公开(公告)号：US07166954B2

公开(公告)日：2007-01-23

申请号：US10980749

申请日：2004-11-03

申请人： Hiromu Miyazawa ,  Takeshi Kijima ,  Takamitsu Higuchi ,  Setsuya Iwashita

发明人： Hiromu Miyazawa ,  Takeshi Kijima ,  Takamitsu Higuchi ,  Setsuya Iwashita

IPC分类号： H01L41/187 ,  H03H9/25

CPC分类号： H03H9/02133 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  F04B43/046 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/172 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174

摘要： A piezoelectric film is provided that is represented by the following general formula: Pb1−b[((X1/3Nb2/3)1−cB′c)1−aYa]O3 wherein X is at least one of Mg, Zn and Ni; B′ is at least one of Zr, Ti and Hf; Y is at least one of V, Nb, Ta, Cr, Mo and W; a satisfies 0.05≦a

摘要翻译： 提供了由以下通式表示的压电膜：Pb 1-b [（（X 1/3 Nb 2/3） ）1-c B'C 1）a-1-a a a a 3 a / 3 >其中X是Mg，Zn和Ni中的至少一种; B'是Zr，Ti和Hf中的至少一种; Y是V，Nb，Ta，Cr，Mo和W中的至少一种; a满足0.05 <= a <0.30; b满足0.025 <= b <= 0.15; 当X为Mg时，c满足0.25 <= c <= 0.35; 当X为Ni时，c满足0.30 <= c <0.40; 当X为Zn时，c满足0.05 <= c <0.15。

公开(公告)号：US20060234395A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11403994

申请日：2006-04-13

申请人： Takeshi Kijima

发明人： Takeshi Kijima

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02197 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： A method for manufacturing a perovskite type oxide layer includes the steps of: forming, above a substrate, a first oxide layer composed of perovskite type oxide; forming, above the first oxide layer, a second oxide layer composed of at least one of a perovskite type oxide layer crystallized at a temperature lower than a crystallization temperature of the first oxide layer and a pyrochlore layer having elements identical with elements of the perovskite type oxide; forming an electrode layer above the second oxide layer; and conducting a heat treatment.

摘要翻译： 一种钙钛矿型氧化物层的制造方法，其特征在于，在基板上形成由钙钛矿型氧化物构成的第一氧化物层， 在所述第一氧化物层的上方形成第二氧化物层，所述第二氧化物层由在比所述第一氧化物层的结晶温度低的温度下结晶的钙钛矿型氧化物层和具有与所述钙钛矿型元素相同的元素的烧绿石层中的至少一种 氧化物 在所述第二氧化物层上形成电极层; 并进行热处理。

公开(公告)号：US20060138906A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11304938

申请日：2005-12-15

申请人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

发明人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： B41J2/14233 ,  F04B43/046 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973

摘要： A piezoelectric device including: a substrate; a first conductive layer formed over the substrate, the first conductive layer including a conductive oxide layer formed of a (001) preferentially oriented lanthanum nickelate, and the lanthanum nickelate having oxygen deficiency; a piezoelectric layer formed over the first conductive layer and including a piezoelectric having a perovskite structure; and a second conductive layer electrically connected with the piezoelectric layer.

摘要翻译： 一种压电装置，包括：基板; 形成在所述基板上的第一导电层，所述第一导电层包括由（001）优先取向的镧镍酸盐形成的导电氧化物层和所述镍缺乏的所述镍酸镧; 形成在所述第一导电层上并包括具有钙钛矿结构的压电体的压电层; 以及与压电层电连接的第二导电层。

公开(公告)号：US20060083933A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11286286

申请日：2005-11-25

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

IPC分类号： G11C11/22 ,  H01L41/18 ,  B32B17/06 ,  B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  B32B19/00

CPC分类号： C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A ferroelectric film is formed by an oxide that is described by a general formula AB1-xNbxO3. An A element includes at least Pb, and a B element includes at least one of Zr, Ti, V, W, Hf and Ta. The ferroelectric film includes Nb within the range of: 0.05≦x

摘要翻译： 铁氧体膜由通式AB 1-x N x O 3 O 3所描述的氧化物形成。 A元素至少包含Pb，B元素包括Zr，Ti，V，W，Hf和Ta中的至少一种。 铁电体膜包括在0.05 <= x <1的范围内的Nb。 铁电薄膜可用于1T1C，2T2C和简单矩阵类型的铁电存储器。

公开(公告)号：US07008669B2

公开(公告)日：2006-03-07

申请号：US10166707

申请日：2002-06-12

申请人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

发明人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

IPC分类号： B05D5/12 ,  C23C16/00 ,  C23C14/00

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： A method of manufacturing a ceramic includes forming a film which includes a complex oxide material having an oxygen octahedral structure and a paraelectric material having a catalytic effect for the complex oxide material in a mixed state, and performing a heat treatment to the film, wherein the paraelectric material is one of a layered catalytic substance which includes Si in the constituent elements and a layered catalytic substance which includes Si and Ge in the constituent elements. The heat treatment includes sintering and post-annealing. At least the post-annealing is performed in a pressurized atmosphere including at least one of oxygen and ozone. A ceramic is a complex oxide having an oxygen octahedral structure, and has Si and Ge in the oxygen octahedral structure.

