公开(公告)号：CN104704618B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201380052142.6

申请日：2013-10-07

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 西元修司 ,  长友义幸 ,  长瀬敏之

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/32 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/597 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/83595 ,  H01L2224/83695 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明所涉及的半导体装置(1)具备：由导电性材料构成的电路层(12)；及搭载于电路层(12)上的半导体元件(3)，在电路层(12)的一面形成有气孔率设在5％以上且55％以下的范围内的基底层(31)，在该基底层(31)之上形成有由接合材料的烧成体构成的接合层(38)，所述接合材料包含金属粒子及金属氧化物粒子中的至少一方或双方及有机物，电路层(12)和半导体元件(3)经由基底层(31)及接合层(38)而接合。

公开(公告)号：CN104885206B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201380066872.1

申请日：2013-12-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 大桥东洋 ,  长友义幸 ,  长瀬敏之 ,  黑光祥郎

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00

CPC classification number: H05K7/02 ,  B23K35/0272 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  B23K2101/42 ,  B32B15/017 ,  C22C13/00 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/488 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105

Abstract: 本发明的功率模块中，在电路层(12)中与半导体元件(3)的接合面，设置有由铜或铜合金构成的铜层，且在电路层(12)与半导体元件(3)之间形成有使用焊锡材料而形成的焊锡层(20)。在焊锡层(20)中的从电路层(12)表面至厚度30μm的区域中，通过EBSD测定而测定的平均结晶粒径被设定为10μm以下，焊锡层(20)的组成为，作为主成分含有Sn，并且含有0.01质量％以上1.0质量％以下的Ni、0.1质量％以上5.0质量％以下的Cu，在功率循环试验中，在通电时间5秒、温度差80℃的条件下负载10万次功率循环时，热阻上升率低于10％。

公开(公告)号：CN103988297A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280060840.6

申请日：2012-12-11

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 西川仁人 ,  西元修司 ,  北原丈嗣 ,  长瀬敏之

IPC: H01L23/36 ,  B23K1/00 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H05K13/00 ,  B23K1/20 ,  C04B35/111 ,  C04B35/14 ,  C04B35/46 ,  C04B35/587 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63424 ,  C04B37/025 ,  C04B37/028 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/95 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/068 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/82 ,  C04B2237/88 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/467 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/12044 ,  H05K1/0201 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0373 ,  H05K13/0465 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的功率模块用基板(10)中，在绝缘层(11)的一个面上形成有电路层(12)，在绝缘层(11)的另一个面上形成有金属层(13)，且在该金属层(13)的另一个面上使用助焊剂接合有被接合体，所述功率模块用基板(10)中，在绝缘层(11)与金属层(13)的接合面的周边部形成有含有氧化物与树脂的助焊剂成分侵入防止层(51)。

公开(公告)号：CN108137420B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201680063775.0

申请日：2016-08-29

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 黑光祥郎 ,  秋山和裕 ,  长瀬敏之 ,  长友义幸 ,  寺崎伸幸 ,  几原雄一 ,  柴田直哉 ,  熊本明仁

IPC: C04B37/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36

Abstract: 本发明的陶瓷/铝接合体，在铝部件之中从与陶瓷部件的接合界面起厚度方向上2μm的范围内，分散有具有尖晶石结晶结构的含Mg氧化物，在铝部件之中与陶瓷部件的接合界面附近区域，具有Mg、Si、O偏析的偏析部，偏析部与从接合界面向铝部件侧离开10μm的位置的Mg、Si、O之质量比分别设在规定的范围内，从接合界面向铝部件侧离开10μm的位置的Mg量设为0.8质量%以下。

公开(公告)号：CN108140706A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680055094.X

申请日：2016-09-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 长瀬敏之 ,  驹崎雅人 ,  岩崎航

IPC: H01L33/64 ,  B23K1/00 ,  B23K35/30 ,  C22C5/02 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  B23K101/42 ,  B23K103/10 ,  B23K103/12

CPC classification number: B23K1/00 ,  B23K35/30 ,  C22C5/02 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8384

Abstract: 本发明的带制冷器的发光模块中，在绝缘层的一个面侧形成搭载发光元件的电路层，且在所述绝缘层的另一个面侧依次层叠金属层与制冷器，所述带制冷器的发光模块的特征在于，所述电路层由Cu、Al或它们的合金构成，并且厚度为0.1mm以下，所述金属层及所述制冷器由Al或Al合金构成，所述金属层与所述制冷器直接接合，所述发光元件的面积:所述绝缘层的一个面的面积在1:20～1:400的范围内。

