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    Substrate having internal capacitor and method of making same
    7.
    发明授权
    Substrate having internal capacitor and method of making same 有权
    具有内部电容器的基板及其制造方法

    公开(公告)号：US08607445B1

    公开(公告)日：2013-12-17

    申请号：US13517776

    申请日：2012-06-14

    申请人： Rabindra N. Das ,  Frank D. Egitto ,  John M. Lauffer ,  How T. Lin

    发明人： Rabindra N. Das ,  Frank D. Egitto ,  John M. Lauffer ,  How T. Lin

    IPC分类号： H05K3/30

    CPC分类号： H01G4/206 ,  H01G4/232 ,  H01G4/33 ,  H05K1/162 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/107 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2201/09236 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09881 ,  H05K2203/0108 ,  H05K2203/066

    摘要： A method of making a circuitized substrate which includes at least one and possibly several capacitors as part thereof. In one embodiment, the substrate is produced by forming a layer of capacitive dielectric material on a dielectric layer and thereafter forming channels with the capacitive material, e.g., using a laser. The channels are then filled with conductive material, e.g., copper, using selected deposition techniques, e.g., sputtering, electro-less plating and electroplating. A second dielectric layer is then formed atop the capacitor and a capacitor “core” results. This “core” may then be combined with other dielectric and conductive layers to form a larger, multilayered PCB or chip carrier. In an alternative approach, the capacitive dielectric material may be photo-imageable, with the channels being formed using conventional exposure and development processing known in the art.

    摘要翻译： 一种制造电路化衬底的方法，其包括至少一个可能的几个电容器作为其一部分。 在一个实施例中，通过在电介质层上形成电容电介质材料层，然后用电容材料形成通道，例如使用激光来制造衬底。 然后使用所选择的沉积技术，例如溅射，无电镀和电镀，用导电材料（例如铜）填充通道。 然后在电容器顶部形成第二电介质层，并产生电容器“芯”。 然后，该“芯”可以与其它电介质层和导电层组合以形成较大的多层PCB或芯片载体。 在替代方法中，电容介电材料可以是可光成像的，其中通道是使用本领域已知的常规曝光和显影处理形成的。

    Capacitive substrate
    8.
    发明授权
    Capacitive substrate 失效
    电容衬底

    公开(公告)号：US07897877B2

    公开(公告)日：2011-03-01

    申请号：US11438424

    申请日：2006-05-23

    申请人： Rabindra N. Das ,  Frank D. Egitto ,  John M. Lauffer ,  How T. Lin ,  Voya R. Markovich

    发明人： Rabindra N. Das ,  Frank D. Egitto ,  John M. Lauffer ,  How T. Lin ,  Voya R. Markovich

    IPC分类号： H05K1/16

    CPC分类号： H05K1/162 ,  H01L27/12 ,  H01L28/40 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/125 ,  H05K3/4667 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2203/013

    摘要： A capacitive substrate and method of making same in which first and second glass layers are used. A first conductor is formed on a first of the glass layers and a capacitive dielectric material is positioned over the conductor. The second conductor is then positioned on the capacitive dielectric and the second glass layer positioned over the second conductor. Conductive thru-holes are formed to couple to the first and second conductors, respectively, such that the conductors and capacitive dielectric material form a capacitor when the capacitive substrate is in operation.

    摘要翻译： 电容性基板及其制造方法，其中使用第一和第二玻璃层。 第一导体形成在第一玻璃层上，并且电容电介质材料位于导体上方。 然后将第二导体定位在电容电介质上，并且第二玻璃层位于第二导体上。 形成导电通孔以分别耦合到第一和第二导体，使得当电容基板工作时，导体和电容电介质材料形成电容器。