公开(公告)号：CN104112690A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410156463.7

申请日：2014-04-18

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·W·比德尔 ,  郑政玮 ,  D·K·萨达那 ,  K·L·森格尔 ,  徐崑庭

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/7813 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及用于衬底分离的裂纹控制。一种分离用于转移的层的方法包括在衬底上形成裂纹引导层以及在所述裂纹引导层上形成器件层。通过将所述裂纹引导层暴露于减小与所述裂纹引导层相邻的界面处的粘附力的气体，弱化所述裂纹引导层。在所述器件层上形成应力诱导层以帮助通过所述裂纹引导层和/所述或界面引发裂纹。通过使所述裂纹扩展，从所述衬底去除所述器件层。

公开(公告)号：CN103839777A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410086759.6

申请日：2014-03-11

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 郭恩卿 ,  伊晓燕 ,  刘志强 ,  王国宏 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC分类号： H01L21/02 ,  B23K26/36

CPC分类号： H01L21/7813 ,  B23K26/361

摘要： 本发明公开了一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法，该方法包括：取在蓝宝石衬底上生长了氮化镓薄膜的外延片；在氮化镓薄膜的表面沉积过渡层；在过渡层表面制作转移衬底；以及采用步进扫描方式的长条形激光光斑扫描照射整个抛光过的蓝宝石衬底的背面，实现蓝宝石衬底与氮化镓薄膜的整体分离。本发明采用长条形平顶激光光斑进行扫描，既能保证剥离大面积的氮化镓薄膜样品无裂纹，又能获得可接受的加工速率。本发明尤其对目前氮化镓基垂直结构发光二极管、氮化镓单晶的制造工艺的进步具有十分重要的作用。

公开(公告)号：CN103794471A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410016843.0

申请日：2014-01-14

申请人： 上海新储集成电路有限公司

发明人： 陈邦明 ,  常永伟 ,  王曦

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/7813

摘要： 本发明提供了一种化合物半导体衬底制备方法，通过在施主衬底和外延层之间制备一超薄的气体收集缓冲层，利用缓冲层与界面的低晶格失配和缺陷对注入离子进行有效的吸附和俘获，与目前的化合物体材料的直接注入剥离相比，本发明大大降低了注入气体离子的剂量以及注入时间，减小对外延层造成的损伤；同时在对外延层进行离子注入时，还可减小注入的离子对衬底造成的损伤，使得衬底在剥离后仍可继续使用，减小了生产成本。

公开(公告)号：CN103606514A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310647163.4

申请日：2013-12-03

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王东 ,  闫景东 ,  宁静 ,  韩砀 ,  柴正 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02

CPC分类号： H01L21/7813 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B29/02 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694

摘要： 本发明公开了一种基于GaN衬底CVD外延生长石墨烯的化学腐蚀转移方法，主要解决现有技术对石墨烯转移耗时，铜衬底浪费的问题。其实现步骤是：（1）将a面碳化硅置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室，通入镓源与氨气，生长a面GaN；（2）利用电子束蒸发在GaN上沉积Cu薄膜；（3）通入H2，对Cu薄膜热退火；（4）通入H2和CH4，通过化学气象淀积生长石墨烯；（5）在石墨烯表面旋涂光刻胶，并将其放入氢氧化钾溶液，借助激光加速腐蚀GaN中间层，再腐蚀去除掉下层Cu薄膜；（6）将薄膜腐蚀掉后所得的石墨烯光刻胶朝上置于绝缘衬底，风干后加热，再降温到室温后，放进丙酮中除掉上表面的光刻胶，完成石墨烯的转移。本发明具有转移时间短，节省Cu衬底的优点。

公开(公告)号：CN103337480A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310286554.8

申请日：2013-07-09

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 柯聪盈

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L51/0097 ,  H01L21/78 ,  H01L21/7813 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L33/02 ,  H01L51/003 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/5338 ,  H05K1/028 ,  H05K1/0353 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/032 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 一种有源元件基板与其制作方法及显示器的制作方法，该有源元件基板包含可挠性基板、无机离型层与至少一有源元件。可挠性基板具有相对的第一表面与第二表面，其中第一表面为平坦表面。无机离型层覆盖可挠性基板的第一表面。无机离型层的材质为金属、金属氧化物或上述组合。有源元件位于可挠性基板的第二表面上。本发明提供的有源元件基板可以减少有源元件受损的机率。

公开(公告)号：CN102782818A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180007613.2

