公开(公告)号：US06268232B1

公开(公告)日：2001-07-31

申请号：US09302224

申请日：1999-04-29

申请人： Helmut Skapa ,  Horst Muenzel ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Heinz-Georg Vossenberg

发明人： Helmut Skapa ,  Horst Muenzel ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Heinz-Georg Vossenberg

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： G01P15/0802 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00571 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/0109 ,  G01P1/023

摘要： A method for fabricating a micromechanical component, in particular a surface-micromechanical acceleration sensor, involves preparing a substrate and providing an insulation layer on the substrate, in which a patterned circuit trace layer is buried. A conductive layer, including a first region and a second region, is provided on the insulation layer, and a movable element is configured in the first region by forming a first plurality of trenches and by using an etching agent to remove at least one portion of the insulation layer from underneath the conductive layer. A contact element is formed and electrically connected to the circuit trace layer in the second region by configuring a second plurality of trenches, and the resultant movable element is encapsulated in the first region. The second plurality of trenches for forming the contact element in the second region is first formed after the encapsulation of the movable element formed in the first region.

摘要翻译： 用于制造微机械部件，特别是表面微机械加速度传感器的方法涉及准备衬底并在衬底上提供绝缘层，其中掩埋有图案化的电路迹线层。 包括第一区域和第二区域的导电层设置在绝缘层上，并且可移动元件通过形成第一多个沟槽而被构造在第一区域中，并且通过使用蚀刻剂去除至少一部分 绝缘层从导电层下面。 通过构造第二多个沟槽，形成接触元件并在第二区域中电连接到电路迹线层，并且所得到的可移动元件被封装在第一区域中。 在第二区域中形成接触元件的第二多个沟槽首先在形成在第一区域中的可移动元件的封装之后形成。

公开(公告)号：US06214243B1

公开(公告)日：2001-04-10

申请号：US09051878

申请日：1998-10-20

申请人： Horst Muenzel ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Andrea Schilp ,  Markus Lutz

发明人： Horst Muenzel ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Andrea Schilp ,  Markus Lutz

IPC分类号： B81B702

CPC分类号： G01C19/5747 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/058 ,  G01C19/5769

摘要： A process for the manufacture of a Coriolis rate-of-rotation sensor with oscillatory support masses spring-suspended on a substrate as well as driving means for the excitation of the planar oscillation of the oscillating masses and evaluation means for the determination of a Coriolis acceleration. Oscillating masses, driving means and integrated stops are structured in a common operation by means of plasma etching from a silicon-on-insulator (SOI) wafer.

摘要翻译： 用于制造具有弹簧悬浮在基板上的振荡支撑质量的科里奥利旋转速度传感器的方法以及用于激发振荡块的平面振荡的驱动装置和用于确定科里奥利加速度的评估装置 。 通过从绝缘体上硅（SOI）晶片进行等离子体蚀刻，振荡质量，驱动装置和集成止动器通过共同的操作构成。

公开(公告)号：US6117701A

公开(公告)日：2000-09-12

申请号：US907601

申请日：1997-08-08

申请人： Nicholas Buchan ,  Horst Muenzel ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Udo Bischof ,  Markus Lutz

发明人： Nicholas Buchan ,  Horst Muenzel ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Udo Bischof ,  Markus Lutz

IPC分类号： G01C19/56 ,  G01C19/5755 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/08 ,  H01L29/84 ,  H01L41/08 ,  H01L21/00 ,  G01P15/00

CPC分类号： G01C19/5755 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814

摘要： A rate-of-rotation sensor includes a three-layer system. The rate-of-rotation sensor and the conductor traces are patterned out of the third layer. The conductor traces are electrically insulated (isolated) by cutouts from other regions of the third layer and by a second electrically insulating layer from a first layer. Thus, a simple electrical contacting (configuration) is achieved that is patterned out of a three-layer system. Since the same etching process is used for the first and the third layer, an especially efficient manufacturing is possible.

