公开(公告)号：US20080240187A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US12058729

申请日：2008-03-30

申请人： Masayuki HATA ,  Kunio Takeuchi ,  Seiichi Tokunaga

发明人： Masayuki HATA ,  Kunio Takeuchi ,  Seiichi Tokunaga

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： A semiconductor laser device capable of improving planarity of cleavage planes of an optical waveguide thereof is obtained. This semiconductor laser device includes a support substrate, a semiconductor laser element portion having a pair of cavity facets provided with ends of an optical waveguide extending in a first direction and a bonding layer bonding the support substrate and the semiconductor laser element portion to each other, while the bonding layer has void portions formed on regions close to at least the ends of the optical waveguide in the vicinity of the cavity facets.

摘要翻译： 可以获得能够提高其光波导的解理面平坦度的半导体激光器件。 该半导体激光装置包括：支撑基板，具有设置在第一方向上延伸的光波导的端部的一对腔面的半导体激光元件部和将支撑基板和半导体激光元件部彼此接合的接合层， 而接合层在空腔面附近形成在靠近光波导端的至少端部的区域上的空隙部分。

公开(公告)号：US20120033701A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13274710

申请日：2011-10-17

申请人： Yasuyuki BESSHO ,  Hiroki OHBO ,  Kunio TAKEUCHI ,  Seiichi TOKUNAGA ,  Yasumitsu KUNOH ,  Masayuki HATA

发明人： Yasuyuki BESSHO ,  Hiroki OHBO ,  Kunio TAKEUCHI ,  Seiichi TOKUNAGA ,  Yasumitsu KUNOH ,  Masayuki HATA

IPC分类号： H01S5/026

CPC分类号： H01S5/4043 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/22 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087 ,  H04N9/3161 ,  H01L2924/00014

摘要： A method of manufacturing a semiconductor laser device comprises steps of forming a first semiconductor laser device substrate having first grooves for cleavage on a surface thereof, bonding a second semiconductor laser device substrate onto the surface side having the first grooves and thereafter cleaving the first and second semiconductor laser device substrates along at least the first grooves.

摘要翻译： 一种制造半导体激光器件的方法包括以下步骤：形成第一半导体激光器件衬底，其具有用于在其表面上切割的第一凹槽，将第二半导体激光器件衬底接合到具有第一沟槽的表面侧上，然后切割第一和第二 沿着至少第一凹槽的半导体激光器件衬底。

公开(公告)号：US20100329296A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12728703

申请日：2010-03-22

申请人： Masayuki HATA ,  Kunio TAKEUCHI

发明人： Masayuki HATA ,  Kunio TAKEUCHI

IPC分类号： H01S5/40 ,  H01S5/02 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01S5/405 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73257 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/176 ,  H04N9/3161 ,  H01L2924/00014

摘要： A method of manufacturing a semiconductor laser device includes steps of forming a third oblong substrate by bonding a first oblong substrate and a second oblong substrate, and dividing the third oblong substrate so that first side surfaces of the first semiconductor laser devices protrude sideward from positions formed with third side surfaces of the second semiconductor laser devices while the fourth side surfaces of the second semiconductor laser devices protrude sideward from positions formed with the second side surfaces of the first semiconductor laser devices, and the first electrodes are located on protruding regions of the first semiconductor laser devices.

摘要翻译： 一种制造半导体激光器件的方法包括以下步骤：通过接合第一长方形基板和第二长方形基板来形成第三长方形基板，并且分割第三长方形基板，使得第一半导体激光器件的第一侧表面从形成的位置向侧面突出 第二半导体激光器件的第三侧表面，而第二半导体激光器件的第四侧表面从形成有第一半导体激光器件的第二侧表面的位置向侧面突出，并且第一电极位于第一半导体激光器的突出区域 半导体激光器件。

公开(公告)号：US20120108011A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13341668

申请日：2011-12-30

申请人： Masayuki HATA ,  Tadao TODA ,  Shigeyuki OKAMOTO ,  Daijiro INOUE ,  Yasuyuki BESSHO ,  Yasuhiko NOMURA ,  Tsutomu YAMAGUCHI

发明人： Masayuki HATA ,  Tadao TODA ,  Shigeyuki OKAMOTO ,  Daijiro INOUE ,  Yasuyuki BESSHO ,  Yasuhiko NOMURA ,  Tsutomu YAMAGUCHI

IPC分类号： H01L21/78

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor device capable of stabilizing operations thereof is provided. This semiconductor device comprises a substrate provided with a region having concentrated dislocations at least on part of the back surface thereof, a semiconductor element layer formed on the front surface of the substrate, an insulator film formed on the region of the back surface of the substrate having concentrated dislocations and a back electrode formed to be in contact with a region of the back surface of the substrate other than the region having concentrated dislocations.

