公开(公告)号：JP2006086532A

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：JP2005265758

申请日：2005-09-13

申请人： Samsung Electronics Co Ltd ,  三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： PARK HYUNG-KEUN ,  JANG WOO-JIN ,  KIM YOUNG-HO ,  MOON TAE-SUNG

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device containing a microelectronic element chip containing a hybrid gold bump where foreign matter is not generated in a probe chip at EDS test, a package containing such a microelectronic element chip and such a microelectronic element chip, and to further provide a method of manufacturing such a microelectronic element chip. SOLUTION: The microelectronic element chip containing the hybrid gold bump where the foreign matter is not generated in the probe chip at EDS test is provided, and includes a chip pad in which the microelectronic element chip is connected to the microelectronic element formed on a substrate and an electric contact is formed between the microelectronic element and the outside of the chip, and a bump which is formed on the chip pad and is composed of a composite film of at least two layers or more. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供一种液晶显示装置，其包含含有杂质金凸块的微电子元件芯片，其中在EDS测试时在探针芯片中不产生异物，包含这种微电子元件芯片的封装和 微电子元件芯片，并且还提供制造这种微电子元件芯片的方法。 解决方案：提供了包含在EDS测试中在探针芯片中不产生异物的混合金凸块的微电子元件芯片，并且包括芯片焊盘，其中微电子元件芯片连接到形成在微电子元件上的微电子元件 在微电子元件和芯片的外部之间形成基板和电接触，以及形成在芯片焊盘上并由至少两层以上的复合膜构成的凸块。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2006074017A

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：JP2005218737

申请日：2005-07-28

申请人： Samsung Techwin Co Ltd ,  三星テクウィン株式会社

发明人： LEE SOO-BONG ,  KIN JUDO ,  CHOI WOO-SUK ,  KIM EUN-HEE

IPC分类号： H01L23/50

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an improved lead frame by which a wire bonding property of an internal lead and a soldering affinity of an external lead are progressed, and to provide a method of manufacturing the lead frame.
SOLUTION: This invention relates to the lead frame provided with: a plurality of internal leads mutually formed at a predetermined interval; and a plurality of external leads each extending in the longitudinal direction of the internal lead, one end portion thereof being combined with the internal lead in the overlapping state and the other end portion thereof being interconnected by a supporting portion, and the method of manufacturing the lead frame. Thereby, the wire bonding property of the internal lead and the soldering affinity of the external lead are progressed, and a failure of a product is prevented although a product yield improves.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种改进的引线框架，通过该引线框架，内部引线的引线接合特性和外部引线的焊接亲和力进行，并提供制造引线框架的方法。 引线框架技术领域本发明涉及引线框架，其具有：以预定间隔相互形成的多个内部引线; 以及多个外部引线，每个外部引线沿着内部引线的纵向方向延伸，其一个端部与重叠状态的内部引线组合，另一个端部由支撑部分互连，并且制造 引线框架 由此，进行内部引线的引线接合性能和外部引线的焊接亲和力，尽管产品成品率提高，但是防止产品的故障。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2006501633A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：JP2003550276

申请日：2002-11-13

申请人： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

发明人： サリハン、ビジェイ ,  サー チュン、ヨン ,  アール． プラック、エドワード ,  エル． メルカド、レイ ,  ジェン−ホー ワン、ジェームズ

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05679 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： １実施形態によれば、電力金属構造（９０）と保護層（３０）の間に応力緩衝部（４０）が形成されている。 応力緩衝部（４０）は、電力金属構造（９０）によって保護層（３０）に加えられる応力の影響を緩和している。 １代替実施形態によれば、電力金属構造（１３０Ａ）は、複数のセグメント（１０９１）に分割されており、シード層（１０５２）および接着／障壁層（１０５０）の残りの部分によってセグメント（１０９０）間の電気的連続性が維持されている。 個々のセグメント（１０９０）は、ピーク応力を匹敵するサイズの連続電力金属構造（９）のピーク応力より小さくしている。

摘要翻译： 根据一个实施例，在功率金属结构（90）和钝化层（30）之间形成应力缓冲器（40）。 应力缓冲器（40）减少由功率金属结构（90）施加在钝化层（30）上的应力的影响。 根据替代实施例，功率金属结构（130A）被划分成段（1091），由此通过籽晶层（1052）和粘附/阻挡层（1052）的剩余部分在片段（1090）之间保持电连续性 1050）。 单个段（1090）赋予比相对大小的连续功率金属结构（9）更低的峰值应力。

