公开(公告)号：WO2015111898A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：PCT/KR2015/000581

申请日：2015-01-20

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： LEE, Jaeho ,  LEE, Changseok ,  PARK, Seongjun

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/41725 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Provided are an electrode connecting structure that includes an adhesion layer formed between a graphene layer and a metal layer and an electronic device having the electrode connecting structure. The electrode connecting structure may include an adhesion layer formed of a two-dimensional material provided between the graphene layer and the metal layer. The graphene layer may be a diffusion barrier, and the adhesion layer may stably maintain the interface characteristics of the graphene layer and the metal layer when the metal layer is formed on a surface of the graphene layer.

Abstract translation: 提供一种电极连接结构，其包括形成在石墨烯层和金属层之间的粘合层和具有电极连接结构的电子器件。 电极连接结构可以包括由设置在石墨烯层和金属层之间的二维材料形成的粘合层。 石墨烯层可以是扩散阻挡层，并且当金属层形成在石墨烯层的表面上时，粘合层可以稳定地保持石墨烯层和金属层的界面特性。

公开(公告)号：WO2015105953A1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：PCT/US2015/010592

申请日：2015-01-08

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： YU, Sang Ho ,  MA, Paul F. ,  LU, Jiang ,  SHEU, Ben-Li

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Described are semiconductor devices and methods of making semiconductor devices with a barrier layer comprising cobalt and manganese nitride. Also described are semiconductor devices and methods of making same with a barrier layer comprising CoMn(N) and, optionally, an adhesion layer.

Abstract translation: 描述了制造具有包含钴和氮化锰的阻挡层的半导体器件的半导体器件和方法。 还描述了与包括CoMn（N）和任选的粘合层的阻挡层相同的半导体器件和方法。

公开(公告)号：WO2015099734A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/US2013/077813

申请日：2013-12-26

Applicant: INTEL CORPORATION ,  FARMER, Jason A. ,  LEIB, Jeffrey, S. ,  BERGSTROM, Daniel, B.

Inventor： FARMER, Jason A. ,  LEIB, Jeffrey, S. ,  BERGSTROM, Daniel, B.

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76856 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/517

Abstract: An aspect of the present disclosure relates to a method of forming a barrier layer on a semiconductor device. The method includes placing a substrate into a reaction chamber and depositing a barrier layer over the substrate. The barrier layer includes a metal and a non-metal and the barrier layer exhibits an as-deposited thickness of 4 nm or less. The method further includes densifying the barrier layer by forming plasma from a gas proximate to said barrier layer and reducing the thickness and increasing the density of the barrier layer. In embodiments, during densification 300 Watts or less of power is applied to the plasma at a frequency of 350 kHz to 40 MHz.

Abstract translation: 本公开的一个方面涉及在半导体器件上形成阻挡层的方法。 该方法包括将衬底放置在反应室中并在衬底上沉积阻挡层。 阻挡层包括金属和非金属，并且阻挡层表现出4nm或更小的沉积厚度。 该方法还包括通过从靠近所述阻挡层的气体形成等离子体并减小厚度并增加阻挡层的密度来致密化阻挡层。 在实施例中，在致密化期间，以等于350kHz至40MHz的频率向等离子体施加300瓦或更小的功率。

公开(公告)号：WO2015097979A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/JP2014/005805

申请日：2014-11-19

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 平野　博茂 ,  手谷　道成 ,  浜田　政一 ,  垂水　喜明

IPC: H01L21/3205 ,  C25D5/12 ,  C25D7/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/498 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/705 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03903 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05013 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2924/00014

Abstract: 　十分な酸化耐性又はマイグレーション耐性を有する配線を備えた半導体装置を実現できるようにする。半導体基板（１０１）の上に形成された第１の絶縁膜（１２１）と、第１の絶縁膜（１２１）の上に形成された第１の配線（１３１）と、第１の配線（１３１）を覆うように、第１の絶縁膜（１２１）の上に設けられた第２の絶縁膜（１２２）と、第２の絶縁膜（１２２）の上に形成された第２の配線（１３２）とを備えている。第２の絶縁膜（１２２）は、第１の配線（１３１）の上面を露出する第１の開口部（１２２ａ）及び第２の開口部（１２２ｂ）を有している。第２の配線（１３２）は、シード層（１４２）と、シード層（１４２）の全側面を被覆する第１のめっき層（１４５）とを有し、シード層（１４２）は、第２の開口部（１２２ｂ）の周囲には形成されていない。

