公开(公告)号：US20070108583A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11458065

申请日：2006-07-17

申请人： Il Kwon Shim ,  Byung Joon Han ,  Seng Guan Chow

发明人： Il Kwon Shim ,  Byung Joon Han ,  Seng Guan Chow

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L23/552 ,  H01L24/73 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/141 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/1053 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： An integrated circuit package-on-package stacking system is provided including providing a first integrated circuit package, mounting a metalized interposer substrate over the first integrated circuit package and attaching a second integrated circuit package on the metalized interposer substrate.

摘要翻译： 提供了一种集成电路封装堆叠堆叠系统，包括提供第一集成电路封装，将金属化插入器基板安装在第一集成电路封装上并将第二集成电路封装件附接到金属化插入器基板上。

公开(公告)号：US20070108581A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11383403

申请日：2006-05-15

申请人： Il Kwon Shim ,  Byung Joon Han ,  Seng Guan Chow

发明人： Il Kwon Shim ,  Byung Joon Han ,  Seng Guan Chow

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/141 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599

摘要： An offset integrated circuit package-on-package stacking system is provided including providing a base substrate, forming a contact pad on the base substrate, mounting a first integrated circuit on the base substrate, forming a base package body around the first integrated circuit, providing an offset substrate, mounting a second integrated circuit on the offset substrate, and coupling the offset substrate to the contact pad, including placing the offset substrate on the base package body.

摘要翻译： 提供一种偏移集成电路封装堆叠堆叠系统，包括提供基底基板，在基底基板上形成接触焊盘，将第一集成电路安装在基底基板上，在第一集成电路周围形成基底封装体，提供 偏移衬底，将第二集成电路安装在偏移衬底上，以及将偏移衬底耦合到接触焊盘，包括将偏移衬底放置在基底封装主体上。

公开(公告)号：US08912648B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13231789

申请日：2011-09-13

申请人： Yaojian Lin ,  Il Kwon Shim ,  Seng Guan Chow

发明人： Yaojian Lin ,  Il Kwon Shim ,  Seng Guan Chow

IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L23/16 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/552 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device has a stress relief buffer mounted to a temporary substrate in locations designated for bump formation. The stress relief buffer can be a multi-layer composite material such as a first compliant layer, a silicon layer formed over the first compliant layer, and a second compliant layer formed over the silicon layer. A semiconductor die is also mounted to the temporary substrate. The stress relief buffer can be thinner than the semiconductor die. An encapsulant is deposited between the semiconductor die and stress relief buffer. The temporary substrate is removed. An interconnect structure is formed over the semiconductor die, encapsulant, and stress relief buffer. The interconnect structure is electrically connected to the semiconductor die. A stiffener layer can be formed over the stress relief buffer and encapsulant. A circuit layer containing active devices, passive devices, conductive layers, and dielectric layers can be formed within the stress relief buffer.

摘要翻译： 半导体器件具有在指定用于凸块形成的位置中安装到临时衬底的应力释放缓冲器。 应力消除缓冲器可以是多层复合材料，例如第一顺应层，在第一柔性层上形成的硅层，以及形成在硅层上的第二柔性层。 半导体管芯也安装在临时衬底上。 应力消除缓冲器可以比半导体管芯更薄。 密封剂沉积在半导体管芯和应力释放缓冲器之间。 移除临时衬底。 在半导体管芯，密封剂和应力释放缓冲器上形成互连结构。 互连结构电连接到半导体管芯。 可以在应力消除缓冲器和密封剂上形成加强层。 可以在应力消除缓冲器内形成包含有源器件，无源器件，导电层和电介质层的电路层。

公开(公告)号：US20130320525A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13842582

申请日：2013-03-15

申请人： Yaojian Lin ,  Il Kwon Shim ,  JunMo Koo ,  Jose Alvin Caparas

发明人： Yaojian Lin ,  Il Kwon Shim ,  JunMo Koo ,  Jose Alvin Caparas

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/16 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/19 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof includes: a substrate having a top insulation layer and a top conductive layer; an inter-react layer on the substrate; an integrated circuit die on the substrate; a package body on the inter-react layer and the integrated circuit die; and a top solder bump on the top conductive layer, the top solder bump in a 3D via formed through the package body, the inter-react layer, and the top insulation layer for exposing the top conductive layer in the 3D via.

