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公开(公告)号:CN107039344A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710057126.6
申请日:2017-01-23
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: H01L21/78 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L23/3171 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L2224/80801 , H01L2924/15323 , H01L21/56 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/16227 , H01L2224/8102 , H01L2224/81048 , H01L2224/81815
摘要: 一种元件芯片的制造方法、电子部件安装构造体及其制造方法,能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升。在对具有多个元件区域且元件面被绝缘膜覆盖的基板进行分割而制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法中使用的等离子体处理工序中,将基板暴露于第一等离子体,从而将基板分割为元件芯片,成为使具备第一面、第二面以及侧面的元件芯片彼此隔开间隔保持在载体上且使侧面和绝缘膜露出的状态。然后,将元件芯片暴露于第二等离子体,从而将露出的侧面中的与绝缘膜相接的区域部分地除去而形成凹陷部,并通过第三等离子体从而用保护膜覆盖凹陷部,抑制安装过程中导电性材料向侧面爬升。
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公开(公告)号:CN103515362B
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201210384449.3
申请日:2012-10-11
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/488 , H01L21/98
CPC分类号: H01L25/50 , H01L21/4857 , H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81 , H01L2224/81193 , H01L2224/81411 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15323 , H01L2924/15331 , H01L2924/15333 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/18161 , H01L2924/3651
摘要: 公开了堆叠式封装(PoP)器件和封装半导体管芯的方法。在一个实施例中,PoP器件包括第一封装管芯和连接到第一封装管芯的第二封装管芯。金属柱连接到第一封装管芯。金属柱具有接近第一封装管芯的第一部分和设置在第一部分上方的第二部分。每一个金属柱连接到接近第二封装管芯的焊接接点。
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公开(公告)号:CN107039292A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710063033.4
申请日:2017-01-25
申请人: 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/3081 , H01L21/31138 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L21/784 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L2224/80801 , H01L2224/81 , H01L2924/15323 , H01L21/56 , H01L23/291 , H05K3/34
摘要: 一种元件芯片的制造方法、电子部件安装构造体及其制造方法,能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升。将具有多个元件区域且元件面被绝缘膜(4)覆盖的基板分割而制造多个元件芯片(10)的元件芯片的制造方法中使用的等离子体处理工序中,通过将基板暴露于第一等离子体,将基板分割成元件芯片(10),成为具备第一面(10a)、第二面(10b)及侧面(10c)的元件芯片(10)彼此隔开间隔地保持在载体(6)上且露出了绝缘膜(4)的状态,通过将这些元件芯片(10)暴露于灰化用的第二等离子体,使绝缘膜(4)后退而形成凹陷部(C)后,通过保护膜形成用的第三等离子体,用保护膜(12a)覆盖凹陷部(C),抑制安装过程中导电性材料向侧面(10c)的爬升。
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公开(公告)号:CN105992625A
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201480009301.9
申请日:2014-09-18
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: A99Z99/00
CPC分类号: H01L25/162 , H01L21/568 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/05571 , H01L2224/05611 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16505 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/48227 , H01L2224/96 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06572 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/141 , H01L2924/1421 , H01L2924/1434 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/15321 , H01L2924/15323 , H01L2924/15331 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3651 , H01L2224/81
摘要: 本发明的实施例包括多管芯封装和制造此类多管芯封装的方法。在实施例中,模制层具有第一表面和与第一表面相反的第二表面。各自具有可焊接端子的一个或多个第一电部件被定向成面向模制层的第一表面。模制层还可具有一个或多个第二电部件,一个或多个第二电部件各自具有定向成面向模制层的第二表面的第二类型的端子。实施例还可包括形成于模制层的第一表面和模制层的第二表面之间的一个或多个导电通孔。因此,可形成从模制层的第二表面到定向成面向模制层的第一表面的第一电部件的电连接。
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公开(公告)号:CN102007519B
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN200880128610.2
申请日:2008-12-30
申请人: 国际商业机器公司
发明人: J·A·G·阿克曼斯 , B·A·弗洛伊德 , D·刘
IPC分类号: G08B13/14
CPC分类号: H01Q21/065 , G06K19/07749 , G06K19/07786 , H01L23/3121 , H01L23/66 , H01L2223/6677 , H01L2224/16 , H01L2224/16227 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/15153 , H01L2924/15323 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q9/0457 , H01Q21/061 , H01Q23/00 , Y10T29/49016
