 ,  C11D1/24 ,  C11D1/29 ,  C11D1/66 ,  C11D1/662 ,  C11D1/72 ,  C11D1/88 ,  C11D1/90 ,  C11D3/2086 ,  H05K3/1216 ,  H05K3/26

    摘要： This invention relates to an aqueous cleaning method for removal of metal-organic composite paste residue from the surface of components, such as, screening masks, associated paste screening equipment, substrates, to name a few. The invention is particularly concerned with aqueous alkaline cleaning solutions comprising alkali metal salt and/or quaternary ammonium salt of an organic acid preferably &agr;-hydroxy carboxylic acid in the presence of excess alkali and optionally a surface active agent for use in cleaning components, such as, screening masks, associated screening equipment, substrates, etc., which are used in the production of electronic components.

    摘要翻译： 本发明涉及从组分表面除去金属 - 有机复合糊状残留物的水性清洗方法，例如筛选掩模，相关的糊状物筛选设备，底物等等。 本发明特别涉及含有碱金属盐和/或季铵盐的含水碱性清洗溶液，所述碱性金属盐和/或有机酸优选为α-羟基羧酸的季铵盐，所述碱性金属盐和/或季铵盐在过量碱和任选的表面活性剂存在下用于清洁组分，例如 ，筛选掩模，相关筛选设备，基材等，用于生产电子元件。