公开(公告)号：US20100148381A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12337245

申请日：2008-12-17

申请人： Joachim Mahler ,  Edward Fuergut ,  Manfred Mengel ,  Ivan Nikitin

发明人： Joachim Mahler ,  Edward Fuergut ,  Manfred Mengel ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/71

CPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device is disclosed. One aspect provides a semiconductor device that includes a semiconductor chip including a first face and a second face opposite the first face, an encapsulant including inorganic particles encapsulating the semiconductor chip, a first metal layer attached to the first face of the semiconductor chip, a second metal layer attached the second face of the semiconductor chip, and electrically conducting material configured to connect the first metal layer with the second metal layer.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 一个方面提供了一种半导体器件，其包括半导体芯片，该半导体芯片包括第一面和与第一面相对的第二面，包括包封半导体芯片的无机颗粒的密封剂，附着到半导体芯片的第一面的第一金属层， 金属层附着在半导体芯片的第二面上，导电材料被配置为将第一金属层与第二金属层连接起来。

公开(公告)号：US20100055839A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12200183

申请日：2008-08-28

申请人： Ivan Nikitin

发明人： Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83238 ,  H01L2224/83399 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device. One embodiment provides a carrier. A semiconductor chip is provided with a first face and a second face opposite to the first face. The semiconductor chip is placed over the carrier with the first face facing the carrier. A voltage is applied between the second face of the semiconductor chip and the carrier for attaching the semiconductor chip to the carrier.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法。 一个实施例提供一种载体。 半导体芯片设置有与第一面相对的第一面和第二面。 半导体芯片放置在载体上，第一面朝向载体。 在半导体芯片的第二面和用于将半导体芯片附着到载体的载体之间施加电压。

公开(公告)号：US09583413B2

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：US12371029

申请日：2009-02-13

申请人： Ivan Nikitin ,  Joachim Mahler ,  Thomas Behrens

发明人： Ivan Nikitin ,  Joachim Mahler ,  Thomas Behrens

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/373 ,  H01L23/36 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/3733 ,  H01L23/36 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29366 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37599

摘要： A semiconductor device includes a first chip coupled to an electrical insulator, and a sintered heat conducting layer disposed between the electrical insulator and the first chip.

摘要翻译： 半导体器件包括耦合到电绝缘体的第一芯片和设置在电绝缘体和第一芯片之间的烧结导热层。

公开(公告)号：US20130264721A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13440478

申请日：2012-04-05

申请人： Stefan Landau ,  Joachim Mahler ,  Khalil Hosseini ,  Ivan Nikitin ,  Thomas Wowra ,  Lukas Ossowski

发明人： Stefan Landau ,  Joachim Mahler ,  Khalil Hosseini ,  Ivan Nikitin ,  Thomas Wowra ,  Lukas Ossowski

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2902 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73269 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： The electronic module includes a first carrier and a first semiconductor chip arranged on the first carrier. A second semiconductor chip is arranged above the first semiconductor chip. A material layer adheres the second semiconductor chip to the first carrier and encapsulates the first semiconductor chip.

摘要翻译： 电子模块包括第一载体和布置在第一载体上的第一半导体芯片。 第二半导体芯片布置在第一半导体芯片的上方。 材料层将第二半导体芯片粘附到第一载体并封装第一半导体芯片。

公开(公告)号：US08293586B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12237876

申请日：2008-09-25

申请人： Ivan Nikitin

发明人： Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/28 ,  H01L24/33 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing an electronic system. One embodiment provides a semiconductor chip having a first main face and a second main face opposite to the first main face. A mask is applied to the first main face of the semiconductor chip. A compound is applied to the first main face of the semiconductor chip. The compound includes electronically conductive particles. The semiconductor chip is coupled to a carrier with the compound facing the carrier.

