公开(公告)号：TWI476843B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：TW096112138

申请日：2007-04-04

申请人： 飛思卡爾半導體公司 ,  FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 史考特K 波茲德 ,  POZDER, SCOTT K. ,  凱文J 海斯 ,  HESS, KEVIN J. ,  田祿秋 ,  TIAN, RUIQI ,  艾德華O 崔維斯 ,  TRAVIS, EDWARD O. ,  川特S 優林 ,  UEHLING, TRENT S. ,  布雷特P 威克森 ,  WILKERSON, BRETT P. ,  凱蒂C 余 ,  YU, KATIE C.

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TWI452659B

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：TW101100028

申请日：2012-01-02

申请人： 奇景光電股份有限公司 ,  HIMAX TECHNOLOGIES LIMITED

发明人： 鄭百盛 ,  CHENG, PAI SHENG ,  伍家輝 ,  WU, CHIA HUI

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/11906 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16502 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201349420A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102119062

申请日：2013-05-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 莊曜群 ,  CHUANG, YAO CHUN ,  莊其達 ,  CHUANG, CHITA ,  劉浩君 ,  LIU, HAO JUIN ,  郭正錚 ,  KUO, CHEN CHENG ,  陳承先 ,  CHEN, CHEN SHIEN

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明提供一種系統及方法，以防止鈍化保護層中的裂縫發生。在一實施例中，一接觸墊具有第一直徑，穿透鈍化保護層之一開口具有第二直徑，其中第一直徑比第二直徑大上一第一距離，其約為10微米。在另一實施例中，一凸塊底層金屬層穿過上述開口且具有一第三直徑，其中第三直徑比第一直徑大上一第二距離，其為5微米。在又一實施例中，第一距離及第二距離的總和大於15微米。

简体摘要： 本发明提供一种系统及方法，以防止钝化保护层中的裂缝发生。在一实施例中，一接触垫具有第一直径，穿透钝化保护层之一开口具有第二直径，其中第一直径比第二直径大上一第一距离，其约为10微米。在另一实施例中，一凸块底层金属层穿过上述开口且具有一第三直径，其中第三直径比第一直径大上一第二距离，其为5微米。在又一实施例中，第一距离及第二距离的总和大于15微米。

公开(公告)号：TW201021182A

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：TW097144626

申请日：2008-11-19

申请人： 全懋精密科技股份有限公司

发明人： 詹英志 ,  胡宏盛

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/81471 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種封裝基板及其製法，係包括：基板本體，於至少一表面具有複數電性接觸墊，且該基板本體上設有防焊層，於該防焊層中設有複數開孔，以對應外露出各該電性接觸墊；第一銅柱，係設於該電性接觸墊上，且該第一銅柱凸出於該防焊層之表面；以及第二銅柱，係設於該第一銅柱上，且該第二銅柱之直徑小於該第一銅柱之直徑。本發明係藉由該第一銅柱與第二銅柱，以提供該半導體晶片與基板本體之間的較大離板間距，且形成細間距的基板電性連接結構，並避免後續封裝之底充材料填充不確實之缺失，且不易產生應力分佈不均之問題。

简体摘要： 一种封装基板及其制法，系包括：基板本体，于至少一表面具有复数电性接触垫，且该基板本体上设有防焊层，于该防焊层中设有复数开孔，以对应外露出各该电性接触垫；第一铜柱，系设于该电性接触垫上，且该第一铜柱凸出于该防焊层之表面；以及第二铜柱，系设于该第一铜柱上，且该第二铜柱之直径小于该第一铜柱之直径。本发明系借由该第一铜柱与第二铜柱，以提供该半导体芯片与基板本体之间的较大离板间距，且形成细间距的基板电性连接结构，并避免后续封装之底充材料填充不确实之缺失，且不易产生应力分布不均之问题。

公开(公告)号：TW200824069A

公开(公告)日：2008-06-01

申请号：TW096133903

申请日：2007-09-11

申请人： 奈培斯股份有限公司 NEPES CORPORATION

发明人： 姜仁秀 KANG, IN SOO ,  朴炳振 PARK, BYUNG JIN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1146

摘要： 本發明提供一種覆晶半導體封裝,其包括:一電極墊片,形成在一半導體基板上;一下金屬結合層,形成在電極墊片上;一上金屬結合層,形成在下金屬結合層上,且包括具有一預定高度之柱狀;以及一導電凸塊,形成在上金屬結合層上,且一銲錫凸塊覆蓋住至少部分的上金屬結合層之表面。用於電極之重新配置(reconfiguration)之一絕緣層係形成在基板上而圍繞電極墊片,且絕緣層具有一預定厚度以防止銲錫凸塊之�粒子的滲入。半導體封裝可更包括一設置在銲錫凸塊與上金屬結合層之間的氧化阻止層。根據本發明之覆晶半導體封裝,其可增加銲錫凸塊的黏結强度,且更增進微細間距之覆晶凸塊結構的可靠度。

