公开(公告)号：US20100081236A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12570047

申请日：2009-09-30

申请人： Se-Young Yang ,  Kyu-Jin Lee ,  Pyoung-Wan Kim ,  Keum-Hee Ma ,  Chul-Yong Jang

发明人： Se-Young Yang ,  Kyu-Jin Lee ,  Pyoung-Wan Kim ,  Keum-Hee Ma ,  Chul-Yong Jang

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming printed circuit board (PCB) having an embedded interposer. A semiconductor chip or a semiconductor package is mounted onto the embedded interposer using a conductive adhesive agent. The embedded interposer has substantially the same coefficient of thermal expansion (CTE) as the semiconductor chip. The embedded interposer is formed using a semiconductor wafer.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括形成具有嵌入式插入器的印刷电路板（PCB）。 使用导电粘合剂将半导体芯片或半导体封装安装到嵌入式插入件上。 嵌入式插入器具有与半导体芯片基本上相同的热膨胀系数（CTE）。 嵌入式插入器使用半导体晶片形成。

公开(公告)号：US07777323B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11750663

申请日：2007-05-18

申请人： Yong Chai Kwon ,  Keum-Hee Ma ,  Kang-Wook Lee ,  Dong-Ho Lee ,  Seong-il Han

发明人： Yong Chai Kwon ,  Keum-Hee Ma ,  Kang-Wook Lee ,  Dong-Ho Lee ,  Seong-il Han

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： Example embodiments are directed to a method of forming a semiconductor structure and a semiconductor structure including a semiconductor unit including a protrusion on a front side of the semiconductor unit and a recess on a backside of the semiconductor unit.

摘要翻译： 示例性实施例涉及一种形成半导体结构的方法和包括半导体单元的半导体结构的方法，所述半导体单元包括在半导体单元的前侧上的突起和半导体单元的背侧上的凹部。

公开(公告)号：US20070007641A1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：US11348670

申请日：2006-02-06

申请人： Kang-Wook Lee ,  Gu-Sung Kim ,  Yong-Chai Kwon ,  Keum-Hee Ma ,  Seong-Il Han

发明人： Kang-Wook Lee ,  Gu-Sung Kim ,  Yong-Chai Kwon ,  Keum-Hee Ma ,  Seong-Il Han

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012

摘要： A method for fabricating a chip-embedded interposer may comprise forming at least one cavity on a silicon substrate, forming a plurality of through vias penetrating the silicon substrate, providing an integrated circuit chip having a plurality of I/O pads, and forming rerouting conductors connected to the I/O pads and the through vias. A stack structure having different kinds of chips may be incorporated at wafer level using the described interposer.

摘要翻译： 芯片嵌入式插入器的制造方法可以包括在硅衬底上形成至少一个空腔，形成穿过硅衬底的多个通孔，提供具有多个I / O焊盘的集成电路芯片，以及形成重新布线的导体 连接到I / O焊盘和通孔。 具有不同种类的芯片的堆叠结构可以使用所描述的插入器结合在晶片级。

公开(公告)号：US20080318363A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12213857

申请日：2008-06-25

申请人： Yong-Chai Kwon ,  Kang-Wook Lee ,  Keum-Hee Ma ,  Seong-II Han

发明人： Yong-Chai Kwon ,  Kang-Wook Lee ,  Keum-Hee Ma ,  Seong-II Han

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A stack circuit member may include a first circuit member and a second circuit member. The first and the second circuit members may be electrically and mechanically connected together using a thermocompression bonding method. A photosensitive polymer layer may be interposed between the first circuit member and the second circuit member. A gap fill process and an electrical connection process may be performed at the same time.

摘要翻译： 堆叠电路构件可以包括第一电路构件和第二电路构件。 第一和第二电路构件可以使用热压接法将电气和机械连接在一起。 感光性聚合物层可以设置在第一电路部件和第二电路部件之间。 间隙填充处理和电连接处理可​​以同时进行。

公开(公告)号：US07459774B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11436851

申请日：2006-05-18

申请人： Yong-Chai Kwon ,  Kang-Wook Lee ,  Keum-Hee Ma ,  Seong-II Han

发明人： Yong-Chai Kwon ,  Kang-Wook Lee ,  Keum-Hee Ma ,  Seong-II Han

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/31 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/838 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05552

摘要： In a stacked chip configuration, and manufacturing methods thereof, the gap between a lower and an upper chip is filled completely using a relatively simple process that eliminates voids between the lower and upper chips and the cracking and delamination problems associated with such voids. The present invention is applicable to both chip-level bonding and wafer-level bonding approaches. A photosensitive polymer layer is applied to a first chip, or wafer, prior to stacking the chips or stacking the wafers. The photosensitive polymer layer is partially cured, so that the photosensitive polymer layer is made to be structurally stable, while retaining its adhesive properties. The second chip, or wafer, is stacked, aligned, and bonded to the first chip, or wafer, and the photosensitive polymer layer is then cured to fully bond the first and second chips, or wafers. In this manner, adhesion between chips/wafers is greatly improved, while providing complete gap fill. In addition, mechanical reliability is improved, alleviating the problems associated with cracking and delamination, and leading to an improvement in device yield and device reliability.