摘要翻译： 旋转速度传感器包括三层系统。 转速传感器和导体迹线从第三层图案化。 导体迹线通过从第三层的其它区域的切口和与第一层的第二电绝缘层的切口电绝缘（隔离）。 因此，实现了由三层系统构图的简单的电接触（构造）。 由于在第一和第三层使用相同的蚀刻工艺，所以可以进行特别有效的制造。

公开(公告)号：US5542558A

公开(公告)日：1996-08-06

申请号：US308245

申请日：1994-09-19

申请人： Gerhard Benz ,  Jiri Marek ,  Martin Willmann ,  Frank Bantien ,  Horst Muenzel ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Andrea Schilp

发明人： Gerhard Benz ,  Jiri Marek ,  Martin Willmann ,  Frank Bantien ,  Horst Muenzel ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Andrea Schilp

IPC分类号： H01L29/84 ,  F16C11/06 ,  F16C23/04 ,  F16C33/10 ,  G01P15/08 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/316 ,  H01L21/306

CPC分类号： G01P15/0802 ,  Y10S438/96

摘要： A method for manufacturing micro-mechanical components in which a structure is produced on a silicon layer, which is to be undercut in a further step. The silicon is selectively anodized for this undercutting operation. Thus, the method enables the manufacturing of micro-mechanical components that can be integrated together with bipolar circuit elements.

摘要翻译： 一种制造微机械部件的方法，其中在另一步骤中将被切削的硅层上产生结构。 对于该底切操作，硅被选择性地阳极氧化。 因此，该方法能够制造可与双极电路元件集成在一起的微机械部件。

公开(公告)号：US5616523A

公开(公告)日：1997-04-01

申请号：US627819

申请日：1996-04-02

申请人： Gerhard Benz ,  Jiri Marek ,  Frank Bantien ,  Horst Muenzel ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Andrea Schilp

发明人： Gerhard Benz ,  Jiri Marek ,  Frank Bantien ,  Horst Muenzel ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Andrea Schilp

IPC分类号： H01L21/306 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

CPC分类号： G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0817 ,  G01P2015/0828

摘要： A method for manufacturing sensors from a multilayer plate with upper and lower monocrystalline silicon layers and an etching layer between them. The upper silicon layer is structured by the introduction of troughs therein extending down to the etching layer. Sensor structures, such as a bending beam that is used in an acceleration sensor, are created by etching the etching layer beneath a part of the silicon layer structured in this manner.

摘要翻译： 一种从具有上，下单晶硅层的多层板和它们之间的蚀刻层制造传感器的方法。 上硅层通过引入其中向下延伸到蚀刻层的槽而构成。 传感器结构，例如用于加速度传感器中的弯曲梁，通过蚀刻以这种方式构造的硅层的一部分下方的蚀刻层来产生。

公开(公告)号：US6030850A

公开(公告)日：2000-02-29

申请号：US030414

申请日：1998-02-25

申请人： Juergen Kurle ,  Karsten Funk ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Andrea Schilp

发明人： Juergen Kurle ,  Karsten Funk ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Andrea Schilp

IPC分类号： G01L1/18 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  G01L1/00 ,  H01L21/461

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81C1/0019 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2203/0118 ,  G01P2015/0814

摘要： In a sensor and a method for manufacturing a sensor, a movable element is patterned out of a silicon layer and is secured to a substrate. The conducting layer is subdivided into various regions, which are electrically insulated from one another. The electrical connection between the various regions of the silicon layer is established by a conducting layer, which is arranged between a first and a second insulating layer.

摘要翻译： 在传感器和制造传感器的方法中，可移动元件被图案化为硅层并固定到基底。 导电层被细分成彼此电绝缘的各个区域。 通过布置在第一和第二绝缘层之间的导电层来建立硅层的各个区域之间的电连接。

公开(公告)号：US5756901A

公开(公告)日：1998-05-26

申请号：US718603

申请日：1996-09-24

申请人： Juergen Kurle ,  Karsten Funk ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Andrea Schilp

发明人： Juergen Kurle ,  Karsten Funk ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Andrea Schilp

IPC分类号： G01L1/18 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  G01L1/00

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81C1/0019 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2203/0118 ,  G01P2015/0814

摘要： In a sensor and a method for manufacturing a sensor, a movable element is patterned out of a silicon layer and is secured to a substrate. The conducting layer is subdivided into various regions, which are electrically insulated from one another. The electrical connection between the various regions of the silicon layer is established by a conducting layer, which is arranged between a first and a second insulating layer.