公开(公告)号：CN108137420A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680063775.0

申请日：2016-08-29

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 黑光祥郎 ,  秋山和裕 ,  长瀬敏之 ,  长友义幸 ,  寺崎伸幸 ,  几原雄一 ,  柴田直哉 ,  熊本明仁

IPC: C04B37/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36

CPC classification number: C04B37/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L2224/32225

Abstract: 本发明的陶瓷/铝接合体，在铝部件之中从与陶瓷部件的接合界面起厚度方向上2μm的范围内，分散有具有尖晶石结晶结构的含Mg氧化物，在铝部件之中与陶瓷部件的接合界面附近区域，具有Mg、Si、O偏析的偏析部，偏析部与从接合界面向铝部件侧离开10μm的位置的Mg、Si、O之质量比分别设在规定的范围内，从接合界面向铝部件侧离开10μm的位置的Mg量设为0.8质量%以下。

公开(公告)号：CN104885207B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201380067852.6

申请日：2013-12-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 大桥东洋 ,  长友义幸 ,  长瀬敏之 ,  黑光祥郎

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00

CPC classification number: H05K7/02 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/488 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的功率模块中，在电路层(12)中的与半导体元件(3)的接合面设置有由铜或铜合金构成的铜层，且在电路层(12)与半导体元件(3)之间形成有使用焊锡材料形成的焊锡层(20)。在焊锡层(20)中的与电路层(12)之间的界面形成有合金层(21)，该合金层(21)作为主成分含有Sn，并且含有0.5质量％以上10质量％以下的Ni和30质量％以上40质量％以下的Cu，该合金层(21)的厚度设定在2μm以上20μm以下的范围内，在功率循环试验中，在通电时间5秒、温度差80℃的条件下负载10万次功率循环时的热阻上升率低于10％。

公开(公告)号：CN104919585B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201480004771.6

申请日：2014-01-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 长瀬敏之 ,  长友义幸 ,  寺崎伸幸

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40

CPC classification number: B23K20/02 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/10 ,  B23K2103/12 ,  B23K2103/18 ,  B23K2103/52 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/473 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请的功率模块用基板，具备形成于陶瓷基板(11)的第一面的电路层(12)及形成于第二面的金属层(13)，所述金属层(13)具有：第一铝层(13A)，与所述陶瓷基板(11)的第二面接合；及第一铜层(13B)，与该第一铝层(13A)固相扩散接合。

公开(公告)号：CN112839799A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201980067770.9

申请日：2019-10-31

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 喜多晃一 ,  长瀬敏之 ,  中矢清隆 ,  岩田广太郎

IPC: B32B9/00 ,  H01L23/36

Abstract: 一种碳质构件(21)，其包含由单层或多层的石墨烯堆积而成的石墨烯聚集体及扁平状的石墨颗粒，所述碳质构件的结构为扁平状的所述石墨颗粒以其基底面叠摞的方式将所述石墨烯聚集体作为粘合剂而层叠，并使扁平状的所述石墨颗粒的基底面朝一个方向取向。金属层(25)具备金属镀层(26)，所述金属镀层(26)直接形成于在碳质构件(21)中层叠的所述石墨颗粒的边缘面所面对的表面(边缘层叠面)，金属镀层(26)以导热系数为50W/(m·K)以上的金属构成。

公开(公告)号：CN107112100A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680005466.8

申请日：2016-01-27

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 长瀬敏之 ,  驹崎雅人

IPC: H01C1/084 ,  H01C1/142 ,  H01C17/02 ,  H01C17/28

CPC classification number: H01C1/144 ,  H01C1/012 ,  H01C1/028 ,  H01C1/084 ,  H01C7/003 ,  H01C17/006 ,  H01C17/02 ,  H01C17/28

Abstract: 本发明的电阻器具备：包括形成于陶瓷基板的一面的电阻元件及金属电极的片状电阻元件；电连接于所述金属电极的金属端子；及形成于所述陶瓷基板的另一面侧的Al部件，所述陶瓷基板与所述Al部件通过Al‑Si系钎料而被接合，所述金属电极与所述金属端子通过焊料而被接合，在所述Al部件中，与所述陶瓷基板侧的面相对置的对置面的弯曲程度在‑30μm/50mm以上且700μm/50mm以下的范围内。