公开(公告)号：US20160211143A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：US15083352

申请日：2016-03-29

申请人： FUJIFILM Corporation

发明人： Hirotaka KITAGAWA ,  Yuichiro GOTO

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/02 ,  C09D11/101 ,  G03F7/00 ,  C09D11/30

CPC分类号： H01L21/3081 ,  C09D4/06 ,  C09D11/101 ,  C09D11/30 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0388 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/3086 ,  Y10T428/24802 ,  C08F2222/102 ,  C08F2222/1013 ,  C08F220/22 ,  C08F2220/1883 ,  C08F2220/301

摘要： A curable composition for optical imprinting which is excellent in ink jet adequacy and releasability, a pattern forming method, a fine pattern, and a method for manufacturing a semiconductor device are provided. The curable composition for optical imprinting contains a polymerizable compound (A), a photopolymerization initiator (B), and a compound (C) expressed by General Formula (I); in General Formula (I), A represents a dihydric to hexahydric polyhydric alcohol residue. p represents 0 to 2, q represents 1 to 6, p+q represents an integer of 2 to 6, each of m and n independently represents 0 to 20. r expressed by Formula (1) is 6 to 20. Each R independently represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group, or an acyl group.

摘要翻译： 提供了一种喷墨适合性和脱模性良好的光学印刷用固化性组合物，图案形成方法，精细图案以及半导体装置的制造方法。 用于光学印迹的可固化组合物含有可聚合化合物（A），光聚合引发剂（B）和由通式（I）表示的化合物（C））。 在通式（I）中，A表示二元至六元多元醇残基。 p表示0〜2，q表示1〜6，p + q表示2〜6的整数，m和n各自独立地表示0〜20。由式（1）表示的r为6〜20。 具有1-10个碳原子的烷基，芳基或酰基。

公开(公告)号：US09318401B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US14369732

申请日：2012-05-08

申请人： Koya Muyari ,  Koji Ito ,  Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito

发明人： Koya Muyari ,  Koji Ito ,  Atsushi Ogasawara ,  Kazuhiko Ito

IPC分类号： C03C3/076 ,  B32B17/00 ,  H01L21/00 ,  H01L23/29 ,  H01L29/66 ,  H01L29/861 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  C03C8/04 ,  H01L21/56 ,  C03C3/093 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/291 ,  C03C3/093 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/56 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a glass composition for protecting a semiconductor junction which contains at least SiO2, B2O3, Al2O3, ZnO and at least two oxides of alkaline earth metals selected from a group consisting of CaO, MgO and BaO, and substantially contains none of Pb, As, Sb, Li, Na and K, wherein an average linear expansion coefficient within a temperature range of 50° C. to 550° C. falls within a range of 3.33×10−6 to 4.13×10−6. A semiconductor device having high breakdown strength can be manufactured using such a glass material containing no lead in the same manner as a conventional case where “a glass material containing lead silicate as a main component” is used.

摘要翻译： 本发明提供一种用于保护半导体结的玻璃组合物，其至少含有SiO 2，B 2 O 3，Al 2 O 3，ZnO和至少两种选自CaO，MgO和BaO的碱土金属的氧化物，并且基本上不含有Pb，As ，Sb，Li，Na和K，其中在50℃至550℃的温度范围内的平均线膨胀系数在3.33×10 -6至4.13×10 -6的范围内。 与使用“含有硅酸铅作为主要成分的玻璃材料”的常规情况相同的方式，可以使用不含铅的玻璃材料制造具有高击穿强度的半导体器件。

公开(公告)号：US20160020176A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：US14334463

申请日：2014-07-17

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Shin-Yi Yang ,  Hsiang-Huan Lee ,  Ming-Han Lee ,  Hsi-Wen Tien ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5384 ,  H01L2924/06

摘要： A device includes a first conductive line in a first metallization layer over a dielectric layer, wherein the first conductive line is wrapped by a first polymer layer on three sides and the first conductive line and the dielectric layer are separated by a bottom portion of the first polymer layer, a second conductive line over the dielectric layer, wherein the second conductive line is wrapped by a second polymer layer on three sides and the second conductive line and the dielectric layer are separated by a bottom portion of the second polymer layer and an air gap between the first conductive line and the second conductive line.

