公开(公告)号：CN103545362B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310284714.5

申请日：2013-07-08

申请人： 富士通株式会社

发明人： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  吉川俊英

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/28581 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76879 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/335 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/1475

摘要： 公开了一种化合物半导体器件及其制造方法，所述化合物半导体器件包括：化合物半导体层；保护绝缘膜，其覆盖化合物半导体层的顶部；以及栅电极，其在保护绝缘膜上形成，其中保护绝缘膜具有第一沟槽和与第一沟槽并列形成的第二沟槽，并且其中在化合物半导体层上残存了仅具有一定预定厚度的保护绝缘膜，以及其中栅电极填充进第一沟槽并且栅电极的一端离开第一沟槽并且至少定位在第二沟槽中。

公开(公告)号：CN105679701A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610030998.9

申请日：2016-01-18

申请人： 上海交通大学

发明人： 孙云娜 ,  王艳 ,  王博 ,  牛迪 ,  罗江波 ,  丁桂甫

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76879

摘要： 本发明公开一种高效电镀填充硅基TSV的方法，具体为：在晶圆上刻蚀制备TSV；在刻蚀TSV的晶圆上制备绝缘层；在含有绝缘层的晶圆上制备种子层；接着在晶圆双面贴干膜，单面光刻、显影；去除TSV侧壁端口部位的种子层；在图形化的一面粘贴干膜、另一面光刻显影；再次去除另一端口部位的种子层；再次通过光刻、显影；接着双向同步电镀填充铜，使TSV-Cu与TSV-pad一体成型无分离界面；去除干膜光刻胶、种子层。本发明将TSV通孔电镀填充工艺转化为两个类盲孔电镀填充工艺，TSV结构结合牢固且工艺更为灵活、方便，大大降低了高深宽比TSV通孔电镀填充难度，同时有效提高电镀速率，使低成本高效制备TSV成为可能。

公开(公告)号：CN105580114A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480052485.7

申请日：2014-09-05

申请人： 美光科技公司

发明人： 朱利奥·阿尔比尼

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： 本发明揭示例如相变存储器装置的半导体装置及结构，其包含耦合到外围区域中的外围导电接触件的外围导电垫。阵列区域可包含耦合到导电线的存储器单元。形成此类半导体装置及结构的方法包含从外围区域移除存储器单元材料且此后从所述阵列区域选择性地移除所述存储器单元材料的部分以界定所述阵列区域中的个别存储器单元。额外方法包含使用外围导电垫及/或所述外围导电垫上方的间隔物材料作为平坦化停止材料而平坦化所述结构。又进一步方法包含部分界定所述阵列区域中的存储器单元，此后形成外围导电接触件，且此后完全界定所述存储器单元。

公开(公告)号：CN103383933B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201210552090.6

申请日：2012-12-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 白志阳 ,  涂国基 ,  江文铨 ,  周仲彦

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L27/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，包括半导体衬底，设置在半导体衬底中的隔离结构，设置在隔离结构上方的导电层，设置在隔离结构上方的电容器，该电容器包括顶部电极、底部电极以及设置在顶部电极和底部电极之间的电介质，并且第一接触件将导电层和底部电极电连接，底部电极大体接合在至少两个面上的第一接触件。本发明还公开了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN105441903A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510831456.7

申请日：2009-02-20

申请人： 斯莫特克有限公司

发明人： 乔纳斯·贝尔格 ,  文森特·代马雷 ,  默罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 ,  艾米·默罕默德 ,  大卫·布鲁德

IPC分类号： C23C16/44 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C23C16/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C23C16/503 ,  G02B6/26 ,  H01B13/0026 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/66439 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  C23C16/44 ,  B82B3/00

摘要： 本发明公开了一种制造一个或多个纳米结构的方法，所述方法包括：在基底的上表面沉积导电层；在所述导电层上沉积带图案的催化剂层；在所述催化剂层上生长一个或多个纳米结构；以及选择性地移除位于一个或多个纳米结构之间和周围的导电助层。本发明还公开了一种器件，包括基底，其中所述基底包括被一个或多个绝缘区域分开的一个或多个裸露金属岛；沉积在所述基底上的导电助层，所述导电助层至少覆盖一个或多个裸露金属岛或绝缘区域中的一部分；沉积在所述导电助层上的催化剂层；以及沉积在所述催化剂层上的一个或多个纳米结构。