摘要翻译： 在传感器和制造传感器的方法中，可移动元件被图案化为硅层并固定到基底。 导电层被细分成彼此电绝缘的各个区域。 通过布置在第一和第二绝缘层之间的导电层来建立硅层的各个区域之间的电连接。

公开(公告)号：US06558559B1

公开(公告)日：2003-05-06

申请号：US09019011

申请日：1998-02-05

申请人： Volker Becker ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Andrea Schilp

发明人： Volker Becker ,  Franz Laermer ,  Michael Offenberg ,  Andrea Schilp

IPC分类号： C23F100

CPC分类号： B81C1/00

摘要： A method of sacrificial layer etching of micromechanical surface structures, in which a sacrificial layer is deposited on a heatable silicon substrate and is structured. A temperature difference between the substrate and the vapor phase of an etching medium is established in such a way that exposed metal contacts made of aluminum alloys are not attacked at the same time and are not subsequently exposed to any risk of corrosion.

摘要翻译： 一种牺牲层蚀刻微机械表面结构的方法，其中牺牲层沉积在可加热的硅衬底上并被构造。 蚀刻介质的衬底和气相之间的温度差异以这样的方式建立，使得由铝合金制成的暴露的金属触点不会同时受到冲击，并且不会随后暴露于任何腐蚀的风险。

公开(公告)号：US08885849B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13138276

申请日：2010-01-11

申请人： Alberto Arias-Drake ,  Thomas Buck ,  Jochen Zoellin ,  Juan Ramos-Martos ,  Franz Laermer ,  Antonio Ragel-Morales ,  Joaquin Ceballos-Caceres ,  Jose M. Mora-Gutierrez

发明人： Alberto Arias-Drake ,  Thomas Buck ,  Jochen Zoellin ,  Juan Ramos-Martos ,  Franz Laermer ,  Antonio Ragel-Morales ,  Joaquin Ceballos-Caceres ,  Jose M. Mora-Gutierrez

IPC分类号： H04B15/00 ,  H04R19/01 ,  H04R3/00

CPC分类号： H04R3/007 ,  H04R19/016

摘要： A concept is proposed for a MEMS microphone which may be operated at a relatively low voltage level and still have comparatively high sensitivity. The component according to the present invention includes a micromechanical microphone structure having an acoustically active diaphragm which functions as a deflectable electrode of a microphone capacitor (1), and a stationary acoustically permeable counterelement which functions as a counter electrode of the microphone capacitor (1). The component also includes means for applying a high-frequency clock signal (2) to the microphone capacitor (1) and for applying the inverted clock signal (2′) to an adjustable but acoustically inactive compensation capacitor (7), an integrating operational amplifier (3) which integrates the sum of the current flow through the microphone capacitor (1) and the current flow through the compensation capacitor (7), a demodulator (4) for the output signal of the integrating operational amplifier (3), the demodulator being synchronized with the clock signal (2), and a low-pass filter for obtaining a microphone signal which corresponds to the changes in capacitance of the microphone capacitor (1), based on the output signal of the demodulator (4).

摘要翻译： 对于可以在相对低的电压水平操作且仍具有较高灵敏度的MEMS麦克风提出了一个概念。 根据本发明的部件包括具有用作麦克风电容器（1）的可偏转电极的声学活动膜片的微机械麦克风结构和用作麦克风电容器（1）的对电极的静止声透射反射器， 。 该组件还包括用于将高频时钟信号（2）施加到麦克风电容器（1）并用于将反相时钟信号（2'）施加到可调谐但无声补偿电容器（7）的装置，积分运算放大器 （3），其集成了通过麦克风电容器（1）的电流和通过补偿电容器（7）的电流之和，用于积分运算放大器（3）的输出信号的解调器（4），解调器 与时钟信号（2）同步，以及低通滤波器，用于基于解调器（4）的输出信号获得与麦克风电容器（1）的电容变化相对应的麦克风信号。

公开(公告)号：US08329555B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12734994

申请日：2008-10-20

申请人： Frank Reichenbach ,  Franz Laermer ,  Silvia Kronmueller ,  Andreas Scheurle

发明人： Frank Reichenbach ,  Franz Laermer ,  Silvia Kronmueller ,  Andreas Scheurle

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： B81C1/00301 ,  B81B2207/095 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A method for producing a capping wafer for a sensor having at least one cap includes: production of a contacting via extending through the wafer, and, temporally subsequent thereto, filling of the contacting via with an electrically conductive material.

摘要翻译： 一种用于制造具有至少一个盖的传感器的封盖晶片的方法包括：产生通过晶片延伸的接触通孔，并且在其后随后通过导电材料填充接触通孔。