薄膜キャパシタ
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018137311A

    公开(公告)日:2018-08-30

    申请号:JP2017030028

    申请日:2017-02-21

    Abstract: 【課題】強度の向上が図られた薄膜キャパシタを提供する。 【解決手段】薄膜キャパシタ1においては、電極端子層30は、貫通部31によって複数部分に分断されており、その分断された部分として枠部32を有している。枠部32は、電極端子層30の底面30bから見て電極端子層30の外縁に沿うように設けられており、枠部32が、電極端子層30が厚さ方向や面方向に伸縮したり反ったりする変形を阻害し、そのような変形が抑制され得る。したがって、薄膜キャパシタ1においては、電極端子層30が変形しにくくなっており、強度の向上が実現されている。 【選択図】図2

    Laminate structure and method for manufacturing the same
    2.
    发明专利
    Laminate structure and method for manufacturing the same 审中-公开
    层压结构及其制造方法

    公开(公告)号:JP2014179357A

    公开(公告)日:2014-09-25

    申请号:JP2011232336

    申请日:2011-10-23

    Inventor: NOGUCHI HITOSHI

    CPC classification number: H05K1/162 H01G4/008 H01G4/33 H05K2201/0179

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminate structure (such as a thin film capacitor) and a method for manufacturing the same, capable of using a conductive material with a low melting point as an electrode material and improving characteristics of a dielectric layer.SOLUTION: A method for manufacturing a laminate structure comprises a step (a), a step (b), a step (c), and a step (d). The step (a) includes forming a deposition layer serving as a dielectric layer 2 on a base material composed of a conductive material having a higher melting point than a conductive material used to form a second electrode layer 12. The step (b) is performed after the step (a), and includes forming a dielectric layer 2 from the deposition layer by thermally processing the deposition layer. The step (c) is performed after the step (b), and includes forming a first electrode layer 11 on the dielectric layer 2. The step (d) is performed after the step (b), and includes forming a second electrode layer 12 on a ground layer 3 using the base material as the ground layer 3.

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供层压结构(例如薄膜电容器)及其制造方法,能够使用具有低熔点的导电材料作为电极材料并改善电介质层的特性。解决方案 制造叠层结构体的方法包括步骤(a),工序(b),工序(c)和工序(d)。 步骤(a)包括在由具有比用于形成第二电极层12的导电材料更高的熔点的导电材料构成的基材上形成用作电介质层2的沉积层。执行步骤(b) 在步骤(a)之后,并且包括通过热处理沉积层从沉积层形成电介质层2。 步骤(c)在步骤(b)之后进行,并且包括在电介质层2上形成第一电极层11.步骤(d)在步骤(b)之后进行,并且包括形成第二电极层12 在使用基材作为接地层3的接地层3上。

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