摘要翻译： 集成电路封装系统及其制造方法包括：具有顶部绝缘层和顶部导电层的衬底; 基板上的反应间层; 集成电路裸片在基板上; 反应层间和集成电路管芯上的封装体; 以及顶部导电层上的顶部焊料凸块，通过封装主体，反应间层和顶部绝缘层形成的3D通孔中的顶部焊料凸块，用于暴露3D通孔中的顶部导电层。

公开(公告)号：US20130113092A9

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13333739

申请日：2011-12-21

申请人： Yaojian Lin ,  Pandi C. Marimuthu ,  Kang Chen ,  Hin Hwa Goh ,  Yu Gu ,  Il Kwon Shim ,  Rui Huang ,  Seng Guan Chow ,  Jianmin Fang ,  Xia Feng

发明人： Yaojian Lin ,  Pandi C. Marimuthu ,  Kang Chen ,  Hin Hwa Goh ,  Yu Gu ,  Il Kwon Shim ,  Rui Huang ,  Seng Guan Chow ,  Jianmin Fang ,  Xia Feng

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/214

摘要： A semiconductor device has a semiconductor die and conductive layer formed over a surface of the semiconductor die. A first channel can be formed in the semiconductor die. An encapsulant is deposited over the semiconductor die. A second channel can be formed in the encapsulant. A first insulating layer is formed over the semiconductor die and first conductive layer and into the first channel. The first insulating layer extends into the second channel. The first insulating layer has characteristics of tensile strength greater than 150 MPa, elongation between 35-150%, and thickness of 2-30 micrometers. A second insulating layer can be formed over the semiconductor die prior to forming the first insulating layer. An interconnect structure is formed over the semiconductor die and encapsulant. The interconnect structure is electrically connected to the first conductive layer. The first insulating layer provides stress relief during formation of the interconnect structure.

摘要翻译： 半导体器件具有形成在半导体管芯的表面上的半导体管芯和导电层。 可以在半导体管芯中形成第一通道。 密封剂沉积在半导体管芯上。 可以在密封剂中形成第二通道。 在半导体管芯和第一导电层上形成第一绝缘层并进入第一沟道。 第一绝缘层延伸到第二通道中。 第一绝缘层的拉伸强度大于150MPa，伸长率在35-150％之间，厚度为2-30微米。 在形成第一绝缘层之前，可以在半导体管芯上方形成第二绝缘层。 在半导体管芯和密封剂上形成互连结构。 互连结构电连接到第一导电层。 第一绝缘层在形成互连结构期间提供应力释放。

公开(公告)号：US20110316171A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13207633

申请日：2011-08-11

申请人： Il Kwon Shim ,  Yaojian Lin ,  Seng Guan Chow

发明人： Il Kwon Shim ,  Yaojian Lin ,  Seng Guan Chow

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/50 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/14 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/185 ,  H05K1/186 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device has a protective layer formed over an active surface of a semiconductor wafer. The semiconductor die with pre-applied protective layer are moved from the semiconductor wafer and mounted on a carrier. The semiconductor die and contact pads on the carrier are encapsulated. The carrier is removed. A first insulating layer is formed over the pre-applied protective layer and contact pads. Vias are formed in the first insulating layer and pre-applied protective layer to expose interconnect sites on the semiconductor die. An interconnect structure is formed over the first insulating layer in electrical contact with the interconnect sites on the semiconductor die and contact pads. The interconnect structure has a redistribution layer formed on the first insulating layer, a second insulating layer formed on the redistribution layer, and an under bump metallization layer formed over the second dielectric in electrical contact with the redistribution layer.

摘要翻译： 半导体器件具有形成在半导体晶片的有源表面上的保护层。 具有预先施加的保护层的半导体管芯从半导体晶片移动并安装在载体上。 载体上的半导体管芯和接触焊盘被封装。 载体被移除。 在预先施加的保护层和接触垫上形成第一绝缘层。 在第一绝缘层和预先施加的保护层中形成通孔以暴露半导体管芯上的互连部位。 在第一绝缘层上形成互连结构，与半导体管芯和接触焊盘上的互连部位电接触。 互连结构具有形成在第一绝缘层上的再分布层，形成在再分配层上的第二绝缘层和形成在与再分布层电接触的第二电介质上的凸块下金属化层。

公开(公告)号：US08039303B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12481404

申请日：2009-06-09

申请人： Il Kwon Shim ,  Seng Guan Chow ,  Yaojian Lin

发明人： Il Kwon Shim ,  Seng Guan Chow ,  Yaojian Lin

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device is made by forming a first conductive layer over a sacrificial carrier. A conductive pillar is formed over the first conductive layer. An active surface of a semiconductor die is mounted to the carrier. An encapsulant is deposited over the semiconductor die and around the conductive pillar. The carrier and adhesive layer are removed. A stress relief insulating layer is formed over the active surface of the semiconductor die and a first surface of the encapsulant. The stress relief insulating layer has a first thickness over the semiconductor die and a second thickness less than the first thickness over the encapsulant. A first interconnect structure is formed over the stress relief insulating layer. A second interconnect structure is formed over a second surface of encapsulant opposite the first interconnect structure. The first and second interconnect structures are electrically connected through the conductive pillar.