公开(公告)号：US20050271823A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US11129475

申请日：2005-05-16

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Mayumi Ueno

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Mayumi Ueno

IPC分类号： B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/135 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  C04B35/49 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C23C18/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/318 ,  H01L41/39 ,  B05D5/12 ,  C04B35/46 ,  C04B35/48

CPC分类号： C04B35/493 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C01G25/00 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/761 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： To provide precursor compositions for forming ferroelectric, methods for manufacturing precursor compositions, and methods for forming ferroelectric films using precursor compositions, which have excellent composition controllability in a liquid phase method, and in which metal compositions such as lead can be reused. A precursor composition pertains to a precursor composition including a precursor for forming a ferroelectric, wherein the ferroelectric is expressed by a general formula of AB1-xCxO3, where an element A is composed of at least Pb, an element B is composed of at least one of Zr, Ti, V, W and Hf, an element C is composed of at least one of Nb and Ta, and the precursor includes at least the element B and the element C, and has an ester-bond in a part thereof.

摘要翻译： 提供用于形成铁电体的前体组合物，用于制备前体组合物的方法，以及使用在液相法中具有优异的组成可控性的前体组合物形成铁电体膜的方法，其中可以重复使用诸如铅的金属组合物。 前体组合物涉及包含用于形成铁电体的前体的前体组合物，其中铁电体由通式为AB 1-x C x O O 3元素A至少由Pb构成，元素B由Zr，Ti，V，W和Hf中的至少一种构成，元素C由Nb和Ta中的至少一种构成 ，并且前体至少包含元素B和元素C，并且其一部分具有酯键。

公开(公告)号：US20050236654A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：US11104572

申请日：2005-04-13

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/135 ,  B41J2/14 ,  B41J2/145 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/29 ,  H01L41/39 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L28/55 ,  B41J2/14233 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： To provide ferroelectric film laminated bodies with few crystal defects and having excellent characteristics. A ferroelectric film laminated body includes an electrode and a PZT system ferroelectric film formed on the electrode. In the ferroelectric film, Nb replaces Ti composition by 2.5 mol % or more but 40 mol % or less, and the electrode does not include almost any oxygen that diffuses from the ferroelectric film.

摘要翻译： 提供具有很少晶体缺陷并且具有优异特性的铁电薄膜层叠体。 铁电体膜层叠体包括在电极上形成的电极和PZT系铁电膜。 在铁电体膜中，Nb代替Ti成分为2.5摩尔％以上且40摩尔％以下，并且电极不包含几乎从铁电体膜扩散的氧。

公开(公告)号：US20050167712A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11035129

申请日：2005-01-14

申请人： Takeshi Kijima ,  Hiromu Miyazawa ,  Yasuaki Hamada

发明人： Takeshi Kijima ,  Hiromu Miyazawa ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C23C18/12 ,  H01B3/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L41/04 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/02197 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C23C18/1216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： To provide ferroelectric films with which highly reliable ferroelectric devices can be obtained. A ferroelectric film comprised of a perovskite structure ferroelectric shown by ABO3, including at least one type of Si2+, Ge2+ and Sn2+ as an A site doping ion, and at least Nb5+ as a B site doping ion.

摘要翻译： 提供可获得高可靠性的铁电体元件的铁电体膜。 由ABO 3所示的钙钛矿结构铁电体构成的铁电体膜，其包含至少一种类型的Si 2+，Ge 2+和Sn 2+作为A位点掺杂离子，至少Nb 5+作为B位点掺杂。

公开(公告)号：US20050146249A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10970697

申请日：2004-10-21

申请人： Hiromu Miyazawa ,  Takeshi Kijima ,  Eiji Natori ,  Taku Aoyama ,  Setsuya Iwashita ,  Takamitsu Higuchi

发明人： Hiromu Miyazawa ,  Takeshi Kijima ,  Eiji Natori ,  Taku Aoyama ,  Setsuya Iwashita ,  Takamitsu Higuchi

IPC分类号： B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/135 ,  B41J2/14 ,  B41J2/145 ,  B41J2/16 ,  C04B35/49 ,  F04B9/00 ,  F04B43/04 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/319 ,  H01L41/39 ,  H02N2/00 ,  H03B5/30 ,  H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/145 ,  H03H9/17 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64

CPC分类号： H03H9/0542 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  F04B43/046 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02984 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/64

摘要： A piezoelectric film is provided having good piezoelectric properties. The piezoelectric film is represented by the following general formula: A1-bB1-aXaO3 wherein A contains Pb; B is at least one of Zr and Ti; X is at least one of V, Nb, Ta, Cr, Mo and W; a satisfies 0.05≦a≦0.3; and b satisfies 0.025≦b≦0.15.

摘要翻译： 提供具有良好的压电性能的压电膜。 压电膜由以下通式表示：A 1-b B 1-a X a O 3 3 / >其中A含有Pb; B是Zr和Ti中的至少一种; X是V，Nb，Ta，Cr，Mo和W中的至少一种; a满足0.05 <= a <= 0.3; 并且b满足0.025≤b≤0.15。

公开(公告)号：US06307225B1

公开(公告)日：2001-10-23

申请号：US09596574

申请日：2000-06-16

申请人： Takeshi Kijima ,  Hironori Matsunaga

发明人： Takeshi Kijima ,  Hironori Matsunaga

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78391 ,  Y10S148/081 ,  Y10S148/118

摘要： A bismuth silicate film (insulating film) 3 of Bi2SiO5 oriented predominantly in the direction of (100) is formed on a Si substrate 2 and a ferroelectric thin film 4 is formed on the bismuth silicate film 3 to create an MFIS structure having a c-axis-oriented ferroelectric thin film 4 formed with good reproducibility. A highly reliable thin film device is produced by applying the MFIS structure to a FET.

摘要翻译： 主要在（100）方向取向的Bi2SiO5的铋硅酸盐膜（绝缘膜）3形成在Si衬底2上，并且在硅酸铋膜3上形成铁电薄膜4，以产生具有c- 轴向取向的铁电薄膜4形成有良好的再现性。 通过将MFIS结构应用于FET来制造高度可靠的薄膜器件。