摘要翻译： 一种器件包括在电介质层上的第一金属化层中的第一导电线，其中第一导电线被三侧上的第一聚合物层缠绕，并且第一导电线和电介质层被第一导电线的第一 聚合物层，在电介质层上的第二导电线，其中第二导电线被三侧上的第二聚合物层缠绕，并且第二导电线和电介质层被第二聚合物层的底部分隔开，并且空气 第一导线与第二导线之间的间隙。

公开(公告)号：US09219037B2

公开(公告)日：2015-12-22

申请号：US13603008

申请日：2012-09-04

申请人： Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Son Nguyen ,  Satyanarayana V. Nitta ,  Thomas M. Shaw

发明人： Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Son Nguyen ,  Satyanarayana V. Nitta ,  Thomas M. Shaw

IPC分类号： B05D3/06 ,  B05D3/14 ,  C08J7/18 ,  H01L23/532 ,  C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  C23C16/511 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  H01J2237/336 ,  H01J2237/338 ,  H01J2237/3382 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A porous SiCOH dielectric film in which the stress change caused by increased tetrahedral strain is minimized by post treatment in unsaturated Hydrocarbon ambient. The p-SiCOH dielectric film has more —(CHx) and less Si—O—H and Si—H bonding moieties. Moreover, a stable pSiOCH dielectric film is provided in which the amount of Si—OH (silanol) and Si—H groups at least within the pores has been reduced by about 90% or less by the post treatment. A p-SiCOH dielectric film is produced that is flexible since the pores include stabilized crosslinking —(CHx)— chains wherein x is 1, 2 or 3 therein. The dielectric film is produced utilizing an annealing step subsequent deposition that includes a gaseous ambient that includes at least one C—C double bond and/or at least one C—C triple bond.

摘要翻译： 通过在不饱和烃环境中后处理，使四面体应变增加引起的应力变化最小化的多孔SiCOH介电膜。 p-SiCOH电介质膜具有更多的（（CH x））和更少的Si-O-H和Si-H键合部分。 此外，提供稳定的pSiOCH电介质膜，其中至少在孔内的Si-OH（硅烷醇）和Si-H基团的量通过后处理减少约90％以下。 由于气孔包括其中x为1,2或3的稳定的交联 - （CH x） - 链，因此制备柔性的p-SiCOH介电膜。 介电膜是利用包括至少一个C-C双键和/或至少一个C-C三键的气态环境的退火步骤进行的。

公开(公告)号：US20150311067A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：US14261017

申请日：2014-04-24

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Shashank SHARMA ,  Jau-Jiun CHEN ,  Wolfgang R. ADERHOLD ,  Kai NG ,  Houda GRAOUI ,  Shankar MUTHUKRISHNAN ,  Abhilash J. MAYUR ,  Gia PHAM

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02337 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28202

摘要： Embodiments of the present disclosure relate to methods for processing a substrate. In one embodiment, the method includes forming a dielectric layer over a substrate, wherein the dielectric layer has a dielectric value of about 3.9 or greater, heating the substrate to a first temperature of about 600 degrees Celsius or less by a heater of a substrate support disposed within a process chamber, and incorporating nitrogen into the dielectric layer in the process chamber by annealing the dielectric layer at a second temperature between about 650 and about 1450 degrees Celsius in an ambient nitrogen environment, wherein the annealing is performed on the order of millisecond scale.

摘要翻译： 本公开的实施例涉及用于处理衬底的方法。 在一个实施例中，该方法包括在衬底上形成电介质层，其中电介质层的电介质值约为3.9或更大，通过衬底支撑件的加热器将衬底加热至约600摄氏度或更低的第一温度 设置在处理室内，并且通过在环境氮环境中在约650℃和约1450摄氏度之间的第二温度下退火介电层，将氮气并入处理室中的介电层中，其中退火是在毫秒级 规模。

公开(公告)号：US09142404B2

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US14054904

申请日：2013-10-16

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited

发明人： Chun-Hsiung Tsai ,  Xiong-Fei Yu ,  Kuo-Feng Yu

IPC分类号： H01L21/02 ,  H05B6/80 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02345 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H05B6/80 ,  H05B6/806

摘要： Systems and methods are provided for annealing a semiconductor device structure using microwave radiation. For example, a semiconductor device structure is provided. An interfacial layer is formed on the semiconductor device structure. A high-k dielectric layer is formed on the interfacial layer. Microwave radiation is applied to anneal the semiconductor device structure for fabricating semiconductor devices.

摘要翻译： 提供了用于使用微波辐射退火半导体器件结构的系统和方法。 例如，提供半导体器件结构。 在半导体器件结构上形成界面层。 在界面层上形成高k电介质层。 施加微波辐射来退火用于制造半导体器件的半导体器件结构。

公开(公告)号：US20150235847A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：US14425578

申请日：2013-10-24

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Cara Beasley ,  Ralf Hofmann ,  Majeed A. Foad

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02376 ,  B05D3/061 ,  B05D3/065 ,  B05D3/141 ,  B05D5/12 ,  C01B32/182 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  C01B32/20 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/288

摘要： Embodiments described herein provide methods and apparatus for forming graphitic carbon such as graphene on a substrate. The method includes providing a precursor comprising a linear conjugated hydrocarbon, depositing a hydrocarbon layer from the precursor on the substrate, and forming graphene from the hydrocarbon layer by applying energy to the substrate. The precursor may include template molecules such as polynuclear aromatics, and may be deposited on the substrate by spinning on, by spraying, by flowing, by dipping, or by condensing. The energy may be applied as radiant energy, thermal energy, or plasma energy.