摘要翻译： 一种制造电子系统的方法。 一个实施例提供了具有与第一主面相对的第一主面和第二主面的半导体芯片。 将掩模施加到半导体芯片的第一主面。 将化合物施加到半导体芯片的第一主面。 该化合物包括电子导电颗粒。 半导体芯片被耦合到载体上，化合物面向载体。

公开(公告)号：US20110074040A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12568925

申请日：2009-09-29

申请人： Manfred Frank ,  Thomas Kunstmann ,  Ivan Nikitin

发明人： Manfred Frank ,  Thomas Kunstmann ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/288 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments may relate to a method for making a semiconductor structure, the method including: forming an opening at least partially through a workpiece; and forming an enclosed cavity within the opening, the forming the cavity comprising forming a paste within the opening.

摘要翻译： 一个或多个实施例可涉及用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：至少部分地通过工件形成开口; 以及在所述开口内形成封闭空腔，形成所述空腔包括在所述开口内形成浆料。

公开(公告)号：US07767495B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US12197602

申请日：2008-08-25

申请人： Edward Fuergut ,  Joachim Mahler ,  Carsten von Koblinski ,  Ivan Nikitin

发明人： Edward Fuergut ,  Joachim Mahler ,  Carsten von Koblinski ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/25 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/16 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/492 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and manufacturing method. One embodiment provides at least two semiconductor chips. A dielectric material is applied to the at least two semiconductor chips to attach the at least two semiconductor chips to each other. A portion of the dielectric material is selectively removed between the at least two semiconductor chips to form at least one recess in the dielectric material. Metal particles including paste is applied to the at least one recess in the dielectric material.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法。 一个实施例提供至少两个半导体芯片。 将介电材料施加到至少两个半导体芯片以将至少两个半导体芯片彼此附接。 电介质材料的一部分在至少两个半导体芯片之间被选择性地去除以在电介质材料中形成至少一个凹槽。 包含糊料的金属颗粒被施加到电介质材料中的至少一个凹部。

公开(公告)号：US20090273066A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12112807

申请日：2008-04-30

申请人： Ivan Nikitin ,  Alexander Heinrich ,  Stefan Landau

发明人： Ivan Nikitin ,  Alexander Heinrich ,  Stefan Landau

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/49506 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83399 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： An electronic device and fabrication of an electronic device. One embodiment provides applying a paste including electrically conductive particles to a surface of a semiconductor wafer. The semiconductor wafer is singulated with the electrically conductive particles for obtaining a plurality of semiconductor chips. At least one of the plurality of semiconductor chips is placed over a carrier with the electrically conductive particles facing the carrier. The electrically conductive particles are heated until the at least one semiconductor chip adheres to the carrier.

摘要翻译： 电子设备和电子设备的制造。 一个实施例提供了将包含导电颗粒的浆料施加到半导体晶片的表面。 半导体晶片与导电颗粒一起被用于获得多个半导体芯片。 将多个半导体芯片中的至少一个放置在载体上，导电颗粒面向载体。 加热导电颗粒直到至少一个半导体芯片粘附到载体上。

公开(公告)号：US09123764B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US13594711

申请日：2012-08-24

申请人： Thomas Behrens ,  Joachim Mahler ,  Ivan Nikitin

发明人： Thomas Behrens ,  Joachim Mahler ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  Y10T83/0448 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a component is disclosed. An embodiment of the method comprises dicing a carrier in a plurality of components, the carrier being disposed on a support carrier, after dicing, placing a connection layer on the carrier and removing the components from the support carrier.

摘要翻译： 公开了一种制造组件的方法。 该方法的一个实施例包括在多个部件中划分载体，载体设置在支撑载体上，在切割之后，将连接层放置在载体上并从支撑载体上移除部件。

公开(公告)号：US08883560B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US12901770

申请日：2010-10-11

申请人： Hans-Joerg Timme ,  Ivan Nikitin

发明人： Hans-Joerg Timme ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/683 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/21 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： A method includes providing a semiconductor chip having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface. An electrically insulating material is deposited on the first main surface of the semiconductor chip using a plasma deposition method. A first electrically conductive material is deposited on the second main surface of the semiconductor chip using a plasma deposition method.

摘要翻译： 一种方法包括提供具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面的半导体芯片。 使用等离子体沉积方法在半导体芯片的第一主表面上沉积电绝缘材料。 使用等离子体沉积方法在半导体芯片的第二主表面上沉积第一导电材料。