Abstract translation: 提供配备有具有足够的耐氧化性或耐迁移性的布线的半导体器件。 该半导体装置配备有形成在半导体基板（101）上的第一绝缘膜（121）。 形成在第一绝缘膜（121）上的第一布线（131） 设置在第一绝缘膜（121）上以覆盖第一布线（131）的第二绝缘膜（122）; 和形成在第二绝缘膜（122）上的第二布线（132）。 第二绝缘膜（122）具有第一开口（122a）和第二开口（122b），第一布线（131）的上表面从该开口露出。 第二布线（132）具有种子层（142），覆盖种子层（142）的整个侧面的第一镀层（145）和种子层（142）不形成在第二开口周围 （122B）。

公开(公告)号：WO2015089921A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/CN2014/070178

申请日：2014-01-06

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 徐向阳

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53238 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76841 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种栅金属结构及其制造方法，其中栅金属结构包括：衬底和铜金属层；设置在所述衬底与铜金属层之间的阻挡层，所述阻挡层为氮氧化硅SiON或氧化硅SiOx。通过在衬底与铜金属层之间设置SiON或SiOx阻挡层，使得在采用铜作为导电金属层材料时能够提高其导电率和黏附性，并降低铜的扩散性。

公开(公告)号：WO2015068251A1

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：PCT/JP2013/080195

申请日：2013-11-08

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 宇佐美　達矢 ,  三浦　幸男 ,  土屋　秀昭

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76859 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体装置は、層間絶縁膜ＩＮＳ２と、層間絶縁膜ＩＮＳ２内に形成された隣接するＣｕ配線Ｍ１Ｗと、層間絶縁膜ＩＮＳ２の表面とＣｕ配線Ｍ１Ｗの表面に接し、かつ層間絶縁膜ＩＮＳ２とＣｕ配線Ｍ１Ｗを覆う絶縁性バリヤ膜ＢＲ１とを有する。そして、隣接するＣｕ配線Ｍ１Ｗ間において、層間絶縁膜ＩＮＳ２はその表面にダメージ層ＤＭ１を有し、ダメージ層ＤＭ１より深い位置に、ダメージ層ＤＭ１の窒素濃度よりも高い窒素濃度を持つ電界緩和層ＥＲ１を有する。

Abstract translation: 该半导体器件具有：层间绝缘膜（INS2）; 形成在层间绝缘膜（INS2）内的相邻Cu布线（M1W）; 以及与铜布线（M1W）的表面和层间绝缘膜（INS2）的表面接触且覆盖Cu布线（M1W）和层间绝缘膜（INS2）的绝缘阻挡膜（BR1） ）。 此外，在相邻的Cu布线（M1W）之间，层间绝缘膜（INS2）在其表面具有损伤层（DM1），并且在比损伤层（DM1）更深的位置处具有电场限制 具有比损伤层（DM1）的氮浓度高的氮浓度的层（ER1）。

公开(公告)号：WO2015040798A1

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：PCT/JP2014/004347

申请日：2014-08-25

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 可部　達也 ,  新井　秀幸

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/12 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/58 ,  H01L23/585 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/83 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/09505 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　第１基板において、最上層に絶縁性の第１表面膜、第１表面膜の複数の開口部内にそれぞれ第１電極と絶縁性の第２表面膜が、第２基板において、最上層に絶縁性の第３表面膜、第３表面膜の複数の開口部内にそれぞれ第２電極と絶縁性の第４表面膜が設けられている。第１電極と第２電極、第１表面膜と第３表面膜、第２表面膜と第４表面膜とは各々直接接合する。第２表面膜の底面は第１基板中の第１シールリングと、第４表面膜の底面は第２基板中の第２シールリングと各々直接に接続する。第１シールリング、第２表面膜、第４表面膜及び第２シールリングによって第１基板及び第２基板の間で連続するシールリングが構成される。