摘要翻译： 在堆叠式芯片构造及其制造方法中，使用消除下部和上部切屑之间的空隙以及与这种空隙相关的裂纹和分层问题的相对简单的工艺，完全填充下部和上部切屑之间的间隙。 本发明可应用于芯片级接合和晶片级接合方式。 在堆叠芯片或堆叠晶片之前，将光敏聚合物层施加到第一芯片或晶片。 感光性聚合物层被部分固化，使得光敏聚合物层在结构上稳定，同时保持其粘合性能。 第二芯片或晶片被堆叠，对准并且结合到第一芯片或晶片，然后使光敏聚合物层固化以完全结合第一和​​第二芯片或晶片。 以这种方式，在提供完全的间隙填充的同时，大大提高了芯片/晶片之间的粘附。 此外，机械可靠性得到改善，减轻了与开裂和分层相关的问题，从而提高了设备​​的产量和设备的可靠性。

公开(公告)号：US20070284729A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11750663

申请日：2007-05-18

申请人： Yong-Chal Kwon ,  Keum-Hee Ma ,  Kang-Wook Lee ,  Dong-Ho Lee ,  Soong-Il Han

发明人： Yong-Chal Kwon ,  Keum-Hee Ma ,  Kang-Wook Lee ,  Dong-Ho Lee ,  Soong-Il Han

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： Example embodiments are directed to a method of forming a semiconductor structure and a semiconductor structure including a semiconductor unit including a protrusion on a front side of the semiconductor unit and a recess on a backside of the semiconductor unit.

摘要翻译： 示例性实施例涉及一种形成半导体结构的方法和包括半导体单元的半导体结构的方法，所述半导体单元包括在半导体单元的前侧上的突起和半导体单元的背侧上的凹部。

公开(公告)号：US20050277293A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US11145994

申请日：2005-06-07

申请人： Soon-Bum Kim ,  Ung-Kwang Kim ,  Keum-Hee Ma ,  Young-Hee Song ,  Sung-Min Sim ,  Se-Yong Oh ,  Kang-Wook Lee ,  Se-Young Jeong

发明人： Soon-Bum Kim ,  Ung-Kwang Kim ,  Keum-Hee Ma ,  Young-Hee Song ,  Sung-Min Sim ,  Se-Yong Oh ,  Kang-Wook Lee ,  Se-Young Jeong

IPC分类号： H01L23/28 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

CPC分类号： C25D7/12 ,  C25D5/02 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： A method of fabricating wafer level chip scale packages may involve forming a hole to penetrate through a chip pad of an IC chip. A base metal layer may be formed on a first face of a wafer to cover inner surfaces of the hole. An electrode metal layer may fill the hole and rise over the chip pad. A second face of the wafer may be grinded such that the electrode metal layer in the hole may be exposed through the second face. By electroplating, a plated bump may be formed on the electrode metal layer exposed through the second face. The base metal layer may be selectively removed to isolate adjacent electrode metal layers. The wafer may be sawed along scribe lanes to separate individual packages from the wafer.

摘要翻译： 制造晶片级芯片级封装的方法可包括形成穿透IC芯片的芯片焊盘的孔。 基底金属层可以形成在晶片的第一面上以覆盖孔的内表面。 电极金属层可以填充孔并在芯片垫上升起。 可以研磨晶片的第二面，使得孔中的电极金属层可以通过第二面露出。 通过电镀，可以在通过第二面暴露的电极金属层上形成电镀凸块。 可以选择性地去除贱金属层以隔离相邻的电极金属层。 可以沿着划线锯切晶片以将单独的封装与晶片分开。

公开(公告)号：US08513802B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US13013290

申请日：2011-01-25

申请人： Keum-Hee Ma ,  Woo-Dong Lee ,  Min-Seung Yoon ,  Ju-Il Choi ,  Sang-Sick Park ,  Son-Kwan Hwang

发明人： Keum-Hee Ma ,  Woo-Dong Lee ,  Min-Seung Yoon ,  Ju-Il Choi ,  Sang-Sick Park ,  Son-Kwan Hwang

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555

摘要： A semiconductor device having semiconductor chips of different thicknesses is provided. The semiconductor device may include a first semiconductor chip, a sub-board on a first side of the first semiconductor chip, at least one second semiconductor chip on a second side of the first semiconductor chip, at least one external contact terminal on the at least one second semiconductor chip. In example embodiments the at least one second semiconductor chip may include a plurality of through silicon vias and the at least one external contact terminal may be in electrical contact with the first semiconductor chip and the at least one second semiconductor chip via the plurality of through silicon vias. In example embodiments, the at least one second semiconductor chip may be thinner than the first semiconductor chip.