摘要翻译： 通过在牺牲载体上形成第一导电层来制造半导体器件。 在第一导电层上形成导电柱。 半导体管芯的有源表面安装在载体上。 密封剂沉积在半导体管芯上方并围绕导电柱。 去除载体和粘合剂层。 在半导体管芯的有源表面和密封剂的第一表面上形成应力消除绝缘层。 应力消除绝缘层在半导体管芯上方具有第一厚度，并且第二厚度小于密封剂上的第一厚度。 在应力消除绝缘层上形成第一互连结构。 在与第一互连结构相对的密封剂的第二表面上形成第二互连结构。 第一和第二互连结构通过导电柱电连接。

公开(公告)号：US07767496B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11957101

申请日：2007-12-14

申请人： Il Kwon Shim ,  Yaojian Lin ,  Seng Guan Chow

发明人： Il Kwon Shim ,  Yaojian Lin ,  Seng Guan Chow

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/50 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/14 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/185 ,  H05K1/186 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device is made by first forming a protective layer over an active surface of a semiconductor wafer. The semiconductor die with pre-applied protective layer are moved from the semiconductor wafer and mounted on a carrier. The semiconductor die and contact pads on the carrier are encapsulated. The carrier is removed. A first insulating layer is formed over the pre-applied protective layer and contact pads. Vias are formed in the first insulating layer and pre-applied protective layer to expose interconnect sites on the semiconductor die. An interconnect structure is formed over the first insulating layer in electrical contact with the interconnect sites on the semiconductor die and contact pads. The interconnect structure has a redistribution layer formed on the first insulating layer, a second insulating layer formed on the redistribution layer, and an under bump metallization layer formed over the second dielectric in electrical contact with the redistribution layer.

摘要翻译： 半导体器件通过首先在半导体晶片的有效表面上形成保护层来制造。 具有预先施加的保护层的半导体管芯从半导体晶片移动并安装在载体上。 载体上的半导体管芯和接触焊盘被封装。 载体被移除。 在预先施加的保护层和接触垫上形成第一绝缘层。 在第一绝缘层和预先施加的保护层中形成通孔以暴露半导体管芯上的互连部位。 在第一绝缘层上形成互连结构，与半导体管芯和接触焊盘上的互连部位电接触。 互连结构具有形成在第一绝缘层上的再分布层，形成在再分配层上的第二绝缘层和形成在与再分布层电接触的第二电介质上的凸块下金属化层。

公开(公告)号：US20090170241A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US11964397

申请日：2007-12-26

申请人： Il Kwon Shim ,  Yaojian Lin ,  Seng Guan Chow

发明人： Il Kwon Shim ,  Yaojian Lin ,  Seng Guan Chow

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H05K1/185 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/187 ,  H05K3/205 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device is made by forming contact pads on a sacrificial carrier. The contact pads may be formed on a pillar. A semiconductor die is mounted to electrically connect to the contact pads with solder bumps or wire bonds. The semiconductor die is encapsulated with molding compound. The sacrificial carrier is removed. A backside interconnect structure has a first conductive layer formed over the molding compound to electrically connect to the contact pads. A first insulating layer is formed over the first conductive layer. A portion of the first insulating layer is removed to expose the first conductive layer. Solder material is deposited in electrical contact with the first conductive layer. The solder material is reflowed to form a solder bump. A wire bond electrically connects to a contact pad. A front-side interconnect structure can be formed through the molding compound to the contact pads.

摘要翻译： 通过在牺牲载体上形成接触垫来制造半导体器件。 接触垫可以形成在支柱上。 半导体管芯被安装成用焊料凸块或引线接合电连接到接触焊盘。 半导体管芯用模塑料封装。 牺牲载体被去除。 背面互连结构具有形成在模制化合物上的第一导电层以电连接到接触焊盘。 第一绝缘层形成在第一导电层上。 去除第一绝缘层的一部分以露出第一导电层。 焊料与第一导电层电接触沉积。 焊料材料被回流以形成焊料凸块。 导线键合电连接到接触垫。 可以通过模制化合物将前侧互连结构形成到接触垫。

公开(公告)号：US09059157B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US13842582

申请日：2013-03-15

申请人： Yaojian Lin ,  Il Kwon Shim ,  JunMo Koo ,  Jose Alvin Caparas

发明人： Yaojian Lin ,  Il Kwon Shim ,  JunMo Koo ,  Jose Alvin Caparas

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00 ,  H01L23/16

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/16 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/19 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof includes: a substrate having a top insulation layer and a top conductive layer; an inter-react layer on the substrate; an integrated circuit die on the substrate; a package body on the inter-react layer and the integrated circuit die; and a top solder bump on the top conductive layer, the top solder bump in a 3D via formed through the package body, the inter-react layer, and the top insulation layer for exposing the top conductive layer in the 3D via.

摘要翻译： 集成电路封装系统及其制造方法包括：具有顶部绝缘层和顶部导电层的衬底; 基板上的反应间层; 集成电路裸片在基板上; 反应层间和集成电路管芯上的封装体; 以及顶部导电层上的顶部焊料凸块，通过封装主体，反应间层和顶部绝缘层形成的3D通孔中的顶部焊料凸块，用于暴露3D通孔中的顶部导电层。