摘要翻译： 提供能够稳定其操作的半导体器件。 该半导体器件包括：衬底，其具有至少部分后表面具有浓集位错的区域，形成在衬底的前表面上的半导体元件层，形成在衬底的背面的区域上的绝缘膜 具有集中位错和形成为与除了具有集中位错的区域以外的基板的背面的区域接触的背面电极。

公开(公告)号：US20120027040A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13189637

申请日：2011-07-25

申请人： Masayuki HATA ,  Hideki YOSHIKAWA

发明人： Masayuki HATA ,  Hideki YOSHIKAWA

IPC分类号： H01S5/026

CPC分类号： H01S5/4093 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10155 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/4031

摘要： In this semiconductor laser apparatus, a first wire-bonding portion is arranged at a position in a fourth direction from a first semiconductor laser device and in a first direction from a photodetector, and a second wire-bonding portion is arranged at a position in the fourth direction from the first semiconductor laser device and in a third direction from the first wire-bonding portion. A third wire-bonding portion is arranged at a position in a second direction from a third semiconductor laser device and in the first direction from the photodetector, and a fourth wire-bonding portion is arranged at a position in the second direction from the third semiconductor laser device and in the third direction from the third wire-bonding portion.

摘要翻译： 在该半导体激光装置中，第一引线接合部配置在从第一半导体激光装置向第四方向的位置，在第一方向配置于光检测器，第二引线接合部配置在 从第一半导体激光器件的第四方向和从第一引线接合部分的第三方向。 第三引线接合部分布置在距离第三半导体激光器件的第二方向的位置处，并且在第一方向上被布置在从光电检测器的第一方向上，并且第四引线接合部分布置在从第三半导体 激光装置，并且从第三引线接合部向第三方向。

公开(公告)号：US20080258156A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US11864380

申请日：2007-09-28

申请人： Masayuki HATA

发明人： Masayuki HATA

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L24/05 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： In a light-emitting diode apparatus, light emitted from a principal plane of an emission layer has a plurality of unequal luminous intensities depending on the in-plane azimuth angle of the principal plane of the emission layer, and at least one of a light-emitting diode chip and a package has a structure of reducing difference in the intensity of light emitted from the package according to variation in the in-plane azimuth angle of a chip-arrangement surface.

摘要翻译： 在发光二极管装置中，从发光层的主面发射的光具有与发光层的主面的面内方位角相对应的多个不等的发光强度， 发光二极管芯片和封装具有根据芯片布置表面的面内方位角的变化减小从封装发射的光的强度差异的结构。

公开(公告)号：US20100034234A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12511218

申请日：2009-07-29

申请人： Masayuki HATA ,  Yasuhiko Nomura ,  Kyoji Inoshita

发明人： Masayuki HATA ,  Yasuhiko Nomura ,  Kyoji Inoshita

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01L21/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4043 ,  H01S5/4087 ,  H01S2302/00

摘要： A first semiconductor laser element is formed on a surface of the first substrate and including a first active layer. A second semiconductor laser element is bonded to the first semiconductor laser element with a first insulating film interposed therebetween. A first electrode is connected to the first semiconductor laser element. A second electrode is arranged on the surface of the first semiconductor laser element with the first insulating film interposed therebetween and connected to the second semiconductor laser element. The first semiconductor laser element has an optical waveguide formed in a region where the second semiconductor laser element is not bonded while the first electrode is arranged on the region, and the second electrode is formed to extend from between the second semiconductor laser element and first insulating film toward the region.

