公开(公告)号：US6164523A

公开(公告)日：2000-12-26

申请号：US108448

申请日：1998-07-01

申请人： Joseph K. Fauty ,  James P. Letterman, Jr. ,  Michael J. Seddon

发明人： Joseph K. Fauty ,  James P. Letterman, Jr. ,  Michael J. Seddon

IPC分类号： H01L21/60 ,  B23K20/00 ,  B23K20/16 ,  H01L21/607 ,  H01L23/485 ,  B23K31/00 ,  B23K31/02 ,  H05K3/00

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/004 ,  B23K20/16 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48871 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2224/85815 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2076 ,  Y10T29/49149 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48771 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/00015

摘要： A method of manufacturing an electronic component includes providing a substrate (101), forming a semiconductor device in the substrate (101), depositing a metal layer (107) over the substrate (101) and electrically coupled to the semiconductor device, depositing a layer (108) of solder over the metal layer, and wire bonding a wire (109) to the metal layer (107).

摘要翻译： 一种制造电子部件的方法包括：提供基板（101），在所述基板（101）中形成半导体器件，在所述基板（101）上方沉积金属层（107）并电耦合到所述半导体器件，沉积层 （108）焊接在所述金属层上，并且将导线（109）引线接合到所述金属层（107）。

公开(公告)号：US08871613B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13526140

申请日：2012-06-18

申请人： Michael J. Seddon

发明人： Michael J. Seddon

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/822

摘要： In one embodiment, semiconductor die are singulated from a semiconductor wafer by forming trenches along singulation lines and initiating a cracks from within the trenches, which propagate through the semiconductor wafer in a more controlled manner.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体管芯通过沿着分割线形成沟槽并从沟槽内引发裂纹，半导体管芯通过半导体晶片以更受控的方式传播通过半导体晶片，从半导体晶片切割。

公开(公告)号：US08084335B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12172075

申请日：2008-07-11

申请人： Michael J. Seddon ,  Francis J. Carney

发明人： Michael J. Seddon ,  Francis J. Carney

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14

摘要： A method for manufacturing a thin semiconductor wafer. A semiconductor wafer is thinned from its backside followed by the formation of a cavity in a central region of the backside of the semiconductor wafer. Forming the cavity also forms a ring support structure in a peripheral region of the semiconductor wafer. An electrically conductive layer is formed in at least the cavity. The front side of the semiconductor wafer is mated with a tape that is attached to a film frame. The ring support structure of the semiconductor wafer is thinned to form the thinned semiconductor wafer. A backside tape is coupled to semiconductor wafer and to the film frame and the tape coupled to the front side of the semiconductor wafer is removed. The thinned semiconductor wafer is singulated.

摘要翻译： 一种薄半导体晶片的制造方法。 半导体晶片从其背面变薄，随后在半导体晶片的背面的中心区域中形成空腔。 形成空腔也在半导体晶片的周边区域中形成环状支撑结构。 至少在空腔中形成导电层。 半导体晶片的前侧与安装在胶片框架上的胶带配合。 半导体晶片的环支撑结构被薄化以形成变薄的半导体晶片。 背面带耦合到半导体晶片和薄膜框架，并且去除耦合到半导体晶片的前侧的磁带。 单薄化半导体晶片。

公开(公告)号：US20110177675A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US12689117

申请日：2010-01-18

申请人： Gordon M. Grivna ,  Michael J. Seddon

发明人： Gordon M. Grivna ,  Michael J. Seddon

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/78 ,  H01L21/784 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/167 ,  H01L25/18 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19102 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： In one embodiment, semiconductor die having non-rectangular shapes and die having various different shapes are formed and singulated from a semiconductor wafer.

公开(公告)号：US07476959B2

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US11769490

申请日：2007-06-27

申请人： Stephen St. Germain ,  Michael J. Seddon

发明人： Stephen St. Germain ,  Michael J. Seddon

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： In one embodiment, an electronic device package (1) includes a leadframe (2) with a flag (3). An electronic chip (8) is attached to the flag (3) with a die attach layer (9). A trench (16) having curved sidewalls is formed in the flag (3) in proximity to the electronic chip (8) and surrounds the periphery of the chip (8). An encapsulating layer (19) covers the chip (8), portions of the flag (3), and at least a portion of the curved trench (16). The curved trench (16) reduces the spread of die attach material across the flag (3) during chip attachment, which reduces chip and package cracking problems, and improves the adhesion of encapsulating layer (19). The shape of the curved trench (16) prevents flow of die attach material into the curved trench (16), which allows the encapsulating layer (19) to adhere to the surface of the curved trench (16).

