-
公开(公告)号：CN114783960A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210450861.4
申请日：2016-10-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
摘要： 本发明实施例提供了一种方法，包括：在载体上附接半导体结构，在载体上方沉积模塑料层，其中，半导体结构嵌入在模塑料层中；将第一感光材料层和第二感光材料层暴露于光；显影第一感光材料层和第二感光材料层以形成开口，开口具有位于第一感光材料层中的第一部分和位于第二感光材料层中的第二部分，其中，第二部分的宽度大于第一部分的宽度；用导电材料填充开口以在第一感光材料层中形成通孔和在第二感光材料层中形成重分布层；以及在重分布层上方形成凸块。本发明实施例涉及扇出型封装件结构和方法。
-
公开(公告)号：CN103151329B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210258782.X
申请日：2012-07-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L22/34 , G01R31/2884 , H01L21/76885 , H01L22/32 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02126 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/0554 , H01L2224/10126 , H01L2224/13005 , H01L2224/16225 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
摘要： 以上描述的实施例提供用于在封装的集成电路(IC)芯片上方形成金属焊盘上金属凸块和测试焊盘的机制。形成钝化层，以覆盖测试焊盘和可能覆盖金属焊盘的部分。钝化层不覆盖远离测试焊盘区和金属焊盘区的表面。通过钝化层有限地覆盖测试焊盘和金属焊盘的部分减小了在金属焊盘和金属凸块之间形成的UBM层的界面阻抗。这种界面阻抗的减小导致金属凸块的阻抗的减小。本发明还提供了用于封装芯片的钝化层。
-
公开(公告)号：CN103107150B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210022531.1
申请日：2012-02-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/525 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/5256 , H01L23/5382 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/13184 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/00 , H01L2224/81805
摘要： 本发明公开了用于半导体器件的中介层及其制造方法。在一个实施例中，一种中介层包括：衬底；在衬底上设置的接触焊盘；以及位于衬底中的连接至接触焊盘的第一通孔；连接至第一通孔的第一熔丝；位于衬底中的连接至接触焊盘的第二通孔；以及连接至第二通孔的第二熔丝。
-
公开(公告)号：CN104269390A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410474255.1
申请日：2011-07-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/0235 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05014 , H01L2224/05015 , H01L2224/05018 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05541 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/06131 , H01L2224/10126 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11912 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01028 , H01L2924/01022 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。
-
公开(公告)号：CN102142413A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010239344.X
申请日：2010-07-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/3192 , H01L21/76804 , H01L21/76885 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02125 , H01L2224/0215 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/10156 , H01L2224/131 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/06 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体元件及其制法，该半导体元件包括：一半导体基材；一接合焊盘位于该半导体基材之上；一应力缓冲结构部分地覆盖该接合焊盘并暴露一部分的接合焊盘，其中该应力缓冲结构包括一阶梯状侧壁，该阶梯状侧壁从该暴露的接合焊盘逐渐地向上延伸；以及一凸块底层金属层位于该暴露的接合焊盘上与该阶梯状侧壁之上，其中该凸块底层金属的形状与该阶梯状侧壁的形状一致。本发明的接合结构包括一阶梯状应力缓冲层位于具有同样阶梯状的凸块底层金属层之下。本发明的凸块底层金属结构与应力缓冲结构的阶梯状构造会造成较均匀的应力分布，且降低芯片底下介电材料与凸块底层金属结构自身的最大/平均应力值。
-
公开(公告)号：CN104269390B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201410474255.1
申请日：2011-07-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/0235 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05014 , H01L2224/05015 , H01L2224/05018 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05541 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/06131 , H01L2224/10126 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11912 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01028 , H01L2924/01022 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。
-
公开(公告)号：CN102403290B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110204956.X
申请日：2011-07-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/0235 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05014 , H01L2224/05015 , H01L2224/05018 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05541 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/06131 , H01L2224/10126 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11912 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01028 , H01L2924/01022 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。
-
公开(公告)号：CN103151329A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210258782.X
申请日：2012-07-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L22/34 , G01R31/2884 , H01L21/76885 , H01L22/32 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02126 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/0554 , H01L2224/10126 , H01L2224/13005 , H01L2224/16225 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
摘要： 以上描述的实施例提供用于在封装的集成电路(IC)芯片上方形成金属焊盘上金属凸块和测试焊盘的机制。形成钝化层，以覆盖测试焊盘和可能覆盖金属焊盘的部分。钝化层不覆盖远离测试焊盘区和金属焊盘区的表面。通过钝化层有限地覆盖测试焊盘和金属焊盘的部分减小了在金属焊盘和金属凸块之间形成的UBM层的界面阻抗。这种界面阻抗的减小导致金属凸块的阻抗的减小。本发明还提供了用于封装芯片的钝化层。
-
公开(公告)号：CN102142413B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010239344.X
申请日：2010-07-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/3192 , H01L21/76804 , H01L21/76885 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02125 , H01L2224/0215 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/10156 , H01L2224/131 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/06 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体元件及其制法，该半导体元件包括：一半导体基材；一接合焊盘位于该半导体基材之上；一应力缓冲结构部分地覆盖该接合焊盘并暴露一部分的接合焊盘，其中该应力缓冲结构包括一阶梯状侧壁，该阶梯状侧壁从该暴露的接合焊盘逐渐地向上延伸；以及一凸块底层金属层位于该暴露的接合焊盘上与该阶梯状侧壁之上，其中该凸块底层金属的形状与该阶梯状侧壁的形状一致。本发明的接合结构包括一阶梯状应力缓冲层位于具有同样阶梯状的凸块底层金属层之下。本发明的凸块底层金属结构与应力缓冲结构的阶梯状构造会造成较均匀的应力分布，且降低芯片底下介电材料与凸块底层金属结构自身的最大/平均应力值。
-
公开(公告)号：CN102468247A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110204353.X
申请日：2011-07-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 邱志威
CPC分类号： H01L23/3192 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本披露提供了半导体器件，包括：基板，具有密封环区域和电路区域；密封环结构，设置在密封环区域之上；第一钝化层，设置在密封环结构之上，第一钝化层具有在密封环结构之上的第一钝化层孔；以及金属焊盘，设置在第一钝化层之上，金属焊盘通过第一钝化层孔与密封环结构连接并且具有在第一钝化层孔之上的金属焊盘孔。该器件进一步包括：第二钝化层，设置在金属焊盘之上，第二钝化层具有在金属焊盘孔之上的第二钝化层孔；以及聚酰亚胺层，设置在第二钝化层之上，聚酰亚胺层填充第二钝化层孔，以在聚酰亚胺层的外部锥形边缘处形成聚酰亚胺根部。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.036 秒)