简体摘要： 本发明提供一种覆晶半导体封装,其包括:一电极垫片,形成在一半导体基板上;一下金属结合层,形成在电极垫片上;一上金属结合层,形成在下金属结合层上,且包括具有一预定高度之柱状;以及一导电凸块,形成在上金属结合层上,且一焊锡凸块覆盖住至少部分的上金属结合层之表面。用于电极之重新配置(reconfiguration)之一绝缘层系形成在基板上而围绕电极垫片,且绝缘层具有一预定厚度以防止焊锡凸块之�粒子的渗入。半导体封装可更包括一设置在焊锡凸块与上金属结合层之间的氧化阻止层。根据本发明之覆晶半导体封装,其可增加焊锡凸块的黏结强度,且更增进微细间距之覆晶凸块结构的可靠度。

公开(公告)号：TW200809992A

公开(公告)日：2008-02-16

申请号：TW096112138

申请日：2007-04-04

申请人： 飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 史考特K 波茲德 POZDER, SCOTT K. ,  凱文J 海斯 HESS, KEVIN J. ,  田祿秋 TIAN, RUIQI ,  艾德華O 崔維斯 TRAVIS, EDWARD O. ,  川特S 優林 UEHLING, TRENT S. ,  布雷特P 威克森 WILKERSON, BRETT P. ,  凱蒂C 余 YU, KATIE C.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明揭示一種積體電路(11),其具有頂部表面上的金屬塊(80),該等金屬塊在形成時於底層(91至97)上建立可能具有破壞性的應力。本發明中實施確保底下金屬互連層(91、93、95、97)中的一最小金屬濃度以減小破壞效應。該最小金屬濃度係在角落中最高、沿邊界而非在角落中次之、以及在內部更次之。一互連層(91、93、95、97)中一般在金屬塊(80)下方的區域需要比並非在一金屬塊下方之鄰近區域大的濃度。離該積體電路(11)之表面較遠的該等金屬互連層(95、97)需要較小的濃度。藉由首先試用一相對簡單的解決方式來達到所需金屬濃度。若該方式無效,則嘗試不同方法,直至達到最小濃度或直至已嘗試最後的方法。

简体摘要： 本发明揭示一种集成电路(11),其具有顶部表面上的金属块(80),该等金属块在形成时于底层(91至97)上创建可能具有破坏性的应力。本发明中实施确保底下金属互连层(91、93、95、97)中的一最小金属浓度以减小破坏效应。该最小金属浓度系在角落中最高、沿边界而非在角落中次之、以及在内部更次之。一互连层(91、93、95、97)中一般在金属块(80)下方的区域需要比并非在一金属块下方之邻近区域大的浓度。离该集成电路(11)之表面较远的该等金属互连层(95、97)需要较小的浓度。借由首先试用一相对简单的解决方式来达到所需金属浓度。若该方式无效,则尝试不同方法,直至达到最小浓度或直至已尝试最后的方法。

公开(公告)号：TW200721419A

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：TW095135324

申请日：2006-09-25

申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

发明人： 川賢一 KENICHI KAWABATA ,  森田高章 TAKAAKI MORITA

IPC分类号： H01L ,  H05K

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/544 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2201/09918 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/1469 ,  H05K2203/166 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種半導體IC嵌入式基板及其製造方法。一種適合嵌入其中電極間距非常窄的半導體IC的半導體IC嵌入式基板。該基板包括:其中在主表面(120a)上設置有柱狀凸點(121)的半導體IC(120);用於覆蓋半導體IC(120)的主表面(120a)的第一樹脂層(111);以及用於覆蓋半導體IC(120)的背面(120b)的第二樹脂層(112)。半導體IC(120)的柱狀凸點(121)從第一樹脂層(111)的表面凸起。用於使柱狀凸點(121)從第一樹脂層(111)的表面凸起的方法可以包括使用濕式噴砂方法使第一樹脂層(111)的厚度整體減小。由此,即使在半導體IC(120)的電極間距窄時也可以適當地暴露出柱狀凸點(121)。