摘要翻译： 提供具有不同厚度的半导体芯片的半导体器件。 半导体器件可以包括第一半导体芯片，在第一半导体芯片的第一侧上的子板，在第一半导体芯片的第二侧上的至少一个第二半导体芯片，至少一个外部接触端子 一秒钟的半导体芯片。 在示例实施例中，所述至少一个第二半导体芯片可以包括多个通孔硅通孔，并且所述至少一个外部接触端子可以经由多个通孔与第一半导体芯片和至少一个第二半导体芯片电接触 通孔 在示例实施例中，至少一个第二半导体芯片可以比第一半导体芯片更薄。

公开(公告)号：US07588964B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US11790173

申请日：2007-04-24

申请人： Yong-Chai Kwon ,  Dong-Ho Lee ,  Myung-Kee Chung ,  Kang-Wook Lee ,  Sun-Won Kang ,  Keum-Hee Ma

发明人： Yong-Chai Kwon ,  Dong-Ho Lee ,  Myung-Kee Chung ,  Kang-Wook Lee ,  Sun-Won Kang ,  Keum-Hee Ma

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/12 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： A stacked structure of semiconductor devices may include a plurality of stacked semiconductor devices, each having an upper surface and a lower surface and one or more via electrodes protruding from the upper surface to the lower surface. The via-electrodes may have upper parts (heads) protruding from the upper surface and lower parts (ends) protruding from the lower surface. The stacked semiconductor devices may be electrically connected to each other through the via-electrodes. A first adhesive film (e.g., patternable material) and a second adhesive film (e.g. puncturable material) may be formed between the stacked semiconductor devices. The stacked structure of semiconductor devices may be mounted on the upper surface of a printed circuit board (PCB) having a mount-specific adhesive film to form a semiconductor device package. The mounted stacked structure and the upper surface of the PCB may be further covered with a molding material.

摘要翻译： 半导体器件的层叠结构可以包括多个层叠的半导体器件，每个具有上表面和下表面以及从上表面到下表面突出的一个或多个通孔电极。 通孔电极可以具有从上表面突出的上部（头）和从下表面突出的下部（端部）。 层叠的半导体器件可以通过通孔电极彼此电连接。 可以在层叠的半导体器件之间形成第一粘合膜（例如，可图案化材料）和第二粘合膜（例如可刺穿材料）。 半导体器件的堆叠结构可以安装在具有安装专用粘合剂膜的印刷电路板（PCB）的上表面上以形成半导体器件封装。 安装的堆叠结构和PCB的上表面可以进一步被模制材料覆盖。

公开(公告)号：US20080169545A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：US11790173

申请日：2007-04-24

申请人： Yong-Chai Kwon ,  Dong-Ho Lee ,  Myung-Kee Chung ,  Kang-Wook Lee ,  Sun-Won Kang ,  Keum-Hee Ma

发明人： Yong-Chai Kwon ,  Dong-Ho Lee ,  Myung-Kee Chung ,  Kang-Wook Lee ,  Sun-Won Kang ,  Keum-Hee Ma

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/12 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： A stacked structure of semiconductor devices may include a plurality of stacked semiconductor devices, each having an upper surface and a lower surface and one or more via electrodes protruding from the upper surface to the lower surface. The via-electrodes may have upper parts (heads) protruding from the upper surface and lower parts (ends) protruding from the lower surface. The stacked semiconductor devices may be electrically connected to each other through the via-electrodes. A first adhesive film (e.g., patternable material) and a second adhesive film (e.g. puncturable material) may be formed between the stacked semiconductor devices. The stacked structure of semiconductor devices may be mounted on the upper surface of a printed circuit board (PCB) having a mount-specific adhesive film to form a semiconductor device package. The mounted stacked structure and the upper surface of the PCB may be further covered with a molding material.

摘要翻译： 半导体器件的层叠结构可以包括多个层叠的半导体器件，每个具有上表面和下表面以及从上表面到下表面突出的一个或多个通孔电极。 通孔电极可以具有从上表面突出的上部（头）和从下表面突出的下部（端部）。 层叠的半导体器件可以通过通孔电极彼此电连接。 可以在层叠的半导体器件之间形成第一粘合膜（例如，可图案化材料）和第二粘合膜（例如可刺穿材料）。 半导体器件的堆叠结构可以安装在具有安装专用粘合剂膜的印刷电路板（PCB）的上表面上以形成半导体器件封装。 安装的堆叠结构和PCB的上表面可以进一步被模制材料覆盖。