申请日：2011-01-27

申请人： 耶鲁大学

发明人： 荣格·韩 ,  孙乾 ,  张宇

IPC分类号： H01L21/326

CPC分类号： C25F3/12 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  C30B33/10 ,  G02B1/02 ,  G02B1/118 ,  G02B5/1861 ,  G02B6/29356 ,  G02B6/29358 ,  G02B2207/107 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/30635 ,  H01L21/326 ,  H01L21/7813 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  Y02E60/366 ,  Y10T428/24997

摘要： 本发明涉及在大面积(>1cm2)上以受控孔直径、孔密度和孔隙率生成NP氮化镓(GaN)的方法。本发明还揭示基于多孔GaN生成新颖光电子装置的方法。另外揭示一种用以分离并产生独立式结晶GaN薄层的层转移方案，所述方案使得涉及衬底再循环的新装置制造模式成为可能。本发明揭示的其它实施例涉及基于GaN的纳米晶体的制造和NP GaN电极在电解、水分解或光合过程应用中的使用。

公开(公告)号：CN1893062A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610081905.1

申请日：1994-12-07

申请人： 加利福尼亚大学董事会

发明人： 约翰·S·史密斯 ,  H·J·J·叶

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/13

CPC分类号： H01L24/95 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L21/7813 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L24/24 ,  H01L24/26 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L25/04 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L33/20 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95092 ,  H01L2224/95122 ,  H01L2224/95136 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15155 ,  H01L2924/15157 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/183 ,  H01L2924/00

摘要： 一种通过液体传送将微结构组装到衬底上的方法。呈成型模块(19)的微结构自对准到位于衬底(50)上的凹槽区域(55)，使微结构变成与衬底结合起来。所改进的方法包括将成型模块移入液体形成一种悬浮物的步骤，然后将这种悬浮物均匀地倾倒在其上具有凹槽区域的衬底的顶面(53)的上方。通过成型和流体的作用微结构跌落到衬底的表面，自对准并接合到凹槽区域。

公开(公告)号：CN109671671A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201710958309.5

申请日：2017-10-16

申请人： 錼创显示科技股份有限公司

发明人： 林子旸 ,  陈培欣 ,  史诒君 ,  陈奕静 ,  李玉柱

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/7813 ,  H01L33/005

摘要： 一种微型发光元件结构，包括基板，至少一微型发光元件、多个固定结构以及缓冲层。微型发光元件配置于基板上。固定结构分散配置于微型发光元件的边缘，且位于基板与微型发光元件之间并直接接触基板。缓冲层配置于微型发光元件、固定结构与基板之间。

公开(公告)号：CN108788449A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810360957.5

申请日：2018-04-20

申请人： 信越聚合物株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学 ,  信越化学工业株式会社

发明人： 池野顺一 ,  山田洋平 ,  铃木秀树 ,  野口仁

IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K101/40

CPC分类号： H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B32B43/006 ,  C30B29/16 ,  C30B33/02 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02527 ,  B23K26/00

摘要： 本发明的课题在于提供一种基板制造方法，该方法可容易地获得晶格缺陷少的薄的氧化镁单晶基板。该基板制造方法具备：第一工序，将对激光进行聚光的激光聚光单元非接触地配置于氧化镁单晶基板(20)的被照射面(20r)上；以及第二工序，使用激光聚光单元，以预定的照射条件对氧化镁单晶基板(20)的表面照射激光，一边在单晶构件内部对激光进行聚光一边使激光聚光单元与氧化镁单晶基板(20)以二维状相对地移动，从而在单晶构件内部依次逐渐形成加工痕迹而使其依次逐渐发生面状剥离。

公开(公告)号：CN108137379A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058008.0

申请日：2016-09-28

申请人： 旭硝子株式会社

发明人： 塙优 ,  小野和孝 ,  泽村茂辉

IPC分类号： C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091 ,  C03C17/06 ,  C03C27/04 ,  H01L21/683 ,  H01L23/15

CPC分类号： C03C3/087 ,  B32B17/06 ,  B32B2250/02 ,  B32B2250/03 ,  B32B2457/14 ,  C03C3/085 ,  C03C3/091 ,  C03C17/06 ,  C03C27/04 ,  H01L21/683 ,  H01L21/7813 ,  H01L23/15

摘要： 本发明的玻璃基板，作为基本组成，以氧化物基准的摩尔百分比表示，含有SiO2：58～75％、Al2O3：4.5～16％、B2O3：0～6％、MgO：0～6％、CaO：0～6％、SrO：5～20％、BaO：5～20％、MgO+CaO+SrO+BaO：15～40％，碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分比表示为0～0.1％，50℃～350℃的平均热膨胀系数α为56～90(×10－7/℃)。