公开(公告)号：JP5629264B2

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：JP2011530893

申请日：2010-09-10

申请人： ローム株式会社

发明人： 尚司 安永 ,  尚司 安永

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/52 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/29034 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/4805 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/4554

公开(公告)号：JP5626785B2

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：JP2010215586

申请日：2010-09-27

申请人： Shマテリアル株式会社

发明人： 一郎 勝目 ,  一郎 勝目

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L2224/32245 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754

公开(公告)号：JP2014212336A

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：JP2014132379

申请日：2014-06-27

申请人： 日亜化学工業株式会社 ,  Nichia Chem Ind Ltd

发明人： SHIMIZU YOSHINORI ,  SAKANO AKIMASA ,  NOGUCHI YASUNOBU ,  MORIGUCHI TOSHIO

IPC分类号： C09K11/08 ,  H01L33/50 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/77 ,  C09K11/80 ,  F21V8/00 ,  F21Y101/02 ,  G02B6/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/34 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H05B33/00 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L33/50 ,  C09K11/7767 ,  C09K11/7774 ,  G02B6/0023 ,  G02B6/0025 ,  G02B6/0051 ,  G02B6/0073 ,  H01J29/20 ,  H01L24/45 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0091 ,  H05B33/14 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/00012

摘要： 【課題】高輝度で、長時間の使用によっても発光特性の劣化が少ない白色系の発光ダイオードを提供する。【解決手段】本発明は、発光層が半導体である発光素子と、該発光素子によって発光された光の一部を吸収して、吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光するフォトルミネセンス蛍光体とを備えた発光装置において、前記発光素子の発光層が窒化物系化合物半導体からなり、かつ前記フォトルミネセンス蛍光体が、Y、Lu、Sc、La、Gd及びSmからなる群から選ばれた少なくとも1つの元素と、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素とを含んでなるセリウムで付活されたガーネット系蛍光体を含むことを特徴とする。【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供即使长时间使用二极管也具有高亮度和低发光特性劣化的白色发光二极管。发光装置包括：发光元件，其具有 由半导体构成的发光层; 以及吸收从发光元件发出的光的一部分并发射与吸收光不同的波长的光的光致发光荧光体。 在发光装置中，发光元件的发光层由氮化物系化合物半导体构成，并且光致发光荧光体含有由含有至少一种元素的铈活化的石榴石系荧光体，所述元素选自Y ，Lu，Sc，La，Gd和Sm，以及选自由Al，Ga和In组成的组中的至少一种元素。

公开(公告)号：JP2014212335A

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：JP2014132371

申请日：2014-06-27

申请人： 日亜化学工業株式会社 ,  Nichia Chem Ind Ltd

发明人： SHIMIZU YOSHINORI ,  SAKANO AKIMASA ,  NOGUCHI YASUNOBU ,  MORIGUCHI TOSHIO

IPC分类号： C09K11/08 ,  H01L33/50 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/77 ,  C09K11/80 ,  F21V8/00 ,  F21Y101/02 ,  G02B6/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/34 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H05B33/00 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L33/50 ,  C09K11/7767 ,  C09K11/7774 ,  G02B6/0023 ,  G02B6/0025 ,  G02B6/0051 ,  G02B6/0073 ,  H01J29/20 ,  H01L24/45 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0091 ,  H05B33/14 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/00012

摘要： 【課題】高輝度で、長時間の使用によっても発光特性の劣化が少ない白色系の発光ダイオードを提供する。【解決手段】本発明は、発光層が半導体である発光素子と、該発光素子によって発光された光の一部を吸収して、吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光するフォトルミネセンス蛍光体とを備えた発光装置において、前記発光素子の発光層が窒化物系化合物半導体からなり、かつ前記フォトルミネセンス蛍光体が、Y、Lu、Sc、La、Gd及びSmからなる群から選ばれた少なくとも1つの元素と、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素とを含んでなるセリウムで付活されたガーネット系蛍光体を含むことを特徴とする。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2014207430A