Abstract translation: 在本发明中，第一基板在第一表面膜中的最上层具有绝缘的第一表面膜和在第一表面膜的多个开口的每一个内的第一电极和绝缘的第二表面膜。 第二基板在最上层设置有绝缘的第三表面膜，并且在第三表面膜中的多个开口的每一个内部设置有第二电极和绝缘的第四表面膜。 第一和第二电极，第一和第三表面膜以及第二和第四表面膜分别彼此直接接合。 第二表面膜的底表面直接连接到第一基板中的第一密封环，第四表面膜的底表面直接连接到第二基板中的第二密封环。 在第一基板和第二基板之间连续的密封环包括第一密封环，第二表面膜，第四表面膜和第二密封环。

公开(公告)号：WO2014158462A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/US2014/016944

申请日：2014-02-18

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： CHAN, Kelvin

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Embodiments of the present invention generally relate to methods of forming carbon-doped oxide films. The methods generally include generating hydroxyl groups on a surface of the substrate using a plasma, and then performing silylation on the surface of the substrate. The hydroxyl groups on the surface of the substrate are then regenerated using a plasma in order to perform an additional silylation. Multiple plasma treatments and silylations may be performed to deposit a layer having a desired thickness.

Abstract translation: 本发明的实施方案一般涉及形成碳掺杂氧化物膜的方法。 所述方法通常包括使用等离子体在基材的表面上产生羟基，然后在基材的表面上进行甲硅烷基化。 然后使用等离子体再生衬底表面上的羟基以进行额外的甲硅烷基化。 可以进行多次等离子体处理和甲硅烷化以沉积具有所需厚度的层。

公开(公告)号：WO2014038643A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：PCT/JP2013/074000

申请日：2013-08-30

Applicant: ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル ,  奥田 和弘 ,  石川 重男 ,  天池 浩志

Inventor： 奥田　和弘 ,  石川　重男 ,  天池　浩志

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5221 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　層間絶縁膜を構成する膜が剥がれることを防止して、半導体装置の装置特性の低下を防止する。　炭素含有シリコン窒化（ＳｉＣＮ）膜と、第１のシリコン窒化膜と、シリコン酸化膜または炭素含有シリコン酸化（ＳｉＯＣ）膜と、をこの順に有する層間絶縁膜を備えた半導体装置。

Abstract translation: 为了防止作为层间绝缘膜的组成部分的膜的分离，并且为了防止半导体器件的器件特性的劣化，半导体器件设置有层间绝缘膜，在该层 含碳氮化硅（SiCN）膜，第一氮化硅膜和氧化硅膜或含碳氧化硅（SiOC）膜。

公开(公告)号：WO2013171235A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：PCT/EP2013/059971

申请日：2013-05-14

Applicant: IMEC

Inventor： CARBONELL, Laure Elisa ,  PETER, Antony Premkumar ,  SCHAEKERS, Marc ,  VAN ELSHOCHT, Sven ,  TOKEI, Zsolt

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53209 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53261 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Method for forming an interconnect structure, comprising the steps of: forming a recessed structure in a dielectric material on a substrate; at least partially filling said recessed structure with a metal chosen from the group consisting of copper, nickel and cobalt; introducing the substrate in a CVD reactor; bringing the substrate in the CVD reactor to a soak temperature and subsequently performing a soak treatment by supplying a germanium precursor gas to the CVD reactor at the soak temperature, thereby substantially completely converting the metal in the recessed structure to a germanide.

Abstract translation: 用于形成互连结构的方法，包括以下步骤：在基底上的电介质材料中形成凹陷结构; 用选自铜，镍和钴的金属至少部分地填充所述凹陷结构; 将衬底引入CVD反应器中; 使衬底在CVD反应器中达到浸泡温度，随后通过在浸泡温度下将锗前体气体供应至CVD反应器，从而基本上将凹陷结构中的金属完全转化为锗化物，进行浸泡处理。