摘要: 一种射频集成电路芯片封装体,具有N个集成的孔径耦合贴片天线,N至少为2,该封装体包括:N个大体上为平面的贴片,以及至少一个大体上为平面的接地面。接地面在其中形成有至少N个耦合孔径狭槽。N个馈线向内与接地面间隔开并且实质上与之平行,并且至少一个射频芯片向内与馈线间隔开,并且耦合至馈线和接地面。形成第一衬底层,其中芯片定位在该芯片接收腔中。第二衬底层插入在接地面与贴片所限定的平面之间。贴片形成于第一金属层中,接地面形成于第二金属层中,并且第二衬底层限定天线腔,天线腔中定位有N个大体上为平面的贴片。
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公开(公告)号:CN107403773A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201710239220.3
申请日:2017-04-13
申请人: ZF , 腓德烈斯哈芬股份公司
CPC分类号: H01L25/072 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/48 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/05624 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/13055 , H01L2924/13064 , H01L2924/15153 , H01L2924/15192 , H01L2924/15323 , H01L2924/30107 , H02M1/00 , H02M7/5387 , H02M7/53875 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/2076 , H01L25/07 , H02M2001/0003 , H02P27/06
摘要: 本发明涉及功率模块及其制造方法、逆变器和车辆驱动系统。用于使电机(11)运行的功率模块具有至少一个Ga半导体开关(13),用于将电流引导到电机(11)的相(U、V、W)上。在此,Ga半导体开关(13)具有接触侧(13A)和相背置的背侧(13B),其中,在接触侧(13A)上布置有用于Ga半导体开关(13)的电接触的接触部,并且在背侧(13B)上布置有用于将热量从Ga半导体开关(13)导走的冷却元件(16)。本发明还涉及用于这种功率模块的制造方法、具有这种功率模块的逆变器(10)以及具有这种逆变器(10)的车辆驱动系统。
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公开(公告)号:CN105097750A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410219030.1
申请日:2014-05-22
申请人: 矽品精密工业股份有限公司
CPC分类号: H01L23/49 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/49805 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/85005 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/1064 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15323 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/45099 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00
摘要: 一种封装结构及其制法,该封装结构包括:具有多个电性连接部的基材、设于该基材上的电子组件、立设于各该电性连接部上的多个导线、设于该基材上并包覆该电子组件且外露该些导线的包覆层、以及设于该包覆层上并电性连接该些导线的线路层,所以藉由该些导线作为内联机路,因其线宽小而使各该导线之间的距离能极小化,以缩减该基材的尺寸,而达到微小化的需求。
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公开(公告)号:CN101625730A
公开(公告)日:2010-01-13
申请号:CN200910149870.4
申请日:2009-07-02
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: G06K19/077
CPC分类号: H01Q9/0457 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L2223/6677 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15313 , H01L2924/15323 , H01Q21/0075 , H01Q21/065 , Y10T29/49016 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 一种具有N个集成的孔耦合贴片天线的射频集成电路芯片封装,N至少为1,所述封装包括:盖部分,其具有N个总体上为平面的贴片;以及主部分,其耦合到所述盖部分。所述主部分又包括:至少一个总体上为平面的接地平面,所述接地平面在所述N个总体上为平面的贴片内侧、与其具有间隔并且与其基本上平行。所述接地平面中形成有至少N个耦合孔槽。所述槽与所述贴片基本上相对。所述主部分还包括:N条馈线,所述N条馈线在所述N个总体上为平面的贴片内侧、与其具有间隔并且与其基本上平行;以及至少一个射频芯片,其耦合到所述馈线和所述接地平面。所述盖部分和所述主部分共同限定了天线腔,所述N个总体上为平面的贴片位于所述天线腔内。
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公开(公告)号:CN107850803A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680045975.3
申请日:2016-11-08
申请人: 欧姆龙株式会社
IPC分类号: G02F1/1333 , G02F1/13 , G02F1/1345 , G09F9/00 , H01L25/16
CPC分类号: G02F1/13452 , G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G09F9/00 , H01L21/565 , H01L24/96 , H01L25/16 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15323 , H01L2924/16251 , H01L2924/1815 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/092 , H05K1/181 , H05K3/12 , H05K3/32 , H05K2201/09236 , H05K2201/10136 , H05K2201/10507
摘要: 本发明提供一种电子装置及其制造方法,当对在外部连接端子的周边具有阶差的形状的第1电子零件与第2电子零件进行配线连接时,可避免制造装置的大型化,并可低成本地进行配线,并且可提高配线的连接可靠性。LCD(10)及IC(20)是以LCD(10)的连接电极(13a)与IC(20)的电极位于同一面上的方式露出地埋设于树脂成形体(30)中。
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公开(公告)号:CN103515362A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201210384449.3
申请日:2012-10-11
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/488 , H01L21/98
CPC分类号: H01L25/50 , H01L21/4857 , H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81 , H01L2224/81193 , H01L2224/81411 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15323 , H01L2924/15331 , H01L2924/15333 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/18161 , H01L2924/3651
摘要: 公开了堆叠式封装(PoP)器件和封装半导体管芯的方法。在一个实施例中,PoP器件包括第一封装管芯和连接到第一封装管芯的第二封装管芯。金属柱连接到第一封装管芯。金属柱具有接近第一封装管芯的第一部分和设置在第一部分上方的第二部分。每一个金属柱连接到接近第二封装管芯的焊接接点。
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