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：JP2014011051

申请日：2014-01-24

申请人： ローム株式会社 ,  Rohm Co Ltd

发明人： YASUNAGA SHOJI ,  KOGA AKIHIRO

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/52 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/50 ,  H01L25/00 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/3731 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/52 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49505 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】封止樹脂の剥離を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置A1は、2つの半導体素子420と、それぞれに半導体素子420が搭載される2つのアイランド部120を有するリード100と、2つのアイランド部120からの熱を放熱する放熱部材200と、2つのアイランド部120と放熱部材200とを接合する接合層300と、2つの半導体素子420、2つのアイランド部120および放熱部材200の一部を覆う封止樹脂700と、を備えており、接合層300は、各アイランド部120ごとに設けられ、かつ互いに分離された2つの個別領域310を有する。【選択図】図6

摘要翻译： 要解决的问题：提供能够抑制密封树脂剥离的半导体器件。解决方案：半导体器件A1包括：两个半导体元件420; 具有分别安装有半导体元件420的两个岛部120的引线100; 用于从两个岛部120散热的散热构件200; 用于将两个岛部120接合到散热构件200的接合层300; 以及用于覆盖两个半导体元件420，两个岛部120和散热构件200的一部分的密封树脂700.接合层300具有两个单独的区域310，每个单独的区域310设置用于每个岛状部分120，并且 彼此分离。

公开(公告)号：JP5615936B2

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：JP2012544534

申请日：2010-11-17

申请人： シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSilicon Storage Technology, Inc. ,  シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSilicon Storage Technology, Inc.

发明人： チェン ルン ツァイ ,  チェン ルン ツァイ ,  ロン−チン ワン ,  ロン−チン ワン ,  ツェ−ピン リン ,  ツェ−ピン リン

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/568 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：JP2014528651A

公开(公告)日：2014-10-27

申请号：JP2014534636

申请日：2012-10-02

申请人： インヴェンサス・コーポレイション

发明人： クリスプ，リチャード・デューイット ,  ゾーニ，ワエル ,  ハーバ，ベルガセム ,  ランブレクト，フランク

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： G06F1/16 ,  G06F1/18 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  G11C5/066 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/06156 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 超小型電子パッケージ10が、基板20の第1の表面21と第2の表面23との間に延在する第1の開口部26a、第2の開口部30b及び第3の開口部30cを有する基板20と、それぞれ第1の表面に面する表面31を有する第1の超小型電子素子30a、第2の超小型電子素子34b及び第3の超小型電子素子34cと、第2の表面の中央領域23において露出する複数の端子25aとを有することができる。開口部26a、30b、30cはそれぞれの開口部の長さ方向に延在する第1の軸29a、第2の軸33b及び第3の軸33cを有することができる。第1の軸29a及び第2の軸33bは互いに平行にすることができる。第3の軸29cは第1の軸29aを横切ることができる。基板20の第2の表面22の中央領域23は、第1の軸29aと第2の軸33bとの間に配置することができる。端子25aは、超小型電子素子30a、34b、34cのうちの少なくとも1つの超小型電子素子のメモリ記憶アレイの利用可能なアドレス指定可能メモリ位置の中から、アドレス指定可能メモリ位置を決定するのに超小型電子アセンブリ10内の回路によって使用可能なアドレス情報を運ぶように構成することができる。【選択図】図5B