摘要翻译： 本文所述的实施方案提供了在基底上形成石墨碳如石墨烯的方法和装置。 该方法包括提供包含线性共轭烃的前体，在基底上沉积来自前体的烃层，以及通过向基底施加能量从烃层形成石墨烯。 前体可以包括模板分子，例如多核芳族化合物，并且可以通过旋转，喷雾，通过浸渍，或通过冷凝沉积在基材上。 能量可以作为辐射能，热能或等离子体能量施加。

公开(公告)号：US09093265B2

公开(公告)日：2015-07-28

申请号：US14053727

申请日：2013-10-15

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.

发明人： Po-Cheng Shih ,  Hui-Chun Yang ,  Chung-Chi Ko ,  Kuang-Yuan Hsu

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02263 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68771

摘要： One embodiment is a method for semiconductor processing. In this method, a precursor film is provided over a semiconductor substrate, where the precursor film is made of a structural former and porogen. Prior to cross-linking, the porogen is removed by exposure to UV radiation having one or more wavelengths in the range of 150 nm to 300 nm, while a temperature of 300° C. to 500° C. is applied to the semiconductor substrate. Meanwhile, a Argon:Helium flow rate of 80>Ar>10 slm, 80>He>10 slm is set for the ambient substrate environment where the ratio of Ar:He ranges from 0:1 to 1:0 by volume or molality.

摘要翻译： 一个实施例是用于半导体处理的方法。 在该方法中，前体膜设置在半导体衬底上，其中前体膜由结构形成剂和致孔剂制成。 在交联之前，通过暴露于具有150nm至300nm范围内的一个或多个波长的紫外线辐射来除去致孔剂，同时将温度为300℃至500℃的温度施加到半导体衬底。 同时，Ar：He的比例为0：1至1：0，其体积或摩尔比为Ar>氦流量80> Ar> 10 slm，80> He> 10 slm。

公开(公告)号：US20150104953A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：US14053727

申请日：2013-10-15

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.

发明人： Po-Cheng Shih ,  Hui-Chun Yang ,  Chung-Chi Ko ,  Kuang-Yuan Hsu

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02263 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68771

摘要： One embodiment is a method for semiconductor processing. In this method, a precursor film is provided over a semiconductor substrate, where the precursor film is made of a structural former and porogen. Prior to cross-linking, the porogen is removed by exposure to UV radiation having one or more wavelengths in the range of 150 nm to 300 nm, while a temperature of 300° C. to 500° C. is applied to the semiconductor substrate. Meanwhile, a Argon:Helium flow rate of 80>Ar>10 slm, 80>He>10 slm is set for the ambient substrate environment where the ratio of Ar:He ranges from 0:1 to 1:0 by volume or molality.

摘要翻译： 一个实施例是用于半导体处理的方法。 在该方法中，前体膜设置在半导体衬底上，其中前体膜由结构形成剂和致孔剂制成。 在交联之前，通过暴露于具有150nm至300nm范围内的一个或多个波长的紫外线辐射来除去致孔剂，同时将温度为300℃至500℃的温度施加到半导体衬底。 同时，Ar：He的比例为0：1至1：0，其体积或摩尔比为Ar>氦流量80> Ar> 10 slm，80> He> 10 slm。

公开(公告)号：US20150104933A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：US14054904

申请日：2013-10-16

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited

发明人： CHUN-HSIUNG TSAI ,  XIONG-FEI YU ,  KUO-FENG YU

IPC分类号： H01L21/02 ,  H05B6/80

CPC分类号： H01L21/02345 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H05B6/80 ,  H05B6/806

摘要： Systems and methods are provided for annealing a semiconductor device structure using microwave radiation. For example, a semiconductor device structure is provided. An interfacial layer is formed on the semiconductor device structure. A high-k dielectric layer is formed on the interfacial layer. Microwave radiation is applied to anneal the semiconductor device structure for fabricating semiconductor devices.

摘要翻译： 提供了用于使用微波辐射退火半导体器件结构的系统和方法。 例如，提供半导体器件结构。 在半导体器件结构上形成界面层。 在界面层上形成高k电介质层。 施加微波辐射来退火用于制造半导体器件的半导体器件结构。