公开(公告)号：JP2005045268A

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：JP2004216538

申请日：2004-07-23

申请人： Samsung Electronics Co Ltd ,  三星電子株式会社

发明人： KEN YOKAN ,  KANG SA YOON ,  LEE CHUNG-SUN

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a re-wiring bump, a semiconductor chip and mounting structure using the method. SOLUTION: The bump forming method makes the mounting of an LDI chip easy and can enlarge a bump area with the same pad pitch even if an upper portion of a bump 43 is flat in order to minimize the area of a pad 33 in the chip, and the chip and its mounting structure use the method. Thereby, a pad area at the edge of a conventional chip can be minimized, the bump 43 is formed on a flat portion inside the chip, and an electrical connection between the pad 33 and the bump 43 is attained with a re-wiring metal film. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于形成再布线凸块的方法，半导体芯片和使用该方法的安装结构。 解决方案：凸块形成方法使得LDI芯片的安装变得容易，并且可以以相同的焊盘间距放大凸起区域，即使凸起43的上部是平坦的，以便使焊盘33的面积最小化 芯片，芯片及其安装结构采用该方法。 因此，可以使传统芯片边缘的焊盘区域最小化，凸块43形成在芯片内的平坦部分上，并且通过重新布线金属膜实现焊盘33和凸块43之间的电连接 。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2005012115A

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：JP2003176967

申请日：2003-06-20

申请人： Ngk Spark Plug Co Ltd ,  日本特殊陶業株式会社

发明人： OTSUKA ATSUSHI ,  SATO MANABU ,  KIMURA YUKIHIRO

IPC分类号： H01G2/06 ,  H01G4/30 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L25/00 ,  H05K1/14 ,  H05K1/16 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01G2/065 ,  H01G4/30 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19103 ,  H05K1/141 ,  H05K1/162 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/10378 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device such as an IC chip or the like, a capacitor which can reliably be arranged between wiring boards composed of insulating resins mainly, the semiconductor device with a capacitor, the wiring board with the capacitor and an electronic unit equipped with the semiconductor device, the capacitor and the wiring board. SOLUTION: The capacitor comprises a capacitor body v having a surface 2 mounting the semiconductor device and the back 3 mounted on the first main surface of the wiring board; an internal electrode 10 contained in the capacitor body v; and a via conductor 7 (7a, 7b) which is penetrated between the surface 2 and the back 3 in the capacitor body v and connected to the internal electrode 10. The capacitor body v is a capacitor 1a, 1b or 1c which contains a dielectric layer u1 of a low coefficient of thermal expansion located on at least the side of the surface 2 and a high dielectric layer u2 which is located near to the back 3 of the dielectric layer u1 at a high coefficient of thermal expansion and has a higher dielectric constant than the dielectric layer u1. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供诸如IC芯片等的半导体器件，可以可靠地布置在由绝缘树脂构成的布线板之间的电容器，具有电容器的半导体器件，具有电容器的布线板 电容器和配备有半导体器件，电容器和布线板的电子单元。 电容器包括具有安装半导体器件的表面2和安装在布线板的第一主表面上的背面3的电容器体v; 包含在电容器体v中的内部电极10; 以及穿过电容器体v中的表面2和背面3并连接到内部电极10的通孔导体7（7a，7b）。电容器体v是电容器1a，1b或1c，其包含电介质 位于表面2的至少一侧的低热膨胀系数的层u1和位于电介质层u1的背面3附近的高介电层u2，并且具有较高的电介质 比介电层u1恒定。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2004319530A

公开(公告)日：2004-11-11

申请号：JP2003086383

申请日：2003-03-26

申请人： Kanto Sanyo Semiconductors Co Ltd ,  Sanyo Electric Co Ltd ,  三洋電機株式会社 ,  関東三洋セミコンダクターズ株式会社

发明人： KAMEYAMA KOJIRO ,  MITA KIYOSHI

IPC分类号： H01L23/29 ,  G02B6/36 ,  H01L21/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L27/15 ,  H01L31/00 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/10 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H04N1/028 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14685 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin and small optical semiconductor device exhibiting excellent mechanical strength and moisture resistance.
SOLUTION: In the optical semiconductor device 10A comprising an optical semiconductor element 14 having a light receiving part or a light emitting part and sealed with sealing resin 13, a coating layer 12 of a transparent material covering the surface of the optical semiconductor element 14 is exposed from the surface of the sealing resin 13. As compared with a conventional one entirely sealed with sealing resin, the sealing resin 13 can be formed thin and the entire device can be made thinner. Furthermore, the optical semiconductor device 10A employs sealing resin mixed with a filler. Consequently, an optical semiconductor device exhibiting excellent mechanical strength and moisture resistance can be constituted.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

