-
公开(公告)号：CN111508853A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010198703.5
申请日：2013-08-30
Applicant: 新科金朋有限公司
Abstract: 本发明涉及在半导体管芯上形成支撑层的半导体器件和方法。一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体管芯；在半导体管芯上方形成第一支撑层；在半导体管芯周围和第一支撑层的侧表面周围形成密封剂；以及在半导体管芯和密封剂上方形成与所述第一支撑层相对的互连结构。
-
公开(公告)号：CN104576517B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201410451734.1
申请日：2014-09-05
Applicant: 新科金朋有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 平衡有虚设铜图案的嵌入PCB单元表面的半导体器件和方法。半导体器件具有衬底。导电通孔穿过衬底而形成。多个第一接触焊盘在衬底的第一表面上方形成。多个第二接触焊盘在衬底的第二表面上方形成。虚设图案在衬底的第二表面上方形成。缺口在衬底的侧壁中形成。开口穿过衬底而形成。密封剂被沉积在开口中。绝缘层在衬底的第二表面上方形成。虚设开口在绝缘层中形成。半导体管芯被布置成邻近于衬底。密封剂被沉积在半导体管芯和衬底上方。衬底的第一表面包括比衬底的第二表面的宽度大的宽度。
-
公开(公告)号：CN102738067B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210055409.4
申请日：2012-01-21
Applicant: 新科金朋有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/29 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于形成半导体封装的方法。半导体器件具有半导体管芯和沉积在半导体管芯上的密封剂。在管芯和密封剂上形成第一绝缘层。用多个驻留循环固化第一绝缘层以增强对管芯和密封剂的粘附。第一导电层形成在第一绝缘层上。第二绝缘层形成在第一绝缘层和第一导电层上。用多个驻留循环固化第二绝缘层以增强对第一绝缘层和第一导电层的粘附。第二导电层形成在第二绝缘层和第一导电层上。第三绝缘层形成在第二绝缘层和第二导电层上。第一、第二和第三绝缘层具有不同的CTE。将第二绝缘层或者第三绝缘层固化成致密状态以阻挡湿气。
-
公开(公告)号：CN102637608B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210029757.4
申请日：2012-02-10
Applicant: 新科金朋有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3157 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/04 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/074 , H01L25/105 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2223/54426 , H01L2224/03002 , H01L2224/03003 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/0557 , H01L2224/0613 , H01L2224/12105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13021 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14104 , H01L2224/16111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/24137 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/82005 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/82 , H01L2224/11 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/13015 , H01L2224/81
Abstract: 本发明涉及半导体器件和形成用于3D FO‑WLCSP的垂直互连结构的方法。一种半导体器件具有临时载体。半导体管芯以有源表面面向临时载体并被安装到临时载体。沉积具有在临时载体上的第一表面和与第一表面相对的第二表面的密封剂，并且所述密封剂被沉积在半导体管芯的背面上。临时载体被除去。在半导体管芯的外围中的密封剂的一部分被除去以在密封剂的第一表面中形成开口。互连结构形成在半导体管芯的有源表面上并且延伸到密封剂层中的开口中。形成通路，并且该通路从密封剂的第二表面延伸到开口。第一凸块形成在通路中并且电连接到互连结构。
-
公开(公告)号：CN102569097B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110429755.X
申请日：2011-12-09
Applicant: 新科金朋有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 半导体器件具有安装到载体的半导体小片。封装剂沉积在半导体小片和载体之上。去除载体。在半导体小片的占用面积外部的互连部位中的封装剂的一部分之上形成第一绝缘层。开口形成为通过互连部位中的第一绝缘层，以便露出封装剂。开口能够是环形的或是互连部位周围以及互连部位的中心区域中的通孔，以便露出封装剂。在第一绝缘层之上形成第一导电层，以便跟随第一绝缘层的轮廓。在第一导电层和外露封装剂之上形成第二导电层。在第二导电层之上形成第二绝缘层。在互连部位中的第二导电层之上形成凸块。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102130101B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201010587089.8
申请日：2010-12-01
Applicant: 新科金朋有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L27/02 , H01L23/528 , H01L23/498 , H01L23/00 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/50 , H01L21/98