摘要翻译： 第一半导体激光元件形成在第一基板的表面上并且包括第一有源层。 第二半导体激光元件与第一半导体激光元件接合，其间插入有第一绝缘膜。 第一电极连接到第一半导体激光元件。 第二电极设置在第一半导体激光元件的表面上，第一绝缘膜插入其中并连接到第二半导体激光元件。 第一半导体激光元件具有在第一半导体激光元件与第一绝缘体之间形成第一电极而形成在第二半导体激光元件未被接合的区域的光波导， 电影向该地区。

公开(公告)号：US20120033702A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13276004

申请日：2011-10-18

申请人： Yasuyuki BESSHO ,  Masayuki HATA ,  Daijiro INOUE

发明人： Yasuyuki BESSHO ,  Masayuki HATA ,  Daijiro INOUE

IPC分类号： H01S5/026

CPC分类号： H01S5/4043 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/4087 ,  H01L2924/00014

摘要： A p-type pad electrode in a red semiconductor laser device and a first terminal are connected through a wire. A p-type pad electrode in an infrared semiconductor laser device and a second terminal are connected through a wire. A p-electrode in a blue-violet semiconductor laser device and a third terminal are connected through a wire. An n-electrode in the blue-violet semiconductor laser device is electrically conducting to a mount. An n-electrode in the red semiconductor laser device and the mount are connected through a wire, while an n-electrode in the infrared semiconductor laser device and the mount is connected through a wire. The mount has a fourth terminal inside.

摘要翻译： 红色半导体激光器件中的p型焊盘电极和第一端子通过导线连接。 红外半导体激光器件中的p型焊盘电极和第二端子通过导线连接。 蓝紫色半导体激光器件中的p电极和第三端子通过导线连接。 蓝紫色半导体激光器件中的n电极对安装件进行导电。 红外半导体激光器件中的n电极和安装件通过导线连接，而红外半导体激光器件中的n电极和安装座通过导线连接。 安装座内有第四个终端。

公开(公告)号：US20110200065A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13040798

申请日：2011-03-04

申请人： Shingo KAMEYAMA ,  Yasuhiko NOMURA ,  Ryoji HIROYAMA ,  Masayuki HATA

发明人： Shingo KAMEYAMA ,  Yasuhiko NOMURA ,  Ryoji HIROYAMA ,  Masayuki HATA

IPC分类号： H01S5/028

CPC分类号： H01S5/32341 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/176

摘要： One facet and the other facet of a nitride based semiconductor laser device are respectively composed of a cleavage plane of (0001) and a cleavage plane of (000 1). Thus, the one facet and the other facet are respectively a Ga polar plane and an N polar plane. A portion of the one facet and a portion of the other facet, which are positioned in an optical waveguide, constitute a pair of cavity facets. A first protective film including oxygen as a constituent element is formed on the one facet. A second protective film including nitrogen as a constituent element is formed on the other facet.

摘要翻译： 氮化物基半导体激光器件的一个面和另一个面分别由（0001）的解理面和（000 1）的解理面构成。 因此，一个面和另一个面分别是Ga极平面和N极平面。 位于光波导中的一个面和另一个面的一部分的一部分构成一对腔面。 在一个面上形成包括氧作为构成元素的第一保护膜。 在另一方面形成包括氮作为构成元素的第二保护膜。

公开(公告)号：US20100193833A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12697948

申请日：2010-02-01

申请人： Yasuto MIYAKE ,  Yasumitsu KUNOH ,  Masayuki HATA

发明人： Yasuto MIYAKE ,  Yasumitsu KUNOH ,  Masayuki HATA

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L29/20 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/22 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H04N9/3161

摘要： A nitride-based semiconductor device includes a substrate made of a nitride-based semiconductor, a device layer formed on the substrate, and an electrode formed on a surface of the substrate opposite to the device layer. The substrate includes a first surface having a nonpolar plane or a semipolar plane, a second surface opposite to the first surface, a defect concentration region extending in a direction inclined with respect to a normal direction of the first surface from the first surface toward the second surface and penetrating to the second surface and a current path region separated from other region of the substrate by the defect concentration region employed as a boundary, the defect concentration region is not exposed on the first surface, and the electrode is formed on the second surface in the current path region.

摘要翻译： 氮化物类半导体器件包括由氮化物类半导体制成的衬底，在衬底上形成的器件层，以及形成在与器件层相对的衬底的表面上的电极。 基板包括具有非极性平面或半极性平面的第一表面，与第一表面相对的第二表面，从第一表面向第二表面相对于第一表面的法线方向倾斜的方向延伸的缺陷浓度区域 通过作为边界的缺陷浓度区域与基板的其他区域分离的电流路径区域，缺陷浓度区域不露出在第一表面上，并且电极形成在第二表面上 在当前路径区域。