公开(公告)号：JP2004533711A

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：JP2002564757

申请日：2001-12-19

申请人： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

发明人： ウォーカー、ジョージ、エフ ,  ヴォラント、リチャード、ピー ,  グルーバー、ピーター、エー ,  ゴールドブラット、ロナルド、ディー ,  チャン、ティエン−ジェン ,  ペトラルカ、ケヴィン、エス ,  ホートン、レーモンド、アール

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

摘要： 【課題】本発明は、ワイヤ接続およびＣ４（ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ−ｃｏｌｌａｐｓｅ ｃｈｉｐ ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎｓ）のようなはんだバンプのフリップ・チップ接続の両方ともに適する共通入力−出力（Ｉ／Ｏ）サイトを形成するためのプロセスを提供する。
【解決手段】本発明は、特に銅を相互接続の材料に用いる半導体チップに適し、このとき当該チップの製造に使われる軟らかい絶縁膜は、ボンディング力による損傷を受けやすい。 本発明は、貴金属（２６）をパッドの上表面に有するサイトを提供することによって損傷のリスクを減らし、また一方で金属の相互接続の高導電率を保持するために拡散バリヤ（２２）を提供する。 基板（２０）の中にＩ／Ｏサイトを形成するプロセス段階は、基板（２０）の中に形成された構造体（２１）において金属層を選択的に堆積する方法を提供することによって削減される。 本発明によるＩ／Ｏサイトは、ワイヤ接続あるいははんだバンプ接続のどちらかに使うことができるので、これによりチップ相互接続の選択の自由度が増え、また一方でプロセス・コストが削減される。
【選択図】図１４

公开(公告)号：JP3502800B2

公开(公告)日：2004-03-02

申请号：JP35522999

申请日：1999-12-15

申请人： 新光電気工業株式会社

发明人： 義博 井原

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H05K1/09

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：JP3478804B2

公开(公告)日：2003-12-15

申请号：JP2001032285

申请日：2001-02-08

申请人： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

发明人： カルロス・ジェイ・サムブセッティ ,  ジュディス・エム・ルビノ ,  ジョージ・ウォーカー ,  ジョン・ジー・ガウディエロ ,  ダニエル・シー・エデルスタイン

IPC分类号： H05K3/34 ,  C23C18/16 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/485 ,  H01L23/532 ,  H05K3/24 ,  H05K13/06

CPC分类号： H01L24/48 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1831 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/54 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/244 ,  H05K13/06 ,  Y10S428/926 ,  Y10S428/936 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12646 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12771 ,  Y10T428/12778 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12944 ,  Y10T428/12986 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00015

摘要： A method for preparing a copper pad surface for electrical connection that has superior diffusion barrier and adhesion properties is provided. In the method, a copper pad surface is first provided that has been cleaned by an acid solution, a protection layer of a phosphorus or boron-containing metal alloy is then deposited on the copper pad surface, and then an adhesion layer of a noble metal is deposited on top of the protection layer. The protection layer may be a single layer, or two or more layers intimately joined together formed of a phosphorus or boron-containing metal alloy such as Ni-P, Co-P, Co-W-P, Co-Sn-P, Ni-W-P, Co-B, Ni-B, Co-Sn-B, Co-W-B and Ni-W-B to a thickness between about 1,000 Å and about 10,000 Å. The adhesion layer can be formed of a noble metal such as Au, Pt, Pd and Ag to a thickness between about 500 Å and about 4,000 Å.

摘要翻译： 提供了一种制备具有优异的扩散阻挡层和粘合性能的用于电连接的铜焊盘表面的方法。 在该方法中，首先提供已经被酸溶液清洗的铜焊盘表面，然后在铜焊盘表面上沉积磷或含硼金属合金的保护层，然后将贵金属的粘附层 沉积在保护层的顶部。 保护层可以是由磷或含硼金属合金如Ni-P，Co-P，Co-WP，Co-Sn-P，Ni-WP紧密连接在一起的两层或更多层 ，Co-B，Ni-B，Co-Sn-B，Co-WB和Ni-WB，厚度在约至Å至约Å之间。 粘合层可以由贵金属如Au，Pt，Pd和Ag形成，厚度在约至约4,000之间。

公开(公告)号：JP3383329B2

公开(公告)日：2003-03-04

申请号：JP22834392

申请日：1992-08-27

申请人： 株式会社東芝

发明人： 雅弘 宮田 ,  弘和 江澤

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166