摘要翻译： 微电子封装10具有在基板20的第一表面21和第二表面23之间延伸的第一开口26a，第二开口30b和第三开口30c的 一基板20，第一微电子装置30a，所述第二微电子元件34b和第三微电子元件34C具有表面31面对第一表面，分别在所述第二表面的中心 它可以具有多个在区域23露出的端子25a的。 开口26a，30B，30C可以具有在各开口部，第二轴33b和第三轴33c的纵向方向延伸的第一轴部29a。 第一轴29a和第二轴33b也可以彼此平行。 第三轴29c中可以遍历一个第一轴29A。 衬底20 23的第二表面22的中心区域可以被设置在第一轴29a和第二轴33b的之间。 端子25a是微电子设备30a，34b中，从34C微电子元件的存储器存储阵列中的至少一个可用可寻址存储器位置中，以确定所述可寻址存储器位置 它可以被配置为承载由微电子组件10的电路可使用的地址信息。 点域5B

公开(公告)号：JP2014528646A

公开(公告)日：2014-10-27

申请号：JP2014533779

申请日：2012-09-10

申请人： ダンフォス・シリコン・パワー・ゲーエムベーハー

发明人： ベッカー，マルティン ,  アイゼレ，ロナルト ,  オステルヴァルト，フランク ,  ルヅキ，ヤーチェク

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03438 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29399 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

摘要： 本発明は、上部側電位面を有するパワー半導体チップを太径ワイヤ又はストリップに接続する方法に関する。この方法は、上部側電位面の形状に対応する金属成形体を用意するステップと、上部側電位面又は金属成形体に結合層を施すステップと、電位面に成形体を取り付けて、材料適合する導電性化合物を加えた後で、導電性化合物が加えられていない成形体の上部側に太径ワイヤボンドをボンディングするステップと、を含む。

摘要翻译： 本发明涉及连接具有在直径线或带的顶侧电位面大的功率半导体芯片的方法。 该方法包括提供对应于上侧的等电位面的形状的金属模制体，和安装在上侧施加接合层电势表面或金属模制品的步骤的步骤，在电势表面的模制品，材料相容 之后加入导电化合物，其包括键合结合到模制的导电性化合物的上侧的大直径的金属丝的步骤还没有被添加时，。

公开(公告)号：JP2014204626A

公开(公告)日：2014-10-27

申请号：JP2013080985

申请日：2013-04-09

申请人： サンケン電気株式会社 ,  Sanken Electric Co Ltd

发明人： OKABE YASUHIRO

IPC分类号： H02M3/155 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01F17/0006 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49177 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 【課題】インダクタで生じる輻射ノイズの増加を抑えた半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】半導体装置10は、リードフレームRMと、リードフレームRMの主面側MFに搭載されたMIC18と、リードフレームRMの裏面側BFに密着して搭載されたインダクタ12と、リードフレームRM、MIC18、およびインダクタ12を樹脂封止する樹脂体14と、を備える。インダクタ12は強磁性体の八角柱状コアであり、インダクタ12の軸Pに対応する位置にMIC18を配置し、インダクタ12の端子B,C間にMIC18に流れる主電流の配線を配置する。【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种防止在电感器中发生的辐射噪声增加的半导体器件。解决方案：半导体器件10包括：引线框架RM; 安装在引线框架RM的主表面MF侧上的MIC188; 电感器12紧密地安装在引线框架RM的后表面BF侧上; 树脂体14对引线框架RM，MIC18和电感器12进行树脂密封。电感器12是铁磁体的八边形柱状磁芯，MIC18设置在对应于 电感器12，并且用于流过MIC18的主电流的布线设置在电感器12的端子B和C之间。

公开(公告)号：JP5606593B2

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：JP2013128801

申请日：2013-06-19

申请人： オーソダイン エレクトロニクス コーポレイションOrthodyne Electronics Corporation

发明人： クリストフ ビー． ルチンガー

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/607 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45032 ,  H01L2224/45033 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/78316 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01049

摘要： A flexible conductive ribbon is ultrasonically bonded to the surface of a die and terminals from a lead frame of a package. Multiple ribbons and/or multiple bonded areas provide various benefits, such as high current capability, reduced spreading resistance, reliable bonds due to large contact areas, lower cost and higher throughput due to less areas to bond and test.