摘要翻译： 在一个实施例中，电子设备封装（1）包括具有标志（3）的引线框架（2）。 电子芯片（8）用芯片附着层（9）附接到标记（3）。 在靠近电子芯片（8）的标记（3）中形成具有弯曲侧壁的沟槽（16），并且围绕芯片（8）的外围。 封装层（19）覆盖芯片（8），标记（3）的部分以及弯曲沟槽（16）的至少一部分。 弯曲的沟槽（16）在芯片附接期间减小了芯片附着材料穿过标记（3）的扩散，这降低了芯片和封装开裂问题，并且改善了封装层（19）的粘附性。 弯曲沟槽（16）的形状防止管芯附着材料流入弯曲沟槽（16），这允许封装层（19）粘附到弯曲沟槽（16）的表面。

公开(公告)号：US20140048917A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：US14061153

申请日：2013-10-23

申请人： Michael J. Seddon ,  Francis J. Carney ,  Gordon M. Grivna

发明人： Michael J. Seddon ,  Francis J. Carney ,  Gordon M. Grivna

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/60 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment, a semiconductor die is formed to have sloped sidewalls. A conductor is formed on the sloped sidewalls.

摘要翻译： 在一个实施例中，形成具有倾斜侧壁的半导体管芯。 导体形成在倾斜的侧壁上。

公开(公告)号：US08012857B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US12689110

申请日：2010-01-18

申请人： Gordon M. Grivna ,  Michael J. Seddon

发明人： Gordon M. Grivna ,  Michael J. Seddon

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/78

摘要： In one embodiment, semiconductor die are singulated from a semiconductor wafer by etching openings completely through the semiconductor wafer.

公开(公告)号：US07989319B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12689098

申请日：2010-01-18

申请人： Gordon M. Grivna ,  Michael J. Seddon

发明人： Gordon M. Grivna ,  Michael J. Seddon

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/78

摘要： In one embodiment, semiconductor die are singulated from a semiconductor wafer by etching openings completely through the semiconductor wafer.

公开(公告)号：US07944044B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US11575808

申请日：2004-12-20

申请人： Francis J. Carney ,  Michael J. Seddon

发明人： Francis J. Carney ,  Michael J. Seddon

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37164 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： In one embodiment, a packaged semiconductor device having enhanced thermal dissipation characteristics includes a lead frame structure and a semiconductor chip having a major current carrying or heat generating electrode. The semiconductor chip is oriented so that the major current carrying electrode faces the top of the package or away from the next level of assembly. The packaged semiconductor device further includes a non-planar, stepped or undulating attachment structure coupling the current carrying electrode to the lead frame. A high thermal conductivity mold compound and thin package profile further enhance thermal dissipation.

摘要翻译： 在一个实施例中，具有增强的散热特性的封装半导体器件包括引线框架结构和具有主要载流或发热电极的半导体芯片。 半导体芯片被定向成使得主载流电极面向封装的顶部或远离下一级组件。 封装的半导体器件还包括将载流电极耦合到引线框架的非平面，阶梯状或起伏的附接结构。 高导热性模具化合物和薄封装外形进一步增强散热性能。

公开(公告)号：US06300679B1

公开(公告)日：2001-10-09

申请号：US09087674

申请日：1998-06-01

申请人： Prosanto K. Mukerji ,  Ronald E. Thomas ,  George W. Hawkins ,  Rajesh Srinivasan ,  Colin B. Bosch ,  James H. Knapp ,  Laura J. Norton ,  Michael J. Seddon

发明人： Prosanto K. Mukerji ,  Ronald E. Thomas ,  George W. Hawkins ,  Rajesh Srinivasan ,  Colin B. Bosch ,  James H. Knapp ,  Laura J. Norton ,  Michael J. Seddon

IPC分类号： H01L2350

CPC分类号： H01L23/4985 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/189

摘要： A semiconductor component includes a semiconductor chip (341, 502, 601, 701, 1101, 1410, 1501) having first and second surfaces opposite each other, a semiconductor device (301) in the semiconductor chip (341, 502, 601, 701, 1101, 1410, 1501), and a flexible substrate (120, 401, 510, 610, 710, 1000, 1050, 1300, 1401, 1510, 1520) packaging the semiconductor chip (341, 502, 601, 701, 1101, 1410, 1501).

摘要翻译： 半导体元件包括具有彼此相对的第一和第二表面的半导体芯片（341,502,601,701,1101,1410,1501），半导体芯片（341,502,601,701， 1101,1410,1501）以及将半导体芯片（341,502,601,701,1101,1410）封装的柔性基板（120,401,510,610,710,110,1050,1300,1401,1510,1520） ，1501）。