公开(公告)号：CN102403304B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201110401441.9

申请日：2011-12-06

申请人： 上海集成电路研发中心有限公司

发明人： 赵宇航 ,  康晓旭

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种互连结构及其制作方法，采用牺牲层在互连介质之间形成空腔，使用碳纳米管作为局部互连的通孔互连材料，使用石墨烯纳米带作为金属线互连材料，互连介质中含有空腔，并使用传统CMOS后道铜互连技术应用在中间互连层次和全局互连层次中，可以有效地解决铜互连技术在局部互连尺寸较小时带来的高寄生电阻和寄生电容问题，其中通孔或接触孔内的碳纳米管和用于连接碳纳米管的石墨烯纳米带大幅度降低寄生电阻，互连介质中的空腔有效地降低层间寄生电容，同时石墨烯纳米带很薄，其连线之间的寄生电容也大幅度得到降低；本发明还兼容了现有的CMOS铜互连技术，有效地降低互连RC延迟，提高芯片性能，控制芯片成本。

公开(公告)号：CN105374795A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510338054.3

申请日：2015-06-17

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 玄灿顺

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件包括：包括交替层叠的导电层和绝缘层的层叠结构；被配置为穿过层叠结构的半导体图案；以及分别电耦合至导电层的接触插塞，其中每个导电层包括具有第一厚度的第一区域和电耦合至第一区域且具有比第一厚度更大的第二厚度的第二区域，并且下导电层的第二区域位于上导电层的第二区域之下。

公开(公告)号：CN105321873A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410770276.8

申请日：2014-12-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈品彣 ,  张志维

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329

摘要： 本发明公开了导电结构及其制造方法。在一些实施例中，一种形成导电结构的方法包括：提供在其中形成有凹槽的衬底，该凹槽内衬有第一晶种层且部分填充有第一导电材料；去除第一晶种层的不包含第一导电材料的部分以形成凹槽的暴露表面；将第二晶种层内衬于凹槽的暴露表面；以及使用第二导电材料填充凹槽，第二导电材料覆盖第一导电材料和第二晶种层。

公开(公告)号：CN105097664A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410442910.5

申请日：2014-09-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李亚莲 ,  苏鸿文 ,  林瑀宏 ,  李魁斌 ,  张育民

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/50 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了用于具有减小的接触电阻的集成电路的结构。该结构包括衬底、沉积在衬底上的覆盖层、沉积在覆盖层上的介电层、以及嵌入在介电层中的沟槽。该沟槽包括沉积在沟槽的侧壁上的TaN层，其中，TaN层具有大于钽的氮浓度；沉积在TaN层上的Ta层；以及沉积在Ta层上的Cu。该结构还包括在填充的沟槽的底部集成到沟槽的通孔。在一个实施例中，TaN层和Ta层均以物理汽相沉积(PVD)形成，其中，通过以至少20sccm的N2流量等离子体溅射Ta靶来形成TaN层。该结构提供低的接触电阻(Rc)和紧凑的Rc分布。本发明还涉及器件和用于减小金属的接触电阻的方法。

公开(公告)号：CN102194718B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201110061712.0

申请日：2011-03-15

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： 林耀剑 ,  陈康 ,  方建敏 ,  X·冯

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体晶片具有多个第一半导体管芯。第一导电层形成在所述管芯的有源表面上。第一绝缘层形成在所述有源表面和第一导电层上。再钝化层形成在第一绝缘层和第一导电层上。形成通过再钝化层至第一导电层的通路。所述半导体晶片被单体化以分离半导体管芯。半导体管芯被安装到临时载体。在半导体管芯和载体上沉积密封剂。除去载体。第二绝缘层形成在再钝化层和密封剂上。第二导电层形成在再钝化层和第一导电层上。第三绝缘层形成在第二导电层和第二绝缘层上。互连结构形成在第二导电层上。