简体摘要： 本发明提供一种半导体IC嵌入式基板及其制造方法。一种适合嵌入其中电极间距非常窄的半导体IC的半导体IC嵌入式基板。该基板包括:其中在主表面(120a)上设置有柱状凸点(121)的半导体IC(120);用于覆盖半导体IC(120)的主表面(120a)的第一树脂层(111);以及用于覆盖半导体IC(120)的背面(120b)的第二树脂层(112)。半导体IC(120)的柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起。用于使柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起的方法可以包括使用湿式喷砂方法使第一树脂层(111)的厚度整体减小。由此,即使在半导体IC(120)的电极间距窄时也可以适当地暴露出柱状凸点(121)。

公开(公告)号：TW201613060A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104129054

申请日：2015-09-02

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 佐藤隆夫 ,  SATO, TAKAO

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13186 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17177 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/17135 ,  H01L2224/17136 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0332

摘要： 本發明之實施形態可抑制半導體裝置之可靠性降低。 實施形態之半導體裝置具備：第1半導體晶片；第2半導體晶片，其積層於第1半導體晶片上，具有自一面向另一面貫通半導體基板之貫通電極，且以將另一面朝向第1半導體晶片之方式積層；第1凸塊，其向一面突出設置，且具有露出面；密封樹脂，其以將露出面露出之方式密封第1半導體晶片與第2半導體晶片、第1凸塊；及第2凸塊，其設置於露出面上。

简体摘要： 本发明之实施形态可抑制半导体设备之可靠性降低。 实施形态之半导体设备具备：第1半导体芯片；第2半导体芯片，其积层于第1半导体芯片上，具有自一面向另一面贯通半导体基板之贯通电极，且以将另一面朝向第1半导体芯片之方式积层；第1凸块，其向一面突出设置，且具有露出面；密封树脂，其以将露出面露出之方式密封第1半导体芯片与第2半导体芯片、第1凸块；及第2凸块，其设置于露出面上。

公开(公告)号：TW201544225A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104103150

申请日：2015-01-30

申请人： 千住金屬工業股份有限公司 ,  SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 川浩由 ,  KAWASAKI, HIROYOSHI ,  六本木貴弘 ,  ROPPONGI, TAKAHIRO ,  相馬大輔 ,  SOMA, DAISUKE ,  佐藤勇 ,  SATO, ISAMU

IPC分类号： B23K31/12 ,  H01L23/488

CPC分类号： B23K35/0244 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F9/082 ,  B22F9/14 ,  B22F2009/0848 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K2201/42 ,  C22C9/00 ,  C22C19/03 ,  C22F1/08 ,  C22F1/10 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13338 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13363 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1337 ,  H01L2224/13371 ,  H01L2224/13372 ,  H01L2224/13373 ,  H01L2224/13376 ,  H01L2224/13378 ,  H01L2224/13379 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/13383 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/041 ,  B22F2202/13 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01069 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01004

摘要： 製造經抑制被放射的α射線量之金屬球。 製造該金屬球係包含以下的步驟：將純金屬在比作為除去對象的不純物之沸點更高、比純金屬的熔點更高且比純金屬的沸點更低的溫度，進行加熱而使純金屬熔融之步驟；及將熔融後的純金屬造球成為球狀之步驟；其中該純金屬，係具有比在純金屬所含有的不純物之中，作為除去對象的不純物之按照氣壓的沸點更高的沸點，U的含量為5ppb以下，Th的含量為5ppb以下，純度為99.9%以上且99.995%以下，而且Pb或Bi的任一者的含量、或Pb及Bi的合計含量為1ppm以上。

简体摘要： 制造经抑制被放射的α射线量之金属球。 制造该金属球系包含以下的步骤：将纯金属在比作为除去对象的不纯物之沸点更高、比纯金属的熔点更高且比纯金属的沸点更低的温度，进行加热而使纯金属熔融之步骤；及将熔融后的纯金属造球成为球状之步骤；其中该纯金属，系具有比在纯金属所含有的不纯物之中，作为除去对象的不纯物之按照气压的沸点更高的沸点，U的含量为5ppb以下，Th的含量为5ppb以下，纯度为99.9%以上且99.995%以下，而且Pb或Bi的任一者的含量、或Pb及Bi的合计含量为1ppm以上。

公开(公告)号：TWI462151B

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：TW100143260

申请日：2011-11-25

申请人： 田中貴金屬工業股份有限公司 ,  TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K.

发明人： 小柏俊典 ,  OGASHIWA, TOSHINORI ,  栗田昌昭 ,  KURITA, MASAAKI ,  西森尚 ,  NISHIMORI, TAKASHI ,  兼平幸男 ,  KANEHIRA, YUKIO

IPC分类号： H01L21/08 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/4885 ,  B22F7/08 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/322 ,  B23K2201/40 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0194 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11