公开(公告)号：CN104657532A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410032860.3

申请日：2014-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王姿予 ,  吴伟诚 ,  许国经 ,  侯上勇 ,  郑心圃

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5077 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/02 ,  G06F2217/06 ,  G06F2217/08 ,  G06F2217/38 ,  G06F2217/40 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开了半导体器件设计方法和导电凸块图案增强方法。在一些实施例中，设计半导体器件的方法包括：设计导电凸块图案设计；以及对导电凸块图案设计执行导电凸块图案增强算法以产生增强的导电凸块图案设计。基于增强的导电凸块图案设计来设计布线图案。对布线图案执行设计规则检查（DRC）程序。

公开(公告)号：CN102810522B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201210159351.8

申请日：2012-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  郑心圃 ,  侯上勇 ,  许国经 ,  谢政杰 ,  施应庆 ,  蔡柏豪 ,  黄震麟 ,  林俊成

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装元件其中没有有源器件。该封装元件包括：基板；通孔，位于基板中；顶部介电层，位于基板上方；以及金属柱，具有位于顶部介电层的顶面上方的顶面。该金属柱电连接到通孔。扩散势垒层位于该金属柱顶面上方。焊帽设置在该扩散势垒层上方。本发明还提供了封装结构和方法。

公开(公告)号：CN101414589B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200810170532.4

申请日：2008-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志华 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  许国经 ,  卿恺明

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及一种集成电路及形成该集成电路的方法，包含一基板；一硅贯通电极，延伸入基板中；一硅贯通电极转接垫，与硅贯通电极间隔一距离设置，以不环绕该硅贯通电极；以及一金属线，位于硅贯通电极上，且与硅贯通电极及一硅贯通电极转接垫电性连接。

公开(公告)号：CN101771012A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910141836.2

申请日：2009-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张宏宾 ,  许国经 ,  陈承先 ,  邱文智 ,  余振华

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，用于堆叠裸片的隔离结构。该制造方法包括：于一半导体基底中形成硅穿孔，并薄化该半导体基底的背侧以露出硅穿孔。形成一隔离层于半导体基底的背侧与硅穿孔上，并薄化隔离层以重新露出硅穿孔。之后，形成一导电元件于硅穿孔上。本发明中提供的隔离结构，其围绕露出的硅穿孔，因此提供一较大的湿润表面，使焊球和基板之间可形成良好的电性连接。如此一来，可增加焊球的密度。此外，隔离层也可增加接合界面的机械强度。

公开(公告)号：CN101719488A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910146988.1

申请日：2009-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许国经 ,  陈承先 ,  黃宏麟

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043

Abstract: 本发明提供一种具有锥形轮廓的再分布线的焊垫连接。具有所述锥形轮廓的再分布线的焊垫连接的集成电路结构包括具有前面和背面的半导体衬底。穿透硅通孔(TSV)穿过所述半导体衬底，其中所述TSV具有延伸到所述半导体衬底背面的后端。再分布线(RDL)形成在所述半导体衬底背面上方，并连接到所述穿透硅通孔的后端。钝化层位于所述再分布线上方并具有在所述钝化层中的开口，其中所述再分布线的一部分顶面和所述再分布线的侧壁通过所述开口暴露出。金属整精层形成在所述开口中，并与所述再分布线的所述部分顶面和侧壁接触。

公开(公告)号：CN113270322B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202110346933.6

申请日：2021-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许国经 ,  陈昱寰 ,  陈承先

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本公开提供一种芯片封装结构及用于形成芯片封装结构的方法。用于形成芯片封装结构的方法包括提供线路基板、在聚合物层以及导电垫上方形成导电粘合层、在导电粘合层上方形成镍层以及将芯片通过导电凸块接合到线路基板。线路基板包括基板、导电垫以及聚合物层，聚合物层位于基板以及导电垫上方，且聚合物层具有露出导电垫的一第一开口。导电粘合层直接接触并共形地覆盖聚合物层以及导电垫。镍层比导电粘合层厚，且镍层以及导电粘合层由不同的材料所形成。导电凸块位于镍层以及芯片之间。

公开(公告)号：CN115377049A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210712708.4

申请日：2022-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李雅惠 ,  叶书伸 ,  许国经 ,  吕学德 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 提供一种半导体晶粒封装。所述半导体晶粒封装包括一半导体晶粒以及设置于半导体晶粒之下的一封装基板。半导体晶粒具有一角落。封装基板包括数个导电线，且在半导体晶粒的所述角落下方的导电线中的一者包括一第一线段及一第二线段。第一线段和第二线段连接在一起，且第二线段的线宽小于第一线段的线宽。第一线段是线性的并在一第一方向上延伸。第二线段是非线性的并具有变化的延伸方向。

公开(公告)号：CN114975383A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210064658.3

申请日：2022-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈承先 ,  许国经 ,  林威宏 ,  黄晖闵 ,  郑明达 ,  李明机

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L21/50

Abstract: 公开了一种形成半导体结构的方法，包括形成重建封装衬底，包括将多个衬底块放置在载体上方；将所述多个衬底块密封在密封剂中；平坦化所述密封剂和所述多个衬底块以暴露位于所述多个衬底块中的再分布线；以及形成与所述多个衬底块和密封剂重叠的再分布结构；以及在所述重建封装衬底上方接合封装组件。本发明的实施例还涉及半导体结构以及另一种半导体结构。

公开(公告)号：CN111128933A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911048041.7

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾志翔 ,  陈玉芬 ,  林政仁 ,  吕文雄 ,  郑明达 ,  许国经 ,  许鸿生 ,  查名鸿 ,  王肇仪 ,  李明机

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 半导体封装件包括：第一管芯，具有第一衬底；互连结构，位于第一衬底上面并且具有多个金属层以及连接多个金属层的通孔；密封环结构，位于第一衬底上面并且沿着第一衬底的外围，密封环结构具有多个金属层以及连接多个金属层的通孔，该密封环结构具有最顶部金属层，最顶部金属层是最远离第一衬底的密封环结构的金属层，密封环结构的最顶部金属层具有内金属结构和外金属结构；以及聚合物层，位于密封环结构上方，该聚合物层具有最外边缘，该最外边缘位于密封环结构的外金属结构的顶面上方并且与密封环结构的外金属结构的顶面对准。本发明的实施例还涉及半导体封装件的形成方法。

公开(公告)号：CN104377171B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201410007067.8

申请日：2014-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱绍玲 ,  许国经 ,  吴伟诚 ,  黄炳刚 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有中介层的封装件及其形成方法。本发明的封装结构包括：中介层、位于中介层上方并且接合至中介层的管芯以及位于中介层下方并且接合至中介层的印刷电路板（PCB）。中介层中不包含晶体管（加入晶体管），而包括半导体衬底、位于半导体衬底上方的互连结构、位于硅衬底中的通孔以及位于硅衬底的背侧上的重分布线。互连结构和重分布线通过通孔电连接。