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/3185 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L2224/0231 , H01L2224/0233 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05111 , H01L2224/05155 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1411 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种具有在其有效表面上形成的第一导电层的半导体晶圆。在所述基片和所述第一导电层上形成第一绝缘层。在所述第一导电层和所述第一绝缘层上形成第二导电层。在所述第二导电层上围绕凸块形成区形成UBM层。所述UBM层可以是两层堆叠的金属层或三层堆叠的金属层。所述第二导电层被暴露在所述凸块形成区中。在所述UBM层和所述第二导电层上形成第二绝缘层。在所述凸块形成区和所述UBM层的一部分上去除所述第二绝缘层的一部分。在所述凸块形成区中的所述第二导电层上形成凸块。所述凸块接触所述UBM层以密封所述凸块和所述第二导电层之间的接触界面。
-
公开(公告)号：CN104576517A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410451734.1
申请日：2014-09-05
Applicant: 新科金朋有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
CPC classification number: H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24155 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/82
Abstract: 平衡有虚设铜图案的嵌入PCB单元表面的半导体器件和方法。半导体器件具有衬底。导电通孔穿过衬底而形成。多个第一接触焊盘在衬底的第一表面上方形成。多个第二接触焊盘在衬底的第二表面上方形成。虚设图案在衬底的第二表面上方形成。缺口在衬底的侧壁中形成。开口穿过衬底而形成。密封剂被沉积在开口中。绝缘层在衬底的第二表面上方形成。虚设开口在绝缘层中形成。半导体管芯被布置成邻近于衬底。密封剂被沉积在半导体管芯和衬底上方。衬底的第一表面包括比衬底的第二表面的宽度大的宽度。
-
公开(公告)号：CN103715104A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310385249.4
申请日：2013-08-30
Applicant: 新科金朋有限公司
Abstract: 本发明涉及在半导体管芯上形成支撑层的半导体器件和方法。一种半导体器件包括半导体管芯。密封剂在半导体管芯周围形成。堆积互连结构在半导体管芯的第一表面和密封剂上形成。第一支撑层在半导体管芯的第二表面上形成为与堆积互连结构相对布置的支撑基板或硅晶片。第二支撑层在第一支撑层上形成并且包括纤维增强聚合复合物材料，该纤维增强聚合复合物材料包括所包含的面积大于或等于半导体管芯的占位区的面积的占位区。该半导体管芯包括小于450微米(µm)的厚度。半导体管芯的厚度比半导体器件的总厚度与堆积互连结构和第二支撑层的厚度之间的差异小至少1µm。
-
公开(公告)号：CN103681397A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310165525.6
申请日：2013-05-07
Applicant: 新科金朋有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/544
CPC classification number: H01L22/32 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L23/28 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/92125 , H01L2224/92244 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在载体上形成累积式互连结构用于在中间阶段的测试的半导体装置及方法。一种半导体装置，具有形成于载体上的第一互连结构。在测试第一互连结构为已知良好之后，将半导体小片设置在第一互连结构上。半导体小片为已知良好小片。在第一互连结构上形成诸如凸起或钉头凸起的竖直互连结构。离散型半导体装置设置在第一互连结构或第二互连结构上。密封剂沉积于半导体小片、第一互连结构和竖直互连结构上。密封剂的一部分被去除，以露出竖直互连结构。第二互连结构形成于密封剂上且电性连接于竖直互连结构。第一互连结构或第二互连结构包括具有嵌入的玻璃布、玻璃丝网、填料或纤维的绝缘层。
-
公开(公告)号：CN102130101A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010587089.8
申请日：2010-12-01
Applicant: 新科金朋有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L27/02 , H01L23/528 , H01L23/498 , H01L23/00 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/50 , H01L21/98
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/3185 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L2224/0231 , H01L2224/0233 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05111 , H01L2224/05155 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1411 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种具有在其有效表面上形成的第一导电层的半导体晶圆。在所述基片和所述第一导电层上形成第一绝缘层。在所述第一导电层和所述第一绝缘层上形成第二导电层。在所述第二导电层上围绕凸块形成区形成UBM层。所述UBM层可以是两层堆叠的金属层或三层堆叠的金属层。所述第二导电层被暴露在所述凸块形成区中。在所述UBM层和所述第二导电层上形成第二绝缘层。在所述凸块形成区和所述UBM层的一部分上去除所述第二绝缘层的一部分。在所述凸块形成区中的所述第二导电层上形成凸块。所述凸块接触所述UBM层以密封所述凸块和所述第二导电层之间